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標簽 > 存儲器
存儲器(Memory)是現(xiàn)代信息技術中用于保存信息的記憶設備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器;在集成電路中,一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實物形式的存儲設備也叫存儲器,如內(nèi)存條、TF卡等。計算機中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。
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ARM處理器支持位置無關的程序設計,這種程序加載到存儲器的任意地址空間都可以正常運行,其設計方法在嵌入式應用系統(tǒng)開發(fā)中具有重要的作用。尤其在裸機狀態(tài)下開...
英特爾(Intel)大張旗鼓宣示Ultrabook系列產(chǎn)品,看在存儲器業(yè)者眼中是五味雜陳,雖然Ultrabook可直接焊上4GB的DRAM芯片,等于是強...
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)進一步提升其在近距離通信(NFC)市場的領導地位,針對工業(yè)和消費電子應用擴展意法半導體雙界面...
本文設計了1553B總線上的網(wǎng)絡存儲器。整個系統(tǒng)基于NIOS II內(nèi)核設計,利用SoPC技術將接口部分的邏輯控制全部集成于FPGA片內(nèi),系統(tǒng)的存儲量、結...
新型 KeyStone 架構在存儲器架構方面具備各種優(yōu)勢,意味著無論在單內(nèi)核還是在多內(nèi)核 SoC 執(zhí)行環(huán)境中都能夠直接實現(xiàn)顯著的性能提升。
TMS320C55x(簡稱為“C55x”)具有極低的功耗(0.05 mW/MIPS),本文以C55x上的視頻編碼器為例,討論片上存儲器的有效使用。
隨著存儲器容量越來越大,NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上,面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇
2011-07-29 標簽:存儲器 754 2
ST針對黑匣子記錄器發(fā)布EEPROM存儲器M35B32
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出新款存儲器產(chǎn)品,擁有在緊急情況發(fā)生時儲存重要數(shù)據(jù)的快速數(shù)據(jù)記錄功能。新產(chǎn)品主要用于突然斷...
存儲器3Q景氣 NAND Flash略優(yōu)于DRAM
存儲器業(yè)者分析,NANDFlash應用領域包括固態(tài)硬盤、平板計算機、智能型手機、工業(yè)計算機等,雖然前幾項產(chǎn)品的需求不如預期強勁,但仍是后勢可期,加上國際...
2011-07-08 標簽:DRAM存儲器NAND Flash 615 0
賽普拉斯半導體公司日前宣布推出一款容量高達 72 Mbit 的先進先出 (FIFO) 存儲器。該款全新的高容量 (HD) FIFO 是視頻及成像應用的理...
DS1992/DS1993 iButton存儲器(以下簡稱DS199_)是堅固耐用的讀/寫數(shù)據(jù),作為一個本地化的數(shù)據(jù)庫,很容易以最小的硬件訪問。非易失性...
業(yè)界最快QDR SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)
QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達633...
DS3655是一款防篡改存儲器,特別用于需要數(shù)據(jù)保護和要求高安全性的設備。器件包括64字節(jié)專有的無痕跡存儲器,該存儲器可在100ns時間內(nèi)快速擦除
賽普拉斯半導體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM),該存儲器具有I2C和SPI接口,可用于儀表、工業(yè)和汽車應用
MAX66020 ISO/IEC 14443 B型1Kb存儲器
MAX66020集成了1024的用戶EEPROM位,64位唯一識別碼(UID)和一個13.56MHz的射頻接口(異/符合IEC14443 B型
創(chuàng)意電子的IP生態(tài)系統(tǒng)(IP Eco-System)為整體解決方案之一環(huán),讓客戶能夠便于選擇及使用GUC創(chuàng)意電子、TSMC臺積電公司和其它IP供應商的產(chǎn)...
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