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標(biāo)簽 > 晶體管

晶體管

晶體管

+關(guān)注78人關(guān)注

晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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晶體管技術(shù)

聊聊大家都經(jīng)常聊的算力話題

算力是由性能、規(guī)模、利用率三部分共同組成的,相輔相成,缺一不可

2023-01-31 標(biāo)簽:晶體管CSPDSA 1.6k 0

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還在為用氮化鎵設(shè)計(jì)高壓電源犯難?試試這兩個(gè)器件

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面對(duì)社會(huì)和監(jiān)管要求,電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項(xiàng)。特別是對(duì)于從電動(dòng)汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用,電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。

2023-04-28 標(biāo)簽:晶體管FET氮化鎵 1.6k 0

介質(zhì)振蕩器和軌道軌運(yùn)放的特性

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介質(zhì)振蕩器:DR介質(zhì)諧振器是用特定的陶瓷材料制成的,表面上看很像一塊光滑的小石頭。人為的做成立方體、圓柱體、球形及圓筒形等可,作為微波諧振腔來應(yīng)用,使其...

2023-04-24 標(biāo)簽:振蕩器運(yùn)放晶體管 1.6k 0

推挽電路放大什么電阻

推挽電路是一種常見的放大電路結(jié)構(gòu),它由兩個(gè)晶體管組成,一個(gè)為NPN型,另一個(gè)為PNP型,它們分別在輸入信號(hào)的正負(fù)半周期中工作,以實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)的放大。推挽電...

2024-10-09 標(biāo)簽:電阻放大電路晶體管 1.6k 0

特殊晶體管的檢測(cè)方法

普通達(dá)林頓管內(nèi)部由兩只或多只晶體管的集電極連接在一起復(fù)合而成,其基極b 與發(fā)射極e之間包含多個(gè)發(fā)射結(jié)。檢測(cè)時(shí)可使用萬用表的R×1 kΩ或R×10 kΩ檔來測(cè)量。

2017-08-14 標(biāo)簽:萬用表晶體管普通達(dá)林頓管 1.6k 0

電荷泵測(cè)試技術(shù)介紹

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電荷泵技術(shù)(Charge Pumping)經(jīng)過四十多年的發(fā)展,通過測(cè)量MOS 晶體管中的界面電荷,已成為測(cè)量和表征 MOS 器件界面性質(zhì)的最有效、最可靠...

2025-08-05 標(biāo)簽:CMOS晶體管電荷泵 1.6k 0

氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載

氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接,感興趣的朋友可以直接下載: *附件:氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場(chǎng)景 ?:并聯(lián)開關(guān)管廣泛應(yīng)用...

2025-02-27 標(biāo)簽:并聯(lián)晶體管氮化鎵 1.6k 0

晶體管是怎么做得越來越小的?

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上次我的文章解釋了所謂的7nm不是真的7nm,是在實(shí)際線寬無法大幅縮小的前提下,通過改變晶體管結(jié)構(gòu)的方式縮小晶體管實(shí)際尺寸來達(dá)到等效線寬的效果那么新的問...

2023-12-19 標(biāo)簽:芯片CMOS晶體管 1.6k 0

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上一章基于ROHM的SJ-MOSFET產(chǎn)品陣容,以標(biāo)準(zhǔn)AN系列、低噪聲EN系列、高速KN系列為例介紹了SJ-MOSFET的特征。

2023-02-10 標(biāo)簽:二極管MOSFET晶體管 1.6k 0

飛虹半導(dǎo)體FHP1906V場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)和應(yīng)用

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飛虹半導(dǎo)體針對(duì)逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)的廠商需求,推出國(guó)產(chǎn)MOS管新產(chǎn)品:FHP1906V型號(hào)。

2024-11-26 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管晶體管 1.6k 0

選型手冊(cè):VS4604AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

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威兆半導(dǎo)體推出的VS4604AP是一款面向40V低壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流電源管理、DC/...

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目前,工業(yè)產(chǎn)品趨向小型化發(fā)展,該趨勢(shì)為精密數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)帶來了新的挑戰(zhàn)。設(shè)計(jì)人員必須平衡整個(gè)系統(tǒng)的解決方案尺寸和功耗,同時(shí)在更高的帶寬下實(shí)現(xiàn)更精確的信號(hào)測(cè)...

2023-03-17 標(biāo)簽:電源adc晶體管 1.6k 0

計(jì)算機(jī)、晶體管的問世,MOSFET的創(chuàng)新與制造技術(shù)

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晶體管可以用微小的電量控制大量電流的流動(dòng),可謂是顛覆性的創(chuàng)造??茖W(xué)家發(fā)現(xiàn),只要使用以下兩種半導(dǎo)體元件,就可以輕而易舉地連接或斷開信號(hào)。

2023-12-18 標(biāo)簽:MOSFETcpu計(jì)算機(jī) 1.6k 0

IGBT的導(dǎo)熱機(jī)理詳解

絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱IGBT)是一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSF...

2025-02-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 1.6k 0

實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在SOA(安全工作區(qū))范圍內(nèi)

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在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的③確認(rèn)在SOA(安全工作區(qū))范圍內(nèi)。

2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET晶體管SOA 1.6k 0

6G毫米波太赫茲芯片技術(shù)研究

6G毫米波太赫茲芯片技術(shù)研究

探索硅基工藝性能極限(fr=300GHz) ,在300 GHz附近設(shè)計(jì)了-四路合成PA; 300 GHz頻段晶體管本征增益低,共包含三級(jí)驅(qū)動(dòng)放大器(D...

2023-10-09 標(biāo)簽:芯片晶體管毫米波 1.6k 0

晶體管電路設(shè)計(jì)

晶體管電路設(shè)計(jì)

翻開看了前面的部分,剛開始就有點(diǎn)懵,說的是共射放大電路的電壓增益。

2023-10-21 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶體管共射放大電路 1.6k 0

光耦的CTR是什么?

光耦的CTR是什么?

晶體管輸出型光耦的性能,取決于其輸入?yún)?shù)、輸出參數(shù)和傳輸特性,傳輸特性決定著其電性能傳送能力和特點(diǎn)。其中最重要的參數(shù)為電流傳輸比(Currenttran...

2025-06-13 標(biāo)簽:光耦晶體管CTR 1.6k 0

晶體管的特性和作用

晶體管采用迅速切斷基極控制信號(hào)的方法,這就使得驅(qū)動(dòng)與保護(hù)緊密聯(lián)系在一起。   保護(hù)措施轉(zhuǎn)化為兩方面的工作:一是如何及時(shí)準(zhǔn)確地測(cè)得故障狀態(tài),二是如何...

2023-07-04 標(biāo)簽:保護(hù)電路驅(qū)動(dòng)晶體管 1.6k 0

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    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。

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