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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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納米壓印是微納工藝中最具發(fā)展?jié)摿Φ牡谌饪坦に?,是最有希望取代極紫外光的新一代工藝。最近,海力士公司從佳能購買了一套奈米壓印機(jī),進(jìn)行了大規(guī)模生產(chǎn),并取...
在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中,“小型化的極限”一直被人們談?wù)?。正如上次提到的,尖端邏輯MOS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點值相匹配,可以說晶體管的小型化已經(jīng)...
如何實現(xiàn)高遷移率發(fā)光有機(jī)半導(dǎo)體材料和實現(xiàn)高效OLETs器件構(gòu)筑
有機(jī)發(fā)光晶體管(OLETs)是兼具有機(jī)場效應(yīng)晶體管(OFETs)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLEDs)功能的小型化光電集成器件,具有制備工藝簡單、集成更容易等優(yōu)...
三極管和場效應(yīng)管實現(xiàn)信號放大的具體原理
信號放大電路可以說是最常見的信號調(diào)理電路之一了,絕大多數(shù)信號放大電路的核心都是晶體管,晶體管又分為三極管和場效應(yīng)管,那么,它們是如何實現(xiàn)信號放大的呢...
2023-11-07 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管晶體管 2.8k 0
加州大學(xué)研究人員推出首款穩(wěn)定的全固態(tài)熱晶體管
加州大學(xué)洛杉磯分校(UCLA)的一組研究人員利用電場來調(diào)節(jié)半導(dǎo)體器件的傳熱,推出了首款穩(wěn)定的全固態(tài)熱晶體管。 該小組的研究詳細(xì)闡述了該設(shè)備的預(yù)期應(yīng)用和操...
2023-11-07 標(biāo)簽:晶體管電荷半導(dǎo)體器件 1.2k 0
什么是JFET?什么是MOSFET?JFET和MOSFET的比較
JFET的全稱為結(jié)型場效應(yīng)晶體管,MOSFET的全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。耗盡型MOSFET與JFET均屬于電壓控制型場效應(yīng)晶體管(FET),...
XC 系列 PLC 本體型號說明以 XC3-32RT-E 為例: XC3——系列號, 32——I/O 點數(shù), R T——輸出類型(R 表示繼電器/T ...
學(xué)術(shù)界和工業(yè)界已經(jīng)提出將二維(2D)過渡金屬二摻雜化合物(TMD)半導(dǎo)體作為未來取代物理柵極長度小于10納米的硅晶體管的一種選擇。在這篇評論中,我們分享...
提起電源設(shè)計,那肯定會提到的就是開關(guān)電源,應(yīng)用范圍也十分廣,但是開關(guān)電源的理解可能也會難到一部分人。 開關(guān)電源是利用電子開關(guān)器件比如晶體管,MOS管等來...
2023-11-06 標(biāo)簽:MOS管晶體管開關(guān)器件 2.3k 0
提起電源設(shè)計,那肯定會提到的就是開關(guān)電源,應(yīng)用范圍也十分廣,但是開關(guān)電源的理解可能也會難到一部分人。 開關(guān)電源是利用電子開關(guān)器件比如晶體管,MOS管等來...
2023-11-06 標(biāo)簽:開關(guān)電源電壓晶體管 1.7k 0
固態(tài)繼電器(SSR)是由微電子電路、分立電子器件和電力電子功率器件組成的非接觸式開關(guān)。隔離裝置用于實現(xiàn)控制端與負(fù)載端之間的隔離。固態(tài)繼電器的輸入端使用微...
2023-11-06 標(biāo)簽:繼電器半導(dǎo)體固態(tài)繼電器 5.4k 0
伺服電機(jī)重要的應(yīng)用是定位控制。位置控制有兩個需要控制的物理量,即速度和位置。準(zhǔn)確地說,是控制伺服電機(jī)到達(dá)位置的速度和停止的速度。
2023-11-06 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)plc晶體管 2.3k 0
氮化鎵(GaN)功率器件在幾個關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅(Si)具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場,能實現(xiàn)更薄的漂移層,同時在較高的擊穿電...
射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分,其重要性不言而喻。在發(fā)射機(jī)的前級電路中,調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號功率很小,需要經(jīng)過一系列的放大(...
2023-11-05 標(biāo)簽:射頻功率放大器發(fā)射機(jī) 3k 0
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)之平面結(jié)構(gòu)
電流從漏極流向源極時,電流在硅片內(nèi)部橫向流動,而且主要從硅片的上表層流過,因此沒有充分應(yīng)用芯片的尺寸;而且,這種結(jié)構(gòu)的耐壓,由柵極下面P層寬度和摻雜決定
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