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標(biāo)簽 > 柵極
柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽(yáng)極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場(chǎng)強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。
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在半導(dǎo)體器件的講解中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說(shuō)最值得拿來(lái)詳細(xì)介紹一番的。
2023-09-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管JFET 4.4k 0
MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來(lái)看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)一般會(huì)包含哪些參數(shù)吧。
PCB Layout時(shí)，MOS管柵極串聯(lián)電阻放哪兒？
前一段時(shí)間有個(gè)兄弟問(wèn)了個(gè)問(wèn)題，把我問(wèn)住了，問(wèn)題是這個(gè)： 如上圖，串聯(lián)的電阻R1到底是放在靠近IC端，還是靠近MOS端？（注意，圖中的L1是走線寄生電感，...
2023-09-26 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻MOS管Layout 2.2k 0
極限參數(shù)也叫絕對(duì)最大額定參數(shù)，MOS管在使用過(guò)程當(dāng)中，任何情況下都不能超過(guò)下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。
mosfet的三個(gè)電極怎么區(qū)分 mos管三個(gè)極電壓關(guān)系
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）有三個(gè)主要電極，分別是柵極（Gate）、漏極（Source）和源極（Drain）。這三個(gè)電極的區(qū)分方法如下
通過(guò)單片GaN集成提高性能，同時(shí)減小尺寸和成本
15 V 至 350 V 范圍內(nèi)的氮化鎵 （GaN） 異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管已被證明在功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和激光雷達(dá)脈沖光等應(yīng)用中在效率、尺寸、速度和成本...
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的振蕩問(wèn)題解析
上一篇文章我們介紹過(guò)，為了使MOS管完全導(dǎo)通，需要盡量提高柵極的驅(qū)動(dòng)電流。那是不是柵極驅(qū)動(dòng)電流越大越好呢，即驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)阻越小越好？
由具有相對(duì)扭轉(zhuǎn)角的原子級(jí)薄范德瓦爾斯晶體堆積形成的莫爾圖案可以引起顯著的新的物理性質(zhì)。迄今為止，對(duì)莫爾材料的研究?jī)H限于由不超過(guò)幾個(gè)范德瓦爾斯片組成的結(jié)構(gòu)...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：平面結(jié)構(gòu)
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor...
干貨！75例經(jīng)典電氣控制接線圖、電子元件工作原理圖
下圖所示是一感應(yīng)測(cè)電筆線路。它可方便地測(cè)出導(dǎo)線的斷芯位置。在用來(lái)測(cè)導(dǎo)線斷芯位置時(shí)，在導(dǎo)線一端接上220V的電源相線，然后用感應(yīng)測(cè)電筆的探頭柵極靠近被測(cè)導(dǎo)...
ASDM30N40AE 功率MOSFET — 優(yōu)質(zhì)性能，引領(lǐng)能效革命
隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)保的重視不斷增加，電力管理和控制技術(shù)也在不斷發(fā)展。在這個(gè)變革的時(shí)代，ASDM30N40AE 功率MOSFET憑借其卓越的性能和創(chuàng)新...
MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用
摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會(huì)導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷，這會(huì)降低氮化鎵高...
如何通過(guò)實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大限度地提高SiC牽引逆變器的效率
牽引逆變器是電動(dòng)汽車(chē) (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級(jí)別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動(dòng)汽車(chē)單次充電后的行駛里程...
2023-05-23 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)德州儀器柵極 1.9k 0
氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前...
2023-05-17 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵 1.9k 0
米勒效應(yīng)（Miller effect）是在電子學(xué)中，反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會(huì)擴(kuò)大...
2023-05-15 標(biāo)簽：放大器開(kāi)關(guān)電路MOSFET 1.2萬(wàn) 0
自舉電路在高電壓柵極驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用
根據(jù)電容公式，i=C*du/dt，得知du/dt=i/C，故電容兩端電壓從0升到VDD時(shí)，取決于電流和電容的比值。容值一定時(shí)，電流越大，電壓上升越快；電...
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極(G極)電壓是否可以大于漏極(D極)電壓？
根據(jù)提問(wèn)者的意思，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極（G極）電壓是否可以大于漏極（D極）電壓？為什么？
2023-05-09 標(biāo)簽：三極管場(chǎng)效應(yīng)管柵極 5.9k 0
測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測(cè)量方法
SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：...
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