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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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可提高開關(guān)速度與動(dòng)態(tài)性能的減少VDMOS寄生電容新結(jié)構(gòu)的研究
VDMOS與雙極晶體管相比,它的開關(guān)速度快,開關(guān)損耗小,輸入電阻高,驅(qū)動(dòng)電流小,頻率特性好,跨導(dǎo)高度線性等優(yōu)點(diǎn)。特別值得指出的是,它具有負(fù)溫度系數(shù),...
基于IR2130驅(qū)動(dòng)模塊的功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
功率場(chǎng)效應(yīng)管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn),但是MOSFET管具有較脆弱的承受短時(shí)過載能力,特別是在高頻的應(yīng)用場(chǎng)合,所以在應(yīng)用功率MOSFET對(duì)必須為其設(shè)計(jì)合理的保護(hù)...
2018-12-25 標(biāo)簽:mosfet晶體管驅(qū)動(dòng)電路 1.2萬(wàn) 0
由于IGBT管工作在大電流 高電壓狀態(tài),工作頻率較高,發(fā)熱量大,因此其故障率較高,又由于其價(jià)格較高,故代換IGBT管時(shí),應(yīng)遵循以下原則:首先,盡量用原型...
Multisim 10的元器件庫(kù)提供數(shù)千種電路元器件供實(shí)驗(yàn)選用,虛擬測(cè)試儀器儀表種類齊全,有一般實(shí)驗(yàn)用的通用儀器,但沒有晶體管圖示儀,只能測(cè)試晶體三極管...
一種元器件數(shù)量少的高性能分立式匹配晶體管緩沖器的設(shè)計(jì)
盡管單封裝雙器件(如2N3958、2N5196~2N5199,以及2N5564~2N5566等)在熱跟蹤方面具有優(yōu)勢(shì),為降低成本,我們還是選擇離散JFE...
電子設(shè)備產(chǎn)生間歇性故障原因是什么?有什么解決方法
外部干擾可以是以廣播、電視的射頻載波形式進(jìn)入的無(wú)線電波,也可能是通過電源線,甚至是電話線傳播的。你可以在電源線或電話線上安裝濾波器來檢查是否是這個(gè)問題。...
復(fù)用電路的設(shè)計(jì)方法及其特點(diǎn)介紹
高速通信系統(tǒng)已經(jīng)在世界范 圍內(nèi)進(jìn)入大規(guī)模建設(shè)階段,大量的信息交互促進(jìn)了通信和計(jì)算機(jī)技術(shù)的迅猛發(fā)展,高速干線系統(tǒng)作為信息高速公路的主干,研究設(shè)計(jì)其所采用的...
靜止同步補(bǔ)償器的工作原理、類型、應(yīng)用及發(fā)展現(xiàn)狀介紹
我國(guó)電力工業(yè)發(fā)展迅速,其需求將保持持續(xù)、快速的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)而且需求規(guī)模在增大,當(dāng)前我國(guó)電力事業(yè)可靠性要求高、實(shí)用性強(qiáng);經(jīng)濟(jì)效益突出;節(jié)能,環(huán)保、高效成為主要...
全固態(tài)電視發(fā)射機(jī)的功放結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)與故障維修分析
近年來,許多電視發(fā)射臺(tái)已完成全固態(tài)發(fā)相繼開發(fā)出橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體硅場(chǎng)效應(yīng)斷其好壞。電阻法是維射機(jī)替代電子管發(fā)射機(jī)的更新?lián)Q代工作。全固管(LDMOS)...
2018-11-22 標(biāo)簽:放大器開關(guān)電源晶體管 9.2k 1
最新的市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,便攜式媒體播放器是目前發(fā)展最快的便攜式消費(fèi)類電子終端設(shè)備。消費(fèi)者希望在路上也能聆聽他們喜愛的音樂,欣賞視頻剪輯甚至電影。不過,消...
調(diào)頻耳機(jī)收音機(jī)電路的結(jié)構(gòu)組成及原理分析
收音機(jī)電路見圖1。它的新穎之處在于前級(jí)晶體管VT1以不同于超再生式及超外的方式進(jìn)行工作,同時(shí)具有混頻、本振、鎖相環(huán)同步檢波及低頻放大4種功能。
串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路的性能指標(biāo)及如何對(duì)數(shù)學(xué)模型進(jìn)行求解
串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路中含有的元器件種類繁多,把他作為我們研究問題的對(duì)象,使得研究結(jié)果具有普遍性。串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路如圖1所示。圖中,Ui為電網(wǎng)...
下一代無(wú)線設(shè)備的射頻芯片設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
從3G升級(jí)到LTE-Advance,對(duì)下一代移動(dòng)通信基礎(chǔ)設(shè)施的設(shè)備和器件供應(yīng)商提出了諸多挑戰(zhàn)。下一代無(wú)線設(shè)備要求支持更寬的信號(hào)帶寬、更復(fù)雜的調(diào)制方式,以...
如何降低功率CMOS器件的有源和待機(jī)功耗和提高應(yīng)用功效
三十多年來,本本體硅(bulk silicon)MSOFET工藝一直是晶體管器件所采用的主要CMOS工藝。我們非常熱衷于從縮小晶體管來提高密度和性能。在...
通過時(shí)間測(cè)量芯片TDC-GP2測(cè)量IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間
TDC-GP2是德國(guó)ACAM公司繼TDC-GP1之后新推出的一款高精度時(shí)間間隔測(cè)量芯片。與前代芯片相比,具有更高的精度、更小的封裝和更低的價(jià)格,更適...
工作于D類開關(guān)狀態(tài)的MOSFT管在發(fā)射機(jī)射頻功放中的應(yīng)用
隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,MOS管在電子與通信工程領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。特別是在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機(jī)的射頻功率放大器中,利用MOS管的開關(guān)特性,可使整個(gè)射...
開關(guān)電流電路故障診斷的難點(diǎn)及解決方案
電流存儲(chǔ)單元主要利用MOS管柵電容的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)電流存儲(chǔ)功能。圖1所示電路,TS1,TS2,TS3是由MOS管構(gòu)成的開關(guān),受互補(bǔ)時(shí)鐘信號(hào)φ1,φ2...
2019-06-05 標(biāo)簽:cmos運(yùn)算放大器晶體管 3.7k 0
低噪聲放大器的設(shè)計(jì)及利用ADS軟件進(jìn)行仿真研究
低噪聲放大器(LNA)位于射頻接收機(jī)的前端,其主要功能是對(duì)微弱信號(hào)進(jìn)行低噪聲放大。在低噪聲放大器的設(shè)計(jì)過程中,要綜合考慮其放大能力、噪聲系數(shù)和匹配等因素...
采用兩個(gè)儀表放大器和晶體管實(shí)現(xiàn)高精度壓控電流源的設(shè)計(jì)
很多設(shè)計(jì)都需要精確的壓控電流源,特別是那些存在可變負(fù)載的情況。通常是使用幾個(gè)運(yùn)算放大器和若干無(wú)源元件來構(gòu)成電路,但是由于元器件的非理想特性,如有限的開環(huán)...
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