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極低電容雙向ESD保護(hù)二極管-PESD5V0F1BSF立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 570 0
非常對(duì)稱的雙向ESD保護(hù)二極管-PESD18VV1BBSF立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 557 0
超低電容單向ESD保護(hù)二極管-PESD5V0U1UA_UB_UL立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 520 0
八路雙電源轉(zhuǎn)換收發(fā)器;三態(tài)-74LVC4245A_Q100立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 656 0
30V,N 溝道溝槽 MOSFET-PXN4R7-30QL立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 564 0
30V,N 溝道溝槽 MOSFET-PXN5R4-30QL立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 534 0
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 910 0
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 548 0
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 647 0
可預(yù)置同步4位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器;同步復(fù)位-74LVC163立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 815 0
采用 CCPAK1212封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NBB立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 604 0
采用 CCPAK1212i 封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NTB立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 634 0
采用 CCPAK1212i 封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NTBA立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 690 0
采用 CCPAK1212封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NBA立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 553 0
帶30歐姆串聯(lián)終端電阻的16位邊沿觸發(fā)D型觸發(fā)器;5 V 輸入/輸出容限;3-狀態(tài)-74LVCH162374A立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 523 0
單個(gè)可重觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器;施密特觸發(fā)器輸入-74LVC1G123立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 680 0
單個(gè)可重觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器;施密特觸發(fā)器輸入-74LVC1G123_Q100立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 747 0
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 578 0
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 544 0
具有置位和復(fù)位功能的單D型觸發(fā)器;上升沿觸發(fā)-74LVC2G74_Q100立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 545 0
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