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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動
什么是柵極驅(qū)動,說白了就是MOSFET的G極的驅(qū)動,柵極用PWM方波驅(qū)動,但是會形成RLC振蕩電路,原因是電容是寄生的,電感受布線影響較大,但是也屬于寄生電感的范疇,這樣輸入會形成LC振蕩,導(dǎo)致MOSFET各種打開關(guān)閉,很容易燒毀MOSFET。
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MOSFET柵極驅(qū)動電路應(yīng)用設(shè)計(jì)
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產(chǎn)生電流,必須在基極端子和發(fā)射極端子之間...
前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動設(shè)計(jì),雖然今天聊的可能有些重復(fù),但是感覺人到中年,最討厭的就是記憶力不夠用,就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動設(shè)計(jì) 4k 0
集成Cortex-M0內(nèi)核的車規(guī)級MCU概述
LCA037BT(K)32EU8 是集成 Cortex-M0 內(nèi)核的車規(guī)級 MCU,面向電機(jī)控制等應(yīng)用領(lǐng)域,集成了三相半橋柵極驅(qū)動模塊
mos 管的額定電壓應(yīng)保守地考慮預(yù)期的電壓水平,并應(yīng)特別注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。
MOSFET柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)電路案例分析
在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個(gè)外部齊納二極管,可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意,齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
PFC拓?fù)淅霉鐼OSFET的模塊化柵極驅(qū)動方法
本文介紹了一種多級圖騰柱PFC拓?fù)洌撏負(fù)淅霉鐼OSFET的簡單性和成熟度以及一種新穎的模塊化柵極驅(qū)動方法,實(shí)現(xiàn)了與使用寬帶隙半導(dǎo)體的傳統(tǒng)電路相比,通...
并聯(lián)MOSFET可實(shí)現(xiàn)高功率設(shè)計(jì)(如交錯(cuò)式升壓轉(zhuǎn)換器),并且可以在多個(gè)級別完成。在為并聯(lián)MOSFET實(shí)現(xiàn)驅(qū)動器時(shí),其柵極不應(yīng)直接連接在一起,而應(yīng)將柵極電...
高頻逆變器后級電路圖一: 中C1,C2分別是Q1,Q2的GD結(jié)電容,左邊上下兩個(gè)波形分別是Q1,Q2的柵極驅(qū)動波形。我們先從t1-t2死區(qū)時(shí)刻開始分...
恩智浦GD3160高級柵極驅(qū)動確保功率轉(zhuǎn)換器安全、高效運(yùn)行
RoadPak SiC MOSFET 1.2kV模塊完美滿足上述要求,其采用半橋配置,每側(cè)可并聯(lián)多達(dá)10個(gè)SiC MOSFET芯片,支持大電流。
2022-08-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器恩智浦柵極驅(qū)動 5k 0
TMC6140 是一款完全集成的通用三相 MOSFET 柵極驅(qū)動器,適用于 PMSM 伺服或 BLDC 電機(jī)。支持高達(dá) 100 A 電機(jī)電流的外部MOS...
1SP0350V SCALE?-2 單通道即插即用柵極驅(qū)動器可靠、安全地驅(qū)動 4500 V 壓裝 IEGT 和 IGBT 以及其他 IEGT 和 IGB...
獨(dú)特的柵極驅(qū)動應(yīng)用支持高功率放大器快速開啟/關(guān)閉
通過漏極控制開關(guān)HPA的典型配置如圖1所示。一個(gè)串聯(lián)FET開啟輸入HPA的高電壓??刂齐娐沸枰獙⑦壿嬰娖矫}沖轉(zhuǎn)換為更高電壓以使串聯(lián)FET導(dǎo)通。
電機(jī)驅(qū)動中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景
通過采用電子馬達(dá)驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對電機(jī)的增強(qiáng)型控制,此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用...
2021-04-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動功率器件氮化鎵 3k 0
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
650V SiC MOSFET的擁護(hù)者可能會指出,他們發(fā)現(xiàn)其他類似器件在Tj =125°C下的該數(shù)值通常為+20-25%。這能說明SiC MOSFET比...
簡化汽車車身電機(jī)控制器設(shè)計(jì),快速實(shí)現(xiàn)輕量化
本文中,我們將討論可幫助應(yīng)對這些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)、集成到電機(jī)驅(qū)動集成電路中的特定模擬功能。
2020-12-14 標(biāo)簽:德州儀器場效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動 1.6k 0
ACPL-302J智能柵極驅(qū)動光耦合器技術(shù)分析
新型ACPL-302J是一款智能柵極驅(qū)動光電耦合器,可改善隔離式電源并簡化柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)。
2021-05-24 標(biāo)簽:光耦合器DC-DC轉(zhuǎn)換器柵極驅(qū)動 4.6k 0
功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動相關(guān)的損耗
損耗是MOSFET的Qg乘以驅(qū)動器電壓和開關(guān)頻率的值。Qg請參考所使用的MOSFET的技術(shù)規(guī)格書。驅(qū)動器電壓或者實(shí)測,或者參考IC的技術(shù)規(guī)格書。
2020-04-05 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)柵極驅(qū)動 5k 0
三角波調(diào)制可控制器RT引腳的電流,實(shí)現(xiàn)PWM振蕩器的抖動。串聯(lián)的電阻器用于設(shè)置調(diào)制抖動百分比。低頻三角波通過耦合電容器改變在電阻器電壓。
基于UCC21225A隔離雙路柵極驅(qū)動和參考設(shè)計(jì)
TI公司的ucc21225A是隔離雙路柵極驅(qū)動器,具有源電流4A和沉峰值電流6A,封裝為5-mm x 5-mm LGA-13.可以驅(qū)動高達(dá)5MHz的功率...
光電隔離柵極驅(qū)動器的CMTI額定值僅為35 V/ns至50 V/ns,這限制了功率FET的切換速度。這導(dǎo)致功率FET的功耗更高、效率更低、尺寸更大、系統(tǒng)...
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