射頻功率放大器在等離子體壓力傳感器中的應(yīng)用

實(shí)驗(yàn)名稱：等離子體壓力傳感器及其在動態(tài)壓力測量中的應(yīng)用研究方向：壓力傳感器測試目的：如何準(zhǔn)確測量高超沖壓發(fā)動機(jī)隔離段和航空發(fā)動機(jī)壓氣機(jī)部件的內(nèi)部流場是提...

2024-07-31 標(biāo)簽：傳感器功率放大器等離子體 1.5k 0

鋁等離子體蝕刻率的限制

隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和A...

2023-06-27 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體等離子體 1.5k 0

等離子體基銅蝕刻工藝及可靠性

近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因?yàn)樗哂械碗娮杪省⒉粫纬尚∏鹨约皩﹄娺w移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法用于制...

2023-11-08 標(biāo)簽：等離子體等離子蝕刻工藝 1.5k 0

利用氨等離子體預(yù)處理進(jìn)行無縫間隙fll工藝的生長抑制

引言 半導(dǎo)體器件的設(shè)計規(guī)則收縮是集成過程中每一步的一個挑戰(zhàn)。在隔離的間隙-fll過程中，使用沉積工藝不能抑制接縫和空隙的形成，甚至具有良好的臺階覆蓋。為...

2024-03-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子體 1.4k 0

硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調(diào)制

在過去的幾年中，MOSFET結(jié)構(gòu)從平面結(jié)構(gòu)改變?yōu)轹捫徒Y(jié)構(gòu)(FinFETs ),這改善了短溝道效應(yīng)，并導(dǎo)致更高的驅(qū)動電流泄漏。然而，隨著柵極長度減小到小于...

2024-01-15 標(biāo)簽：等離子體光纖SiGe 1.2k 0

等離子體清洗技術(shù)的應(yīng)用及其工作機(jī)理

等離子體清洗設(shè)備通常比UV-臭氧設(shè)備體積更大、成本更高且結(jié)構(gòu)更復(fù)雜，其組成部分包括真空泵、幾百瓦功率的射頻發(fā)生器以及高純度氣體（通常為氧氣和氬氣，部分場...

2026-05-06 標(biāo)簽：等離子體封裝清洗 186 0