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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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1.要讓掩模版上圖形同載片臺上硅片內(nèi)的圖形對準(zhǔn),是非常難的技術(shù)問題; 2.I作臺要調(diào)節(jié)X、Y、Z、θ四個參數(shù); 3.快速對準(zhǔn)是提高設(shè)備產(chǎn)能的關(guān)鍵;
選型手冊:VSP003N10HS-K N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP003N10HS-K是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5060X封裝,適配中壓超大功率電源管理...
2025-12-30 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 661 0
選型手冊:MOT5N50BD N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT5N50BD是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓,廣...
選型手冊:MOT65R600F 系列 N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT65R600F是一款基于超級結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數(shù)校正...
選型手冊:VSP004N10MSC-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MSC-G是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電...
選型手冊:VS4620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配低壓...
2025-11-28 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 650 0
選型手冊:VSO013N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSO013N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。...
2025-12-29 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 650 0
選型手冊:MOT9N50F N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT9N50F是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓,廣泛...
選型手冊:VS6614DS 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS6614DS是一款面向65V中低壓場景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中低壓雙路電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換...
2025-12-08 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 643 0
選型手冊:MOT4N65D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT4N65D是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性,廣...
onsemi UF3N120007K4S SiC JFET晶體管的特性與應(yīng)用解析
在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能對電路設(shè)計和系統(tǒng)性能有著至關(guān)重要的影響。今天,我們來詳細(xì)探討一下安森美(onsemi)的UF3N120007K4S碳...
選型手冊:MOT20N65HF N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT20N65HF是一款面向650V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開關(guān)速度、100%雪崩測試驗(yàn)證及650V耐壓...
選型手冊:VSP007N12HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP007N12HS-G是一款面向120V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)高效能與快速開關(guān)特性...
選型手冊:MOT1165G N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT1165G是一款面向100V中壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、高頻開關(guān)特性及高可靠性,適用于高...
選型手冊:VS3640DS 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3640DS是一款面向30V低壓場景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用SOP8封裝,適配雙路低壓電源管...
2025-12-11 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 637 0
選型手冊:MOT5N65D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT5N65D是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性,廣...
芯片可靠性是一門研究芯片如何在規(guī)定的時間和環(huán)境條件下保持正常功能的科學(xué)。它關(guān)注的核心不是芯片能否工作,而是能在高溫、高電壓、持續(xù)運(yùn)行等壓力下穩(wěn)定工作多久...
選型手冊:MOT6120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT6120T是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、229A超大電流承載能...
SiC MOSFET的設(shè)計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性
碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。
大功率 LED 燈串(例如汽車前燈中用的燈串)要求電流恒定,也就是無論環(huán)境溫度和輸入電壓如何波動變化,電流都保持穩(wěn)定。
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