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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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IGBT與SiC MOSFET功率模塊的失效機理、診斷方法與防護策略
本文系統(tǒng)性對比了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)功率模塊的失效機理、診斷方法與防護策略。
超導(dǎo)量子比特的基本原理及結(jié)構(gòu)特征
超導(dǎo)量子計算核心器件,是量子計算的關(guān)鍵。它以其獨特的超導(dǎo)性質(zhì),為我們打開了探索量子世界的大門。
集成運放是一種模擬電路的集成電路。集成運放的基本電路結(jié)構(gòu)由多個晶體管、電容器、電阻器等基本元器件以及一些輔助電路組成。通過這些元器件的組合,可以實現(xiàn)...
IGBT失效場合:來自系統(tǒng)內(nèi)部,如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機感應(yīng)電動勢、負載突變都會引起過電壓和過電流;來自系統(tǒng)外部,如電網(wǎng)波動、電力線感應(yīng)、浪涌等。...
具體來說,可以通過電子器件(例如晶體管、IGBT等)開關(guān)電源,將直流電源轉(zhuǎn)換為高頻的脈沖信號,再通過控制脈沖的占空比來控制電機的電壓。當(dāng)占空比增加時...
繼電器是一種機電設(shè)備,它使用電磁鐵將一對可移動觸點從打開位置操作到關(guān)閉位置。
2023-03-24 標簽:繼電器開關(guān)電路MOSFET 1.1萬 0
放大電路失真是指輸出信號與輸入信號之間存在差異,這種差異可能是頻率、幅度或相位上的偏差。放大電路失真類型主要有以下幾種。
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特...
晶體管的結(jié)構(gòu)以及類型 晶體管的電流放大作用
晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電,故稱之為雙極性晶體管(BJT),也稱為半導(dǎo)體三極管,以下簡稱晶體管。
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體...
眾所周知,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種電壓控制器件,由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成,用于放大或切換電路內(nèi)的電壓,也廣泛用于數(shù)字...
一、三極管的結(jié)構(gòu)和符號 1、半導(dǎo)體三極管又稱晶體管,它是在一塊鍺基片或硅基片上分別制作出兩個P區(qū)、一個N區(qū)或兩個N區(qū)、一個P區(qū),然后再從這幾個區(qū)分別引出...
氮化鎵是一種無機化合物,它是一種稀有的金屬氮化物,具有高熔點、高硬度和良好的電學(xué)性能。它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件,也可以用于制造磁性...
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 全稱:金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管...
2025-10-23 標簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 1.1萬 0
關(guān)于三星5nm、4nm、3nm工藝分析和全新晶體管架構(gòu)介紹
關(guān)于7nm制程,今年年底之前可能會有基于三星 7 納米工藝芯片的手機亮相嗎?可能性或許不大,雖然高通新一代芯片驍龍 855 也將交給三星負責(zé)生產(chǎn),但不要...
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