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標(biāo)簽 > 數(shù)據(jù)手冊
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2023-02-07 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊安世 516 0
2023-02-23 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊深圳匯春科技 515 0
2023-02-09 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊安世 515 0
雙電源轉(zhuǎn)換收發(fā)器;自動方向感應(yīng);3-狀態(tài)-NXB0101立即下載
2023-02-10 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊安世 515 0
100V,10A 低漏電流 Trench MEGA 肖特基勢壘整流器-PMEG100T100ELPE-Q立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊安世 515 0
DB4412_X_CUBE_AZRTOS_H7數(shù)據(jù)手冊摘要立即下載
2022-11-23 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊 515 0
20V,1.2A P 溝道溝槽 MOSFET-PMV160UP立即下載
2023-02-23 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊安世 515 0
功率邏輯8位移位寄存器;開漏輸出-NPIC6C596A_Q100立即下載
2023-02-17 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊安世 515 0
N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級 FET-BUK7Y29-40E立即下載
2023-03-03 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊安世 515 0
60 V、2 A 低漏電流肖特基勢壘整流器-PMEG6020AELR立即下載
2023-02-07 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊安世 515 0
30V,200mA 肖特基勢壘二極管-BAT54GW立即下載
2023-03-01 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊安世 515 0
采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D中的N溝道 40V,8.5mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R5-40HS立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊安世 515 0
N 溝道 80 V、1.9 mOhm MOSFET,采用增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK88-PSMN1R9-80SSE立即下載
2023-02-07 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊安世 515 0
18 位注冊驅(qū)動器,具有反向寄存器啟用和動態(tài)控制輸出;三態(tài)-74AVC16834A立即下載
2023-02-21 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊安世 515 0
NPN/NPN電阻搭載晶體管;R1=47 k…, R2=47 k…-PQMH2立即下載
2023-03-02 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊安世 514 0
140V,4A PNP 高壓低 VCEsat(BISS) 晶體管-PBHV9414Z立即下載
2023-02-27 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊安世 514 0
LFPAK56中的N溝道 40V,2.1 mΩ、180A 邏輯電平 MOSFET,使用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技術(shù)-PSMN2R0-40YLD立即下載
2023-02-20 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊安世 514 0
70 V,P 溝道溝槽 MOSFET-PMT200EPE立即下載
2023-02-23 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊安世 514 0
單向ESD保護(hù)二極管-PESD15VS1UL立即下載
2023-02-20 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊安世 514 0
40 V、0.2 A 肖特基勢壘二極管-1PS79SB30立即下載
2023-02-07 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊安世 514 0
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