在高頻電子電路電磁兼容設(shè)計(jì)中需要注意的要點(diǎn)

電磁兼容的問(wèn)題常發(fā)生于高頻狀態(tài)下，個(gè)別問(wèn)題（電壓跌落與瞬時(shí)中斷等）除外。高頻思維，總而言之，就是器件的特性、電路的特性，在高頻情況下和常規(guī)中低頻 狀態(tài)下...

2018-07-13 標(biāo)簽：電磁兼容電容 4.7k 0

盤(pán)點(diǎn)低噪聲增益可選放大器的應(yīng)用

數(shù)據(jù)采集、傳感器信號(hào)調(diào)理以及輸入信號(hào)變化范圍較大的其他應(yīng)用要求采用增益可選放大器。

2018-07-19 標(biāo)簽：放大器電容 4.7k 0

什么是集成電路和數(shù)字電路

集成電路是一種采用特殊工藝，將晶體管、電阻、電容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件，英文縮寫(xiě)為IC。

2023-02-17 標(biāo)簽：集成電路電阻電容 4.7k 0

全波整流和半波整流

全波整流和半波整流 將AC（交流電壓）轉(zhuǎn)換為DC（直流電壓）的整流方式有全波整流和半波整流。兩種情況都利用了二極管的電流正向流通特性來(lái)進(jìn)行整流。 全波整...

2023-05-23 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電容 4.7k 0

電容串聯(lián)分壓計(jì)算方法

很多人會(huì)認(rèn)為會(huì)認(rèn)為電容的串聯(lián)等同于電阻的串聯(lián)比如下面這幅圖。

2023-06-07 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻電流 4.7k 0

電容和電感的磁珠設(shè)計(jì)與區(qū)分及其工作原理分析，無(wú)極性的電容比有極性電容更加實(shí)用嗎？

用好去耦電容。好的高頻去耦電容可以去除高到1GHZ的高頻成份。陶瓷片電容或多層陶瓷電容的高頻特性較好。設(shè)計(jì)印刷線路板時(shí)，每個(gè)集成電路的電源，地之間都要加...

2017-06-02 標(biāo)簽：二極管電阻電容 4.7k 0

PCB板去耦電容的大小選擇與布置

去耦電容在補(bǔ)償集成片或電路板工作電壓跌落時(shí)能起到儲(chǔ)能作用。它可以分成整體的、局部的和板間的三種。整體去耦電容又稱旁路電容，它工作于低頻（《1MHz）范圍...

2023-06-15 標(biāo)簽：電容去耦電容PCB 4.6k 0

適用于三種非對(duì)稱h橋五電平逆變器的調(diào)制策略設(shè)計(jì)

圖1中的非對(duì)稱h橋五電平逆變器已有的調(diào)制策略分別采用特定次諧波消去法［3］和方波-消諧波pwm合成調(diào)制策略［4］，前者在電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合的頻繁寬調(diào)速范圍過(guò)程...

2018-07-16 標(biāo)簽：電容逆變器電平 4.6k 0

MOS管的開(kāi)啟與關(guān)閉

MOS 管的開(kāi)啟與關(guān)閉 要研究這個(gè)自舉的由來(lái)，我們還是先看一下 MOS 的開(kāi)啟與關(guān)閉。從上文得知，我們首先要分別看一下 NMOS 和 PMOS電源拓?fù)渲?..

2023-11-20 標(biāo)簽：電源電流電容 4.6k 0

到底是什么決定了二極管的最高工作頻率？

相信各位硬件工程師，應(yīng)該都用過(guò)二極管吧，這里也許有一個(gè)誤區(qū)，大多數(shù)人可能并不知道，或者說(shuō)是理解有問(wèn)題，下面就來(lái)細(xì)細(xì)說(shuō)一下。 先拋出一個(gè)問(wèn)題： 到底是什么...

2023-12-02 標(biāo)簽：二極管電容阻抗 4.6k 0

高壓功率MOSFET寄生電容的形成

功率MOSFET的輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性，超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場(chǎng)的電荷平衡技術(shù)，如圖1...

2021-05-02 標(biāo)簽：MOSFET電容電壓 4.6k 0