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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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超聲波傳感器驅(qū)動(dòng)電路之自激型與他激型原理
如下圖所示的是自激型晶體管振蕩電路,其中超聲波傳感器頻率為40kHz。圖9-14 (a)所示的是科耳皮茲振蕩電路。超聲波傳感器在電感性的頻率下產(chǎn)生振蕩。...
常見(jiàn)的霍爾芯片封裝分為直插式和貼片式。貼片式封裝體積小、方便SMT工藝生產(chǎn)。但在某些應(yīng)用場(chǎng)合,為適配結(jié)構(gòu)與霍爾芯片的感應(yīng)則需采用直插式封裝。
晶閘管(Thyristor,又稱Silicon Controlled Rectifier,簡(jiǎn)稱SCR)是一種大功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,具有四層結(jié)構(gòu),其中包括...
IO模塊中的寬輸入范圍耐壓結(jié)構(gòu)level-shift
板卡上的芯片需要相互通信,IO接口電平越豐富,芯片通用性越強(qiáng)。
2023-10-31 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器晶體管鉗位電壓 6.6k 0
單端甲類功放(Single-ended Class-A amplifier)是一種音頻放大器的設(shè)計(jì)和工作方式,它在音頻放大領(lǐng)域中有著悠久的歷史和獨(dú)特的地...
芯片的性能由什么決定 芯片最關(guān)鍵的技術(shù)是什么
芯片內(nèi)部集成了大量的晶體管和其他電子元件,這些元件可以協(xié)同工作,執(zhí)行各種復(fù)雜的數(shù)學(xué)運(yùn)算和邏輯運(yùn)算。這使得芯片能夠處理大量的數(shù)據(jù),完成各種復(fù)雜的計(jì)算任務(wù)。
2024-04-25 標(biāo)簽:CMOS數(shù)據(jù)傳輸電子元件 6.6k 0
IGBT工作原理/主要參數(shù)/特性曲線/選型/應(yīng)用
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
晶體管是一種半導(dǎo)體器件,它具有放大和開(kāi)關(guān)功能。在電子電路中,晶體管的應(yīng)用非常廣泛,可以說(shuō)是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心元件之一。晶體管的工作狀態(tài)主要有三種:截止?fàn)?..
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)的擦除過(guò)程是一個(gè)涉及硬件和軟件操作...
簡(jiǎn)單轉(zhuǎn)速表電路圖 轉(zhuǎn)速表的定義和應(yīng)用
轉(zhuǎn)速表,顧名思義,是用來(lái)測(cè)量和顯示旋轉(zhuǎn)設(shè)備轉(zhuǎn)速的儀表。它通常被安裝在需要監(jiān)測(cè)轉(zhuǎn)速的設(shè)備上,如汽車發(fā)動(dòng)機(jī)、電機(jī)、風(fēng)扇、造紙機(jī)、塑料加工機(jī)械等。轉(zhuǎn)速表通過(guò)接...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的連續(xù)漏極電...
IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅(qū)動(dòng)功率小,控制電路簡(jiǎn)單,開(kāi)關(guān)損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件,它集雙...
使用理想二極管控制器實(shí)現(xiàn)汽車反向電池保護(hù)設(shè)計(jì)
汽車電池連接多個(gè)負(fù)載,包括電子控制單元 (ECU)、繼電器和電機(jī)。一些系統(tǒng)級(jí)事件(例如打開(kāi)或關(guān)閉電感負(fù)載)會(huì)導(dǎo)致電池電源線路上產(chǎn)生電壓瞬變。所有反極性保...
三極管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)圖原理
TTL晶體管開(kāi)關(guān)電路按驅(qū)動(dòng)能力分為小信號(hào)開(kāi)關(guān)電路和功率開(kāi)關(guān)電路;按晶體管連接方式分為發(fā)射極接地(PNP晶體管發(fā)射極接電源)和射級(jí)跟隨開(kāi)關(guān)電路。
2024-03-04 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路晶體管 6.5k 0
Boost電路是一種常見(jiàn)的直流-直流變換器,其主要作用是將輸入電壓升高到一個(gè)較高的輸出電壓。Boost電路的工作原理是通過(guò)開(kāi)關(guān)元件的周期性導(dǎo)通和截止,改...
高開(kāi)關(guān)頻率對(duì)逆變器和電機(jī)效率的影響
使用脈寬調(diào)制(PWM)控制技術(shù)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在逆變器中會(huì)遇到高頻開(kāi)關(guān)損耗,而高頻電機(jī)損耗與電流紋波有關(guān)。這意味著必須在系統(tǒng)級(jí)別存在必須調(diào)查的權(quán)衡。為了了...
隨著電子設(shè)備升級(jí)換代的速度,大家對(duì)于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來(lái)愈高,在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中,不僅是開(kāi)關(guān)電源電路中,也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都...
2019-08-18 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6.5k 0
部分耗盡SOI器件新體接觸技術(shù)可有效克服MOSFET中的浮體效應(yīng)
SOI技術(shù)帶來(lái)器件和電路性能提高的同時(shí)也不可避免地帶來(lái)了不利的影響,其中最大的問(wèn)題在于部分耗盡SOI器件的浮體效應(yīng)。當(dāng)器件頂層Si膜的厚度大于最大耗盡層...
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