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晶體

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晶體技術(shù)

晶振電路的主要作用

晶振電路是一種常見的電子元件,其作用是產(chǎn)生穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)。在許多電子設(shè)備中,晶振電路被廣泛應(yīng)用,以確保設(shè)備的正常運(yùn)行。

2023-07-20 標(biāo)簽:cpu晶體時(shí)鐘信號(hào) 3.9k 0

SiC的發(fā)展歷程和涂層制備方法

SiC的發(fā)展歷程和涂層制備方法

SiC的歷史可以追溯到1891年,由愛德華·古德里奇·艾奇遜(Edward Goodrich Acheson)在嘗試合成人造金剛石的過程中偶然發(fā)現(xiàn)。艾奇...

2024-10-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體SiC 3.9k 0

如何在OpticStudio中建模和設(shè)計(jì)真實(shí)波片

如何在OpticStudio中建模和設(shè)計(jì)真實(shí)波片

本文介紹了如何在 OpticStudio 中建模和設(shè)計(jì)真實(shí)的單色和消色差波片。它將演示如何使用雙折射材料,通過構(gòu)建評(píng)價(jià)函數(shù)來(lái)計(jì)算相位延遲,并使用 Uni...

2023-06-05 標(biāo)簽:晶體建模波片 3.8k 0

鐵氧體磁芯中結(jié)晶的形成原因和改善措施

結(jié)晶是鐵氧體磁芯中晶體的有序排列區(qū)域,存在晶斑會(huì)對(duì)磁芯的性能產(chǎn)生影響。影響主要體現(xiàn)在磁芯的飽和磁通密度、磁導(dǎo)率和磁滯損耗等方面。

2023-08-31 標(biāo)簽:晶體磁芯鐵氧體 3.8k 0

LiF/Li2CO3鈍化層助力高穩(wěn)定性硅負(fù)極

鈍化后的三維硅負(fù)極具備極佳電化學(xué)性能,在1500次循環(huán)后,可保持3701 mAh g-1的高容量。

2023-01-11 標(biāo)簽:晶體電解質(zhì)XPS 3.8k 0

DS-PAW bader電荷計(jì)算

DS-PAW能夠應(yīng)用于不同場(chǎng)景,例如金屬、半導(dǎo)體、絕緣體、表面、磁性、非磁性和鋰電等;能夠精確預(yù)測(cè)材料的電子分布;能夠進(jìn)行原子幾何結(jié)構(gòu)優(yōu)化;能夠廣泛的應(yīng)...

2023-02-27 標(biāo)簽:晶體電荷計(jì)算軟件 3.8k 0

提拉法生長(zhǎng)晶體的概念和應(yīng)用

提拉法生長(zhǎng)晶體的概念和應(yīng)用

在外加電場(chǎng)作用下折射率發(fā)生變化,從而使通過晶體的一束激光分解為兩束偏振方向相互垂直的偏振光,并產(chǎn)生一根位差效應(yīng)的晶體。

2024-02-27 標(biāo)簽:晶體砷化鎵 3.7k 0

深度剖析振蕩器電路中晶體的高穩(wěn)定性

深度剖析振蕩器電路中晶體的高穩(wěn)定性

高質(zhì)量RC振蕩器的穩(wěn)定性預(yù)計(jì)在0.1%左右,而通常我們可以假設(shè)LC振蕩器的穩(wěn)定性高達(dá)0.01%。當(dāng)需要更高水平的穩(wěn)定性時(shí),我們必須使用基于晶體的振蕩器電路。

2023-04-02 標(biāo)簽:晶體振蕩器電路LC振蕩器 3.7k 0

熱釋電傳感器的原理與應(yīng)用

熱釋電傳感器的原理與應(yīng)用

當(dāng)一些晶體受熱時(shí),在晶體兩端將會(huì)產(chǎn)生數(shù)量相等而符號(hào)相反的電荷,這種由于熱變化產(chǎn)生的電極化現(xiàn)象,被稱為熱釋電效應(yīng)。

2024-03-25 標(biāo)簽:傳感器晶體等效電路 3.7k 0

晶振擺放位置是有講究的!

晶振在布局時(shí),一般是不能放置在PCB邊緣的,今天以一個(gè)實(shí)際案例來(lái)進(jìn)行講解。

2023-03-06 標(biāo)簽:pcb晶體晶振 3.7k 0

PCB上晶體振蕩電路的設(shè)計(jì)

PCB上晶體振蕩電路的設(shè)計(jì)

今天主要給大家簡(jiǎn)單介紹一下:PCB 上晶體振蕩電路的設(shè)計(jì)。

2023-03-24 標(biāo)簽:pcb電路設(shè)計(jì)晶體 3.6k 0

離子注入工藝的工作原理

離子注入工藝的工作原理

單晶硅是一種絕緣體,因此它本身并不具備導(dǎo)電性。那么,我們?cè)撊绾问顾軌驅(qū)щ娔兀孔屛覀儊?lái)看一下硅的微觀結(jié)構(gòu)。

2024-11-04 標(biāo)簽:電源晶體工藝 3.6k 0

剖析如何證明叉指結(jié)構(gòu)在單片晶體濾波器中的作用設(shè)計(jì)

濾波器是頻率選擇系統(tǒng)中的關(guān)鍵元器件,在通信、導(dǎo)航、廣播電視、宇航工程的電子設(shè)備中,占有重要的地位。隨著1963年能陷理論的出現(xiàn),在1966年日本東京大學(xué)...

2019-01-16 標(biāo)簽:濾波器晶體 3.5k 0

電子衍射技術(shù)的原理與分類

電子衍射技術(shù)的原理與分類

隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和性能要求的日益提高,應(yīng)變工程半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)在現(xiàn)代電子器件中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。準(zhǔn)確表征這些復(fù)雜結(jié)構(gòu)中的晶體缺陷對(duì)于理解材料性能...

2025-06-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體衍射晶體 3.5k 0

鈣鈦礦太陽(yáng)能電池退火工藝的研究與探索

鈣鈦礦退火是一個(gè)多目標(biāo)的過程,旨在通過去除殘余溶劑、穩(wěn)定晶體結(jié)構(gòu)、提高電子遷移率、消除雜質(zhì)、調(diào)整結(jié)晶度和晶體形態(tài)、提高穩(wěn)定性和耐久性以及促進(jìn)薄膜的形成和...

2024-04-16 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池光伏電池晶體 3.5k 0

一文詳解SiC單晶生長(zhǎng)技術(shù)

一文詳解SiC單晶生長(zhǎng)技術(shù)

高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵,目前比較主流的生長(zhǎng)方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等,本文帶你了解以上三種SiC晶體生長(zhǎng)...

2024-11-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體SiC 3.4k 0

超聲在引起晶體內(nèi)折射率變化

超聲在引起晶體內(nèi)折射率變化

就是研究光通過聲波擾動(dòng)的介質(zhì)時(shí)發(fā)生散射或衍射的現(xiàn)象。由于彈光效應(yīng),當(dāng)超聲縱波以行波形式在介質(zhì)中傳播時(shí)會(huì)使介質(zhì)折射率產(chǎn)生正弦或弦規(guī)律變化,并隨超聲波一起傳...

2023-12-08 標(biāo)簽:激光晶體超聲波 3.3k 0

半導(dǎo)體的工作原理 N型和P型半導(dǎo)體有什么區(qū)別?

半導(dǎo)體光放大器 (SOA) 是半導(dǎo)體中發(fā)現(xiàn)的一種放大光的元件。用戶可以在用于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心之間通信的光收發(fā)器模塊中找到 SOA。

2023-04-06 標(biāo)簽:集成電路二極管半導(dǎo)體 3.3k 0

固態(tài)相變知識(shí)總結(jié)

固態(tài)相變知識(shí)總結(jié)

固態(tài)相變知識(shí)總結(jié)

2023-07-14 標(biāo)簽:晶體固態(tài)熱處理 3.3k 0

多尺度材料設(shè)計(jì)與仿真平臺(tái)Device Studio(新手快速入門指南01)

多尺度材料設(shè)計(jì)與仿真平臺(tái)Device Studio(新手快速入門指南01)

新手快速入門指南以第一性原理量子輸運(yùn)計(jì)算軟件Nanodcal中 Si晶體結(jié)構(gòu)的自洽和能帶計(jì)算 為例進(jìn)行詳細(xì)說明,主要分為以下幾個(gè)步驟,包含登錄并啟動(dòng)De...

2023-06-07 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器晶體仿真 3.2k 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    +關(guān)注
    Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家,這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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    LM2596
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  • 光立方
    光立方
    +關(guān)注
    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的,在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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