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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，而且開(kāi)關(guān)速度可以非?？欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件，它們是構(gòu)建集成電路（IC）和微處理器的基礎(chǔ)。晶體管的工作原理涉及到半導(dǎo)體材料的電子特性，以及如何通過(guò)控制電流來(lái)實(shí)現(xiàn)...
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為電子工...
LED驅(qū)動(dòng)電源負(fù)責(zé)為L(zhǎng)ED提供恒定的電流，確保其穩(wěn)定運(yùn)行。如同心臟對(duì)人體的重要性一般，LED驅(qū)動(dòng)電源對(duì)于LED燈具的性能起著決定性作用。本文將深入探討三...
利用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)的功率及效率
但如何能夠產(chǎn)生所要求的快速變化、帶寬處于數(shù)十兆赫茲（MHz）范圍的供電電壓？我們可以通過(guò)不同的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。其中一個(gè)方法是使用如圖2所示的混合式線性放大器...
2020-08-26 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器晶體管氮化鎵 3.5k 0
差動(dòng)放大電路又叫差分放大電路，它除了能放大交流信號(hào)，也能放大直流信號(hào)，還能有效地減小由于電源波動(dòng)和晶體管隨溫度變化而引起的零點(diǎn)漂移(溫度漂移)，因而獲得...
2023-04-23 標(biāo)簽：放大電路電路設(shè)計(jì)晶體管 3.5k 0
功率放大器設(shè)計(jì)的好壞直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的性能。按照其工作狀態(tài)一般可以分為A、B、C類，以及類似于開(kāi)關(guān)工作狀態(tài)的D、E、F類等。
為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）在電力電子領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用，如變頻器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力傳輸?shù)?。在這些應(yīng)用中，IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷特性至關(guān)重要，而退飽和現(xiàn)象...
PNP集電極開(kāi)路輸出是指在這種輸出配置下，當(dāng)晶體管導(dǎo)通時(shí)，其集電極（即輸出端）與電源軌相連，實(shí)現(xiàn)高電平輸出；而當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí)，輸出端則通過(guò)外部連接的“下...
2024-09-19 標(biāo)簽：晶體管pnp集電極開(kāi)路 3.5k 0
單相逆變電路是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的一種電力電子設(shè)備，廣泛應(yīng)用于家用電器、電力系統(tǒng)、可再生能源等領(lǐng)域。單相逆變電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是其設(shè)計(jì)和性能的關(guān)鍵因素...
2024-07-08 標(biāo)簽：電子設(shè)備晶體管拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 3.5k 0
負(fù)反饋放大電路的計(jì)算及設(shè)計(jì)
一般的放大電路，增益達(dá)到40-60dB就很不錯(cuò)了。但是考慮到電路的穩(wěn)定性，采用一只晶體管放大電路的增益一般希望在20dB，若要獲得更高的電壓增益，就需要...
CMOS電路的最末級(jí)，通常是用顯現(xiàn)器顯現(xiàn)，或者介入繼電器控制大電流，或者向遠(yuǎn)處傳送信號(hào)等，很少?zèng)]有不借助晶體管的。
隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮，對(duì)高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常用的單晶薄膜生長(zhǎng)方法，能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長(zhǎng)...
如何實(shí)現(xiàn)晶體管用作開(kāi)關(guān)應(yīng)用
雖然晶體管（BJT）通常用于制造放大器電路，但它們也可以有效地用于開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
2023-06-03 標(biāo)簽：晶體管BJT開(kāi)關(guān)應(yīng)用 3.5k 0
本文旨在剖析這個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心要素，從最基本的晶體結(jié)構(gòu)開(kāi)始，逐步深入到半導(dǎo)體在集成電路中的應(yīng)用。
本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管），在極端短路條件...
電路的反饋類型雖然很多，但對(duì)于一個(gè)具體的反饋電路，它會(huì)同時(shí)具有以上四種類型。下面就通過(guò)圖2-13中所示的兩個(gè)反饋電路來(lái)介紹反饋類型的判別。
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱JFET）是一種基于場(chǎng)效應(yīng)原理工作的三端有源器件，其特點(diǎn)在于通過(guò)...
基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設(shè)計(jì)
鑒于對(duì)能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂，當(dāng)前對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)的需求不斷加速增長(zhǎng)，尤其是在住宅太陽(yáng)能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻?chǔ)能系統(tǒng)的微...
淺談一下自己對(duì)“射頻地”的一些認(rèn)識(shí)
初中物理就學(xué)過(guò)，電壓又稱電勢(shì)差，即任意兩個(gè)電勢(shì)/電位的差值，一般認(rèn)為無(wú)窮遠(yuǎn)處的電勢(shì)為0，通常說(shuō)的“電壓”隱含條件就是相對(duì)于0電勢(shì)的差值，但這個(gè)“無(wú)窮遠(yuǎn)處...
光掩模可以被認(rèn)為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內(nèi)。然后，光掩模可以吸收或散射光子，或允許它們穿過(guò)晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。
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