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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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MOS管,即金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor...
2025-09-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管晶體管 7.5k 0
變頻器是一種靜止的頻率變換器,可將電網(wǎng)電源的50Hz頻率交流電變成頻率可調(diào)的交流電,作為電動(dòng)機(jī)的電源裝置,目前在國(guó)內(nèi)外使用廣泛。使用變頻器可以節(jié)能、提高...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)漏電流增加的原因有多種,以下是對(duì)這些原因的分析: 正向電壓的增加 :當(dāng)IGBT的控制極壓加上一定的電壓時(shí),例如正向電壓,漏結(jié)...
EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory,可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器,能夠在斷電后保持...
功率放大器是一種電子器件,其主要作用是將低功率信號(hào)放大為高功率信號(hào)。功率放大器的工作原理基于放大器的放大能力。其通常由一個(gè)放大器器件(如晶體管、真空...
電源作為一切電子產(chǎn)品的供電設(shè)備,除了性能要滿足供電產(chǎn)品的要求外,其自身的保護(hù)措施也非常重要,如過壓、過流、過熱保護(hù)等。一旦電子產(chǎn)品出現(xiàn)故障時(shí),如電子產(chǎn)品...
2023-02-10 標(biāo)簽:變壓器電路分析開關(guān)電源 7.4k 0
三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào),也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。
晶振,即晶體振蕩器(Crystal Oscillator),是一種利用晶體物理特性制作的電子元件,它在現(xiàn)代電子設(shè)備中發(fā)揮著極其重要的作用。晶振通過其獨(dú)特...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的閾值電壓(Vt)是其工作性能中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),它決定了晶體管從關(guān)閉狀態(tài)過渡到開啟狀態(tài)所需的柵極電壓大小。M...
晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成,其三個(gè)電極分別為集電極(用字母C或c表示),基極(用字母B或b表示)和發(fā)射極(用字母E或e表示)。如圖5-4所示,晶體管的兩個(gè)...
振蕩器是一種電子元件或電路,其主要功能是將直流電能轉(zhuǎn)換為具有一定頻率的交流電能。振蕩器通常由放大電路、選頻電路和正反饋電路組成,它們相互協(xié)作以產(chǎn)生重復(fù)的...
MOSFET的原理 MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
MOSFET是一種半導(dǎo)體器件,屬于可控硅器件,也稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),它可以用來控制電流和電壓。
單端甲類(Class A)和推挽甲類(Class AB)功放是兩種常見的音頻放大器設(shè)計(jì)。它們?cè)谛阅?、效率、成本和?yīng)用方面都有顯著的區(qū)別。以下是對(duì)這兩種功...
對(duì)應(yīng)于0.5V低輸入電壓的1A高速LDO電壓調(diào)整器
既往的LDO如圖1所示,把P溝道MOS晶體管作為驅(qū)動(dòng)晶體管使用。這種情況下,驅(qū)動(dòng)晶體管的VGS變得最大成為VIN-VSS之間的電壓,因?yàn)殡SVIN降低VG...
氮化鎵器件在D類音頻功放中的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)
本文檔介紹了D類音頻功放的典型設(shè)計(jì),概述了氮化鎵器件在D類音頻功放中的基礎(chǔ)應(yīng)用,并簡(jiǎn)單介紹了氮化鎵器件在D類音頻功放設(shè)計(jì)中,相較于硅基器件所帶來的優(yōu)勢(shì)。
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