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標(biāo)簽 > 晶體
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晶振電路是一種常見的電子元件,其作用是產(chǎn)生穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)。在許多電子設(shè)備中,晶振電路被廣泛應(yīng)用,以確保設(shè)備的正常運(yùn)行。
2023-07-20 標(biāo)簽:cpu晶體時(shí)鐘信號(hào) 3.9k 0
如何在OpticStudio中建模和設(shè)計(jì)真實(shí)波片
本文介紹了如何在 OpticStudio 中建模和設(shè)計(jì)真實(shí)的單色和消色差波片。它將演示如何使用雙折射材料,通過構(gòu)建評(píng)價(jià)函數(shù)來(lái)計(jì)算相位延遲,并使用 Uni...
結(jié)晶是鐵氧體磁芯中晶體的有序排列區(qū)域,存在晶斑會(huì)對(duì)磁芯的性能產(chǎn)生影響。影響主要體現(xiàn)在磁芯的飽和磁通密度、磁導(dǎo)率和磁滯損耗等方面。
LiF/Li2CO3鈍化層助力高穩(wěn)定性硅負(fù)極
鈍化后的三維硅負(fù)極具備極佳電化學(xué)性能,在1500次循環(huán)后,可保持3701 mAh g-1的高容量。
DS-PAW能夠應(yīng)用于不同場(chǎng)景,例如金屬、半導(dǎo)體、絕緣體、表面、磁性、非磁性和鋰電等;能夠精確預(yù)測(cè)材料的電子分布;能夠進(jìn)行原子幾何結(jié)構(gòu)優(yōu)化;能夠廣泛的應(yīng)...
高質(zhì)量RC振蕩器的穩(wěn)定性預(yù)計(jì)在0.1%左右,而通常我們可以假設(shè)LC振蕩器的穩(wěn)定性高達(dá)0.01%。當(dāng)需要更高水平的穩(wěn)定性時(shí),我們必須使用基于晶體的振蕩器電路。
當(dāng)一些晶體受熱時(shí),在晶體兩端將會(huì)產(chǎn)生數(shù)量相等而符號(hào)相反的電荷,這種由于熱變化產(chǎn)生的電極化現(xiàn)象,被稱為熱釋電效應(yīng)。
晶振在布局時(shí),一般是不能放置在PCB邊緣的,今天以一個(gè)實(shí)際案例來(lái)進(jìn)行講解。
剖析如何證明叉指結(jié)構(gòu)在單片晶體濾波器中的作用設(shè)計(jì)
濾波器是頻率選擇系統(tǒng)中的關(guān)鍵元器件,在通信、導(dǎo)航、廣播電視、宇航工程的電子設(shè)備中,占有重要的地位。隨著1963年能陷理論的出現(xiàn),在1966年日本東京大學(xué)...
隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和性能要求的日益提高,應(yīng)變工程半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)在現(xiàn)代電子器件中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。準(zhǔn)確表征這些復(fù)雜結(jié)構(gòu)中的晶體缺陷對(duì)于理解材料性能...
鈣鈦礦退火是一個(gè)多目標(biāo)的過程,旨在通過去除殘余溶劑、穩(wěn)定晶體結(jié)構(gòu)、提高電子遷移率、消除雜質(zhì)、調(diào)整結(jié)晶度和晶體形態(tài)、提高穩(wěn)定性和耐久性以及促進(jìn)薄膜的形成和...
2024-04-16 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池光伏電池晶體 3.5k 0
高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵,目前比較主流的生長(zhǎng)方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等,本文帶你了解以上三種SiC晶體生長(zhǎng)...
就是研究光通過聲波擾動(dòng)的介質(zhì)時(shí)發(fā)生散射或衍射的現(xiàn)象。由于彈光效應(yīng),當(dāng)超聲縱波以行波形式在介質(zhì)中傳播時(shí)會(huì)使介質(zhì)折射率產(chǎn)生正弦或弦規(guī)律變化,并隨超聲波一起傳...
半導(dǎo)體的工作原理 N型和P型半導(dǎo)體有什么區(qū)別?
半導(dǎo)體光放大器 (SOA) 是半導(dǎo)體中發(fā)現(xiàn)的一種放大光的元件。用戶可以在用于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心之間通信的光收發(fā)器模塊中找到 SOA。
多尺度材料設(shè)計(jì)與仿真平臺(tái)Device Studio(新手快速入門指南01)
新手快速入門指南以第一性原理量子輸運(yùn)計(jì)算軟件Nanodcal中 Si晶體結(jié)構(gòu)的自洽和能帶計(jì)算 為例進(jìn)行詳細(xì)說明,主要分為以下幾個(gè)步驟,包含登錄并啟動(dòng)De...
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