拼接型短波紅外探測(cè)器的光譜響應(yīng)特性分析

紅外探測(cè)器的光譜響應(yīng)一致性影響高光譜成像儀器的動(dòng)態(tài)范圍，研究高光譜成像用拼接型短波紅外探測(cè)器在同一光譜維的響應(yīng)均勻性對(duì)提高高光譜成像性能有重要意義。

2023-10-22 標(biāo)簽：輸出電壓紅外探測(cè)器濾光片 3.1k 0

nBn結(jié)構(gòu)InAs/GaSb超晶格中/長(zhǎng)雙波段探測(cè)器優(yōu)化設(shè)計(jì)描述

雙波段紅外探測(cè)可對(duì)復(fù)雜的紅外背景進(jìn)行抑制，在軍用目標(biāo)識(shí)別、醫(yī)療診斷和污染監(jiān)測(cè)等方面有重要應(yīng)用價(jià)值。

2023-10-20 標(biāo)簽：仿真器紅外探測(cè)器暗電流 3.1k 0

基于銻化銦紅外焦平面探測(cè)器的微透鏡陣列方案

該微透鏡陣列的制作工藝簡(jiǎn)單，與探測(cè)器制作工藝相兼容。得到的微透鏡陣列的均勻性較好。直接在探測(cè)器背面用銻化銦材料制成，耦合精度高，不存在由于其他材料微透鏡...

2023-10-17 標(biāo)簽：探測(cè)器紅外探測(cè)器光電技術(shù) 1.3k 0

高載流子遷移率膠體量子點(diǎn)紅外探測(cè)器使用

短波紅外和中波紅外波段是兩個(gè)重要的大氣窗口。在該波段范圍內(nèi)，碲化汞膠體量子點(diǎn)表現(xiàn)出良好的光響應(yīng)。

2023-10-16 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管紅外探測(cè)器光譜儀 3.1k 0

基于長(zhǎng)線列紅外焦平面探測(cè)器冷箱組件開(kāi)展焦面熱應(yīng)力變形研究

隨著紅外焦平面探測(cè)器陣列規(guī)模的不斷擴(kuò)大，由多層結(jié)構(gòu)低溫?zé)崾湫巫儗?dǎo)致的杜瓦可靠性問(wèn)題愈發(fā)突出，對(duì)焦面低溫形變的定量化表征需求越來(lái)越迫切。

2023-10-13 標(biāo)簽：CCD仿真器SiC 3.1k 0

基于Ⅱ類(lèi)超晶格的中波紅外帶間級(jí)聯(lián)探測(cè)器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

基于InAs/GaSb Ⅱ類(lèi)超晶格（T2SL），科研人員成功實(shí)現(xiàn)了短波、中波、長(zhǎng)波和甚長(zhǎng)波的紅外探測(cè)。

2023-10-10 標(biāo)簽：紅外探測(cè)器光電探測(cè)器暗電流 3.3k 0

紅外隱身材料的應(yīng)用及其研究進(jìn)展綜述

隨著紅外探測(cè)技術(shù)的飛速發(fā)展，紅外隱身材料的開(kāi)發(fā)已成為一個(gè)迫切的需求。紅外隱身效果受溫度和紅外發(fā)射率的共同影響，但以往的研究大多集中在單一因素上，從而限制...

2023-10-07 標(biāo)簽：PCM紅外探測(cè)器電磁波 4.7k 0

帶間級(jí)聯(lián)紅外探測(cè)器的光電流輸運(yùn)與量子效率研究

基于II類(lèi)超晶格的帶間級(jí)聯(lián)探測(cè)器首次由俄亥俄州立大學(xué)的楊瑞青教授提出，并已成功應(yīng)用于紅外光電探測(cè)中，其工作原理如圖1所示。當(dāng)光照射在器件上，吸收區(qū)中的電...

2023-09-25 標(biāo)簽：探測(cè)器量子紅外探測(cè)器 2.3k 0

世界首款基于事件的短波紅外探測(cè)器

據(jù)SCD稱，Swift-El是世界首款集成基于事件成像功能的短波紅外探測(cè)器，使其成為國(guó)防和工業(yè)領(lǐng)域的“革命性”補(bǔ)充。

2023-09-25 標(biāo)簽：機(jī)器視覺(jué)熱像儀紅外探測(cè)器 1.3k 0

探討碲鎘汞紅外探測(cè)器工藝中注入溫度的影響

本文從離子注入工藝的溫度控制出發(fā)，研究了離子注入工藝中的束流、注入能量、接觸面粗糙度等因素對(duì)溫控的影響，并結(jié)合器件的I-V曲線，探究了碲鎘汞紅外探測(cè)器工...

2023-09-29 標(biāo)簽：芯片探測(cè)器紅外探測(cè)器 4.6k 0

艾睿光電重磅發(fā)布FTⅡS紅外熱成像機(jī)芯

測(cè)溫機(jī)芯覆蓋 384×288 / 640×512 / 1280×1024 紅外分辨率；支持-20℃至+650℃寬測(cè)溫范圍下的±2℃高精度測(cè)溫；可輸出全面...

2023-09-12 標(biāo)簽：紅外探測(cè)器熱成像艾睿光電 1.4k 0

焜騰紅外推出全系列T2SL制冷紅外探測(cè)器

焜騰紅外的技術(shù)研發(fā)路線集中于深耕Ⅱ類(lèi)超晶格制冷紅外探測(cè)器這一新型探測(cè)器技術(shù)路線，研制出并生產(chǎn)覆蓋中長(zhǎng)波的Ⅱ類(lèi)超晶格制冷型紅外探測(cè)器，下一步的研發(fā)方向?qū)?huì)...

2023-09-07 標(biāo)簽：探測(cè)器紅外探測(cè)器中波 1.5k 0

應(yīng)對(duì)無(wú)人機(jī)叨擾，俄羅斯防空系統(tǒng)升級(jí)系統(tǒng)技術(shù)介紹

目標(biāo)飛機(jī)的雷達(dá)反射截面積（RCS）為10平方米。目標(biāo)飛機(jī)上的自衛(wèi)干擾機(jī)發(fā)射功率為10w，敵雷達(dá)方向的天線增益為6dBi。干擾機(jī)有效輻射功率等于發(fā)射功率加...

2023-08-25 標(biāo)簽：天線紅外探測(cè)器無(wú)人機(jī) 3.8k 0

北京理工大學(xué)實(shí)現(xiàn)了光導(dǎo)型向平面光伏型量子點(diǎn)紅外成像芯片的變革

紅外成像技術(shù)有廣泛應(yīng)用，現(xiàn)有的紅外成像芯片主要采用外延生長(zhǎng)方法制備的塊體半導(dǎo)體材料，通過(guò)倒裝鍵合工藝實(shí)現(xiàn)與硅基讀出電路互聯(lián)，其價(jià)格高昂、工藝復(fù)雜，嚴(yán)重制...

2023-08-11 標(biāo)簽：FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管紅外探測(cè)器 1.9k 0

長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色I(xiàn)nAs/GaSb超晶格焦平面探測(cè)器芯片研究

雙色紅外探測(cè)器可以同時(shí)獲取目標(biāo)和環(huán)境在兩個(gè)波段的輻射特征，從而有效抑制復(fù)雜的背景噪聲，實(shí)現(xiàn)不受環(huán)境制約的紅外探測(cè)，提升目標(biāo)的探測(cè)效果，在預(yù)警、搜索和跟蹤...

2023-08-11 標(biāo)簽：紅外探測(cè)器光譜儀AFM 3.9k 0

淺析硫汞族量子點(diǎn)紅外光電探測(cè)技術(shù)

碲鎘汞（HgCdTe）、銻化銦（InSb）和銦鎵砷（InGaSb）等塊體半導(dǎo)體紅外探測(cè)器的優(yōu)異性能使得其在制導(dǎo)、遙感、偵察等軍事及航天領(lǐng)域均發(fā)揮了重要作用。

2023-08-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體耦合器紅外探測(cè)器 3.8k 0

高芯科技發(fā)布超微型紅外機(jī)芯iTL612R Pro

iTL612 Pro升級(jí)版的核芯處理器再次迭代，采用單路4.2V供電情況下，功耗降至0.5W，功耗水平保持在業(yè)內(nèi)同款機(jī)芯前列；新增MIPI接口，高帶寬數(shù)...

2023-08-01 標(biāo)簽：處理器數(shù)據(jù)傳輸紅外探測(cè)器 1.6k 0

使用PID20的紅外探測(cè)器電路圖解說(shuō)明

該紅外探測(cè)器電路使用無(wú)源紅外探測(cè)器組件PID20。它將熱輻射轉(zhuǎn)換為電脈沖。當(dāng)物體靠近PID20時(shí)，PID2的輸出電壓會(huì)增加，該物體必須比周?chē)h(huán)境更溫暖。

2023-07-25 標(biāo)簽：電路分析紅外探測(cè)器紅外探測(cè)電路 1.9k 0

紅外探測(cè)器電路圖解說(shuō)明

該紅外探測(cè)器可用于檢測(cè)其附近是否存在來(lái)自任何電子源的調(diào)制紅外信號(hào)，例如紅外手持遙控器。它還可用于測(cè)試紅外防盜報(bào)警系統(tǒng)。這不是紅外運(yùn)動(dòng)探測(cè)器！

2023-07-24 標(biāo)簽：紅外探測(cè)器探測(cè)電路 5k 0

北京空間機(jī)電研究所探究超長(zhǎng)線列紅外探測(cè)器拼接結(jié)構(gòu)

機(jī)械拼接又稱焦面級(jí)拼接，是指將多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單模塊探測(cè)器通過(guò)拼接形成超長(zhǎng)線列或超大面陣焦平面，并封裝在一個(gè)真空封裝體中，形成一個(gè)完整的組件。根據(jù)拼接時(shí)探測(cè)器的...

2023-07-09 標(biāo)簽：紅外探測(cè)器單模塊芯片級(jí) 3.1k 0