晶體管

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晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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晶體管技術(shù)

加速電容在電路中的妙用

為了加快負(fù)載端電壓變化率，通常會(huì)在驅(qū)動(dòng)電路中的電阻兩端并聯(lián)一個(gè)電容，這個(gè)電容被稱(chēng)為加速電容。根據(jù)負(fù)載的不同，加速電容主要應(yīng)用于阻容負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路和晶...

2022-12-27 標(biāo)簽：電容晶體管 Multisim 2.1k 1

基于石墨烯晶體管的電流驅(qū)動(dòng)太赫茲?rùn)z測(cè)器

太赫茲波能量大小則在電子和光子之間，與其他頻率的電磁波相比，其性能非常獨(dú)特。正是這些獨(dú)特的性能，使其在光譜分析、成像、6G通信、電子對(duì)抗等領(lǐng)域具有廣闊...

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用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量晶體管直流放大倍數(shù)

數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量晶體管直流放大倍數(shù)時(shí)，不用接表，轉(zhuǎn)動(dòng)測(cè)量選擇開(kāi)關(guān)值“hFE”檔位，將被測(cè)晶體管插入晶體管插孔，LCD顯示屏可顯示出被測(cè)晶體管的直流放大倍數(shù)。

2022-12-26 標(biāo)簽：三極管萬(wàn)用表數(shù)字萬(wàn)用表 4.8k 0

零伏帶載多通道電子負(fù)載IT8700P+嶄露頭角

零伏帶載是指電子負(fù)載可以在非常低的輸入電壓下，輸出額定滿電流，電流可高達(dá)上百安培。電子負(fù)載由于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通漏源極內(nèi)阻，有一個(gè)不可避免的最小內(nèi)部電阻...

2022-12-23 標(biāo)簽：晶體管電子負(fù)載輔助電源 1.4k 0

絕緣柵極驅(qū)動(dòng)器的重要特性

在電力電子領(lǐng)域，例如在驅(qū)動(dòng)技術(shù)中，IGBT經(jīng)常用于高電壓和高電流開(kāi)關(guān)。這些功率晶體管是電壓控制的，在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生其主要損耗。為了最大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗...

2022-12-22 標(biāo)簽：處理器驅(qū)動(dòng)器 IGBT 2.3k 0

雙向電平轉(zhuǎn)換電路——AiP2206

在新一代電子電路設(shè)計(jì)中, 隨著低電壓邏輯的引入, 系統(tǒng)內(nèi)部常常出現(xiàn)輸入-輸出邏輯不協(xié)調(diào)的問(wèn)題, 從而提高了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。例如, 當(dāng)1.8V的數(shù)字電路...

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IGBT基礎(chǔ)知識(shí)、參數(shù)特性、驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)

IGBT——絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，顧名思義，是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 ...

2022-12-22 標(biāo)簽：MOS管 IGBT 晶體管 1.1萬(wàn) 0

深度解析GaN功率晶體管技術(shù)及可靠性

GaN功率晶體管:器件、技術(shù)和可靠性詳解

2022-12-21 標(biāo)簽：晶體管 GaN功率器件 1.1k 0

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經(jīng)驗(yàn)分享——我把LDO做成了OSC

某個(gè)多功能芯片Spec要求是使用+/-5V供電，而內(nèi)部部分單元需要用到一些特殊電壓的供電，因此需要設(shè)計(jì)一個(gè)LDO，由于是GaAs pHEMT工藝，只有N...

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9種實(shí)用的將3.3V輸出連接到5V輸入的方法！

在本文中，我們將介紹相反的問(wèn)題：我們有一個(gè)3.3V輸出，我們需要驅(qū)動(dòng)一個(gè)5V系統(tǒng)。

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基于6J1電子管的電壓放大電路設(shè)計(jì)

其工作原理：當(dāng)u2正半周時(shí)，A點(diǎn)為“+”，B點(diǎn)為“-”，使得二極管D1導(dǎo)通，D2截止；C1充電，電流如圖1實(shí)線所示；C1上電壓極性右為“+”，左為“—”...

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耦合器技術(shù)有利于AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵晶體管

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2022-12-19 標(biāo)簽：晶體管耦合器氮化鎵 1.9k 0

專(zhuān)用負(fù)載器件的電氣設(shè)計(jì)考慮因素

為了以良好的穩(wěn)定性和高帶寬調(diào)制流過(guò)MOSFET的電流，運(yùn)算放大器必須能夠快速改變柵源電壓。具有高柵極至源極和柵極至漏極電容（C一般事務(wù)人員和 C廣東）...

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深度解析IGBT驅(qū)動(dòng)電路圖

漏極電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而總的關(guān)斷時(shí)間可以稱(chēng)為toff=td(off)+trv十t(f)，td(off)+trv之...

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為什么IBIS建模對(duì)設(shè)計(jì)成功至關(guān)重要

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2022-12-15 標(biāo)簽：asic 緩沖器晶體管 2.3k 0

如何使用過(guò)頂放大器防止模擬前端過(guò)壓

在工業(yè)應(yīng)用中，發(fā)生高電壓的可能性是一個(gè)持續(xù)關(guān)注的問(wèn)題。找到提供保護(hù)的方法一直是并將繼續(xù)是開(kāi)發(fā)人員的一項(xiàng)重要任務(wù)。此設(shè)計(jì)技巧說(shuō)明了開(kāi)發(fā)人員如何利用過(guò)頂（...

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碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）

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氮化鎵的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)！

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IC設(shè)計(jì)工藝之背面供電

Beyne 說(shuō)，由此產(chǎn)生的壓降讓芯片設(shè)計(jì)師越來(lái)越頭疼?！半娫幢仨毻ㄟ^(guò)意大利面條網(wǎng)絡(luò)連接到晶體管。由于高壓降，晶體管上的 0.7 伏不再是 0.7 伏。電阻太高。

2022-12-09 標(biāo)簽：晶體管晶圓工藝 1.7k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱(chēng)傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過(guò)模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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