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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢嶒炇抑械那袚Q速度可達(dá)100GHz以上。
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類型2,這是使用運放與Vref(2.5V)一體化的并聯(lián)穩(wěn)壓器電路,由于這種電路的Vref高達(dá)2.5V,所以電源利用范圍較窄。
LED電源的工程師經(jīng)常提及“恒流”驅(qū)動,其實,在很多電子設(shè)備中,有許多用電設(shè)備要求供給的電流(而不是電壓)保持恒定。一般把這種能夠向負(fù)載提供恒定電流的電...
摘要: 如圖所示連接兩個NPN晶體管,使得第一晶體管TR1的發(fā)射極電流變?yōu)榈诙w管TR2的基極電流。向TR1施加正基極電流會自動使開關(guān)晶體管TR2 “...
眾所周知,大多數(shù)直流電源包括一個大而重的降壓電源變壓器、整流二極管(全波或半波)和一個濾波電路,用于從整流后的直流中去除任何紋波,以產(chǎn)生適當(dāng)平滑的直流輸出電壓。
2022-09-15 標(biāo)簽:開關(guān)穩(wěn)壓器晶體管直流電源 2.9k 0
貝爾實驗室的 Bardeen 和 Brattain于 1947 年發(fā)明了點接觸晶體管, Shockley 于 1948 年發(fā)明了雙極結(jié)型晶體管。為表彰這...
如何計算硅的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運過...
2022-09-14 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體器件電子結(jié)構(gòu) 4.4k 0
傳統(tǒng)功率MOSFET與超級結(jié)MOSFET的區(qū)別
超級結(jié)又稱超結(jié),是制造功率場效應(yīng)晶體管的一種技術(shù),其名稱最早岀現(xiàn)于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn結(jié)耗...
眾所周知,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種電壓控制器件,由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成,用于放大或切換電路內(nèi)的電壓,也廣泛用于數(shù)字...
Class-D功放電路如何選擇比較好的國產(chǎn)廠商進行替代
對于Class-D功放電路的電子元器件使用,在MOS管領(lǐng)域會有哪一款產(chǎn)品比較適合應(yīng)用于該場景呢?是否有比較好的代換型號?
實現(xiàn)可編程邏輯電路可以選擇三種主要的技術(shù),它們有兩種主要的特性:是否可重新編程以及是否易失。我們將介紹三種主要的器件,它們是支持可編程電路的技術(shù)基礎(chǔ): ...
實現(xiàn)可編程邏輯電路可以選擇三種主要的技術(shù),它們有兩種主要的特性:是否可重新編程以及是否易失。我們將介紹三種主要的器件,它們是支持可編程電路的技術(shù)基礎(chǔ): ...
電子通信領(lǐng)域這些常見的定律:庫梅定律 vs 摩爾定律
英特爾(Intel)創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出摩爾定律:當(dāng)價格不變時,集成電路上可容納的元器件的數(shù)目,約每隔18-24個月便會...
2022-09-08 標(biāo)簽:摩爾定律單芯片物聯(lián)網(wǎng) 2.5k 0
熱保險絲作為一種基本的電路保護器件,已經(jīng)成功使用了150多年。熱保險絲有效、可靠、易用,具有各種不同的數(shù)值和版本,能夠滿足不同的設(shè)計目標(biāo)。然而,對于尋求...
電磁繼電器是一種由電路控制的物理機械開關(guān)。電路控制電磁鐵,電磁鐵控制開關(guān)。有不同類型的繼電器,但它們都以大致相似的方式工作。
美國國會授權(quán)被稱為芯片法案的計劃,美半導(dǎo)體領(lǐng)域地位或迎新機遇
計量學(xué)是我們應(yīng)對半導(dǎo)體制造商所面臨挑戰(zhàn)的能力的基礎(chǔ)。進行投資今天計量能力的提高將為未來的技術(shù)需求提供保障,并支持美國在下一代微電子領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。加快研...
2022-09-05 標(biāo)簽:晶體管微電子半導(dǎo)體制造 1.1k 0
摩爾定律下一個十年關(guān)鍵:3D堆疊的潛在優(yōu)勢
對 3D 堆疊 CMOS 進行所有需要的連接是一項挑戰(zhàn)。需要從設(shè)備堆棧下方進行電源連接。在此設(shè)計中,NMOS 器件頂部和 PMOS 器件底部 具有單獨的...
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