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標(biāo)簽 > 晶體
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合肥世紀(jì)金芯簽下2億美元SiC襯底片大單,產(chǎn)能將大幅提升
據(jù)了解,世紀(jì)金芯近期在8英寸SiC襯底片領(lǐng)域取得重要突破,成功開發(fā)出可重復(fù)生長出4H晶型、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體的8寸SiC單晶生長技術(shù)。
PPLN可用于單通結(jié)構(gòu)的SHG,泵浦聚焦在晶體長度的中心。為了達(dá)到最佳效率,要達(dá)到Boyd-Kleinman聚焦?fàn)顟B(tài)。這就是光斑的大小,晶體長度與共聚焦...
英特爾發(fā)布10nm SuperFin新技術(shù)
Tiger Lake將在關(guān)鍵計算矢量方面提供智能性能和突破性進(jìn)展。Tiger Lake是第一個SoC架構(gòu)中采用全新 Xe-LP圖形微架構(gòu),可以對CPU、...
超高頻晶體管,超高頻晶體管是什么意思 晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成,其三個電極分別為集電極(用字母C或c表示),基極(用字母B或b表示)和發(fā)射極
X射線誘導(dǎo)產(chǎn)生單個零場斯格明子及其二維“人工晶體”
磁斯格明子具有尺寸小和易電流驅(qū)動的優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為可以應(yīng)用于下一代高能效、高密度的磁性存儲器當(dāng)中。
ZnO納米顆粒生長的簡單濕化學(xué)法晶體結(jié)構(gòu)分析
引言 ZnO作為II-VI半導(dǎo)體材料,室溫下具有3.34 eV的寬帶隙能和較大的激子結(jié)合能(60 mV),是一種具有光電應(yīng)用潛力的材料。人們從理論和實(shí)驗(yàn)...
電壓控制晶體振蕩器(VCXO),是通過施加外部控制電壓使振蕩頻率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩器。在典型的VCXO中,通常是通過調(diào)諧電壓改變變?nèi)荻O管的...
俄羅斯斯科爾科沃科學(xué)技術(shù)研究所(Skoltech)的科學(xué)家開發(fā)了基于氧化鈷納米薄片的高靈敏度傳感器,該傳感器能夠檢測空氣中的各種酒精。
應(yīng)用于量子光學(xué)系統(tǒng)的MSFG晶體系列介紹
Covesion 的 MSFG 晶體系列最常用于量子光學(xué)系統(tǒng),其中需要窄線寬激光器來訪問特定的原子躍遷,以操縱和冷卻原子和離子。通過使用高功率光纖泵浦激...
SiO2,這是石英晶振的基材的主要成分,由兩種化學(xué)元素組成:硅和氧。在自然界中發(fā)現(xiàn)SiO2的結(jié)晶形式,其實(shí)天然石英晶體,大家或許更習(xí)慣稱之為水晶。那么,...
2022-07-22 標(biāo)簽:晶體 2.2k 0
晶體硅太陽電池及材料引言 1839年,法國Becqueral第一次在化學(xué)電池中觀察到光伏效應(yīng)。1876年,在固態(tài)硒(...
2009-02-23 標(biāo)簽:晶體 2.2k 0
替代CH7511B DP轉(zhuǎn)LVDS屏換接設(shè)計方案
CH7511B是一款DP轉(zhuǎn)lvds屏轉(zhuǎn)換芯片CH7511B是一款eDP轉(zhuǎn)LVDS轉(zhuǎn)換芯片。CH7511B將嵌入式DisplayPort信號轉(zhuǎn)換為LVDS...
車規(guī)級晶體振蕩器以及應(yīng)用場景。汽車級晶體振蕩器 (ACXO) 是一種專門為汽車行業(yè)設(shè)計和制造的晶體振蕩器。ACXO 用于各種汽車系統(tǒng),在這些系統(tǒng)中,準(zhǔn)確...
然而,自然界中的硅原子并不喜歡sp2雜化方式的平面二維結(jié)構(gòu),碳硅化合物晶體多數(shù)不存在像石墨一樣的層狀體材料。因此,常規(guī)的機(jī)械剝離方法并不適用于制備二維碳...
濟(jì)南大學(xué)在8英寸鈮酸鋰晶體生長技術(shù)方面取得重要突破
近年來,基于鈮酸鋰單晶薄膜的集成光電子器件可實(shí)現(xiàn)單通100G以上超高帶寬的高速光調(diào)制,已經(jīng)成為國際上的研究熱點(diǎn)和開發(fā)的重點(diǎn)領(lǐng)域。鈮酸鋰是整個光通信世界的...
硅砂被開采 芯片制造商從采石中獲得硅砂或二氧化硅。接下來,他們將其與碳混合并將其加熱到超過 2,000°C 的溫度以去除氧氣。當(dāng)硅砂在電弧爐內(nèi)時,碳與氧...
壓電分子晶體可在機(jī)械沖擊下實(shí)現(xiàn)自我修復(fù)
研究人員探索了多種將機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能的方法。對于可穿戴設(shè)備,壓電是一種被廣泛研究的能量收集方法。這種方法使用壓電元件,當(dāng)對它們施加一定的機(jī)械應(yīng)力時,壓電...
2022-06-28 標(biāo)簽:晶體能量收集器可穿戴設(shè)備 2.1k 0
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