晶體管

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晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，而且開(kāi)關(guān)速度可以非?？?，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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晶體管技術(shù)

何為IGBT？IGBT的結(jié)構(gòu)和原理

IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，所以它是一個(gè)有MOS Gate的BJT晶體管。奇...

2022-10-09 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源變頻器 IGBT 5.2k 0

三極管的概述及應(yīng)用電路

晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電，故稱之為雙極型晶體管（BJT），又稱為半導(dǎo)體三極管，簡(jiǎn)稱晶體管或三極管。

2023-02-14 標(biāo)簽：三極管應(yīng)用電路晶體管 5.2k 0

噪聲發(fā)生器電路圖和工作原理講解

噪聲發(fā)生器是產(chǎn)生電噪聲（即隨機(jī)信號(hào)）的電路。噪聲發(fā)生器用于測(cè)試信號(hào)以測(cè)量噪聲系數(shù)、頻率響應(yīng)和其他參數(shù)。噪聲發(fā)生器也用于生成隨機(jī)數(shù)。

2023-08-03 標(biāo)簽：放大器二極管電路圖 5.2k 0

解讀浪涌電流測(cè)試儀技術(shù)解決方案

浪涌電流脈沖的幅度和形狀由測(cè)量單元7控制。在浪涌電流脈沖結(jié)束之后，開(kāi)關(guān)10和11由來(lái)自同步電路13的命令閉合。

2021-01-06 標(biāo)簽：電容器晶體管電解電容器 5.2k 0

碳化硅單晶襯底的常用檢測(cè)技術(shù)

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色，已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向...

2024-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 SiC 5.2k 0

達(dá)林頓晶體管如何測(cè)量好壞有哪些注意事項(xiàng)

達(dá)林頓晶體管是一種可控制電流的三極管，它可以用來(lái)控制電路中的電流，從而控制電路的功能。它是一種可以控制電流的三極管，它可以用來(lái)控制電路中的電流，從而控制...

2023-02-19 標(biāo)簽：三極管晶體管達(dá)林頓晶體管 5.2k 0

先進(jìn)封裝中銅-銅低溫鍵合技術(shù)研究進(jìn)展

Cu-Cu 低溫鍵合技術(shù)是先進(jìn)封裝的核心技術(shù)，相較于目前主流應(yīng)用的 Sn 基軟釬焊工藝，其互連節(jié)距更窄、導(dǎo) 電導(dǎo)熱能力更強(qiáng)、可靠性更優(yōu). 文中對(duì)應(yīng)用于先...

2023-06-20 標(biāo)簽：集成電路封裝晶體管 5.2k 0

3D-NAND浮柵晶體管的結(jié)構(gòu)解析

傳統(tǒng)平面NAND閃存技術(shù)的擴(kuò)展性已達(dá)到極限。為了解決這一問(wèn)題，3D-NAND閃存技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，通過(guò)在垂直方向上堆疊存儲(chǔ)單元，大幅提升了存儲(chǔ)密度。本文將簡(jiǎn)...

2024-11-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 3D 5.2k 0

增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管有什么區(qū)別？

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2023-02-21 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 FET 5.1k 0

分壓偏置式共射極放大電路三種組態(tài)

分壓偏置式共射極放大電路主要由雙極型晶體管（BJT）、兩個(gè)偏置電阻和一個(gè)射極電阻組成。輸入信號(hào)被施加到基極和射極之間，而輸出信號(hào)則從集電極和射極之間取出...

2024-10-04 標(biāo)簽：放大電路晶體管分壓式 5.1k 0

電路板測(cè)試是什么工作電路板測(cè)試對(duì)身體有害嗎

電路板測(cè)試是一項(xiàng)對(duì)電子設(shè)備中的電路板進(jìn)行性能、功能和可靠性檢測(cè)的工作。這項(xiàng)工作對(duì)于確保產(chǎn)品質(zhì)量和安全性至關(guān)重要。以下是關(guān)于電路板測(cè)試的詳細(xì)分析，以及它對(duì)...

2024-05-28 標(biāo)簽：電子元件電感晶體管 5.1k 0

使用BJT晶體管構(gòu)建非門(mén)的教程

集成電路或IC是一個(gè)小包裝中許多小電路的組合，共同執(zhí)行了共同的任務(wù)。例如，操作放大器或 555計(jì)時(shí)器IC 是由許多晶體管，觸發(fā)器，邏輯門(mén) 和其他組...

2022-08-22 標(biāo)簽：邏輯門(mén)晶體管非門(mén) 5.1k 0

一種利用有源鉗位技術(shù)在雙晶體管正激上實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)方法

接下來(lái)的方向就是如何來(lái)達(dá)到85PLUS的要求。這對(duì)于一般的適配器或高電壓直流輸出的電源來(lái)講沒(méi)有什么問(wèn)題，大家很容易就可以實(shí)現(xiàn)。但是對(duì)于一般的PC電源或服...

2018-10-18 標(biāo)簽：電源適配器晶體管 5.1k 0

IGBT模塊的3D建模

最近發(fā)現(xiàn)很多小伙伴都是玩新能源高壓電驅(qū)的，想讓我講一講用CST如何建立IGBT模型。

2023-06-08 標(biāo)簽：晶體管 emc BJT 5.1k 0

IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)還是電流驅(qū)動(dòng)

IGBT的驅(qū)動(dòng)方式可以電壓驅(qū)動(dòng)和電流驅(qū)動(dòng)兩種，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種功率半導(dǎo)體器件，具有高電壓、大電流、快速開(kāi)關(guān)等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)...

2024-07-25 標(biāo)簽：IGBT 晶體管電流驅(qū)動(dòng) 5.1k 0

淺談?dòng)⑻貭柕腟uperFin

英特爾自己的工程師說(shuō)，即使他們自己有時(shí)也很難記住哪個(gè)+變體具有特定的更新，或者哪個(gè)產(chǎn)品建立在哪個(gè)+節(jié)點(diǎn)上，這個(gè)消息也許能讓你心情好上一些。

2020-09-02 標(biāo)簽：英特爾晶體管 EUV 5.1k 0

互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用

隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環(huán)繞柵...

2025-01-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NMOS 晶體管 5.1k 0

晶體管反相器的原理及應(yīng)用

晶體管反相器是一種常見(jiàn)的電子電路元件，在現(xiàn)代電子設(shè)備中起著至關(guān)重要的作用。它通過(guò)利用晶體管的放大特性和反相特性，實(shí)現(xiàn)了輸入信號(hào)和輸出信號(hào)的反相。本文將詳...

2024-10-08 標(biāo)簽：反相器晶體管集電極 5.1k 0

MOS管開(kāi)關(guān)電路原理圖

晶體管開(kāi)關(guān)電路在現(xiàn)在電路設(shè)計(jì)中十分常見(jiàn)。三極管開(kāi)關(guān)電路分為兩大類，一類是經(jīng)典的TTL三極管開(kāi)關(guān)電路，一類是MOS管開(kāi)關(guān)電路。三極管和MOS管作為開(kāi)關(guān)管時(shí)...

2023-06-20 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電路電路設(shè)計(jì)MOS管 5.1k 0

共射極放大器的特性和應(yīng)用

共射極放大器，也被稱為共發(fā)射極放大電路或反相放大電路，是電子電路中常用的放大器類型之一。它在信號(hào)處理、放大、以及電子設(shè)備的許多其他功能中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。...

2024-07-18 標(biāo)簽：放大器放大電路晶體管 5.1k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計(jì)數(shù)器等功能。本章詳細(xì)介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。
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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹(shù)”組成的，在2009年10月1日天安門(mén)廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門(mén)設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的?？梢酝ㄟ^(guò)控制脈沖個(gè)數(shù)來(lái)控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過(guò)控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。

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