淺談空間光學(xué)系統(tǒng)內(nèi)部的雜散輻射分析

對(duì)于光學(xué)系統(tǒng)的雜光抑制能力，我們可采用點(diǎn)源透過(guò)率(PST)指標(biāo)來(lái)評(píng)價(jià)。PST值越小，則光學(xué)系統(tǒng)的雜光抑制能力就越強(qiáng)，系統(tǒng)性能也越好。PST定義為：光學(xué)系...

2023-11-07 標(biāo)簽：探測(cè)器紅外探測(cè)器光學(xué)系統(tǒng) 2.5k 0

折衍射混合成像光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

摘要 ：討論了衍射光學(xué)元件的特殊成像性質(zhì)；提出了帶寬積分平均衍射效率的概念和應(yīng)用；給出了作者在國(guó)內(nèi)外完成的幾個(gè)折衍射混合成像光學(xué)系統(tǒng)的應(yīng)用實(shí)例，包括一個(gè)...

2023-07-02 標(biāo)簽：紅外探測(cè)器成像系統(tǒng)光學(xué)系統(tǒng) 2.3k 0

帶間級(jí)聯(lián)紅外探測(cè)器的光電流輸運(yùn)與量子效率研究

基于II類(lèi)超晶格的帶間級(jí)聯(lián)探測(cè)器首次由俄亥俄州立大學(xué)的楊瑞青教授提出，并已成功應(yīng)用于紅外光電探測(cè)中，其工作原理如圖1所示。當(dāng)光照射在器件上，吸收區(qū)中的電...

2023-09-25 標(biāo)簽：探測(cè)器量子紅外探測(cè)器 2.3k 0

非均勻GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測(cè)器材料表征和器件性能研究

量子阱紅外探測(cè)器基于子帶躍遷的工作原理，探測(cè)器吸收紅外輻射后激發(fā)量子阱中的電子，使其從基態(tài)躍遷到連續(xù)態(tài)中，從而實(shí)現(xiàn)紅外探測(cè)。

2023-12-18 標(biāo)簽：探測(cè)器紅外探測(cè)器GaAs 2.3k 0

晶格失配對(duì)InAs基室溫中波紅外探測(cè)器性能的影響

與HgCdTe器件相比，InAs基材料在室溫下其載流子遷移率和俄歇復(fù)合系數(shù)均有明顯優(yōu)勢(shì)，并且InAs基器件在勢(shì)壘層材料上有更多的選擇

2023-05-23 標(biāo)簽：紅外探測(cè)器光譜儀XRD 2.3k 0

紅外探測(cè)器像元尺寸詳解

紅外探測(cè)器像元尺寸是紅外熱成像領(lǐng)域中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，它指的是在紅外探測(cè)器芯片焦平面陣列上，每個(gè)像元的實(shí)際物理尺寸，通常以微米（μm）為單位來(lái)進(jìn)行表示，常...

2025-03-31 標(biāo)簽：芯片紅外探測(cè)器 2.2k 0

如何實(shí)現(xiàn)紅外探測(cè)器高精度低溫釬焊引線環(huán)設(shè)計(jì)？

引線環(huán)是制冷型紅外探測(cè)器（以下簡(jiǎn)稱(chēng)探測(cè)器）的電學(xué)接口，用于實(shí)現(xiàn)探測(cè)器與系統(tǒng)的電學(xué)輸入和輸出。傳統(tǒng)引線環(huán)主要由上金屬環(huán)、下金屬環(huán)和陶瓷圓環(huán)三部分構(gòu)成（如圖...

2023-11-30 標(biāo)簽：探測(cè)器紅外探測(cè)器 2.2k 0

基于超構(gòu)材料的紅外和雷達(dá)兼容隱身材料應(yīng)用

紅外隱身材料和雷達(dá)隱身材料在材料吸收率上存在隱身機(jī)理方面的矛盾，這導(dǎo)致通過(guò)單一型傳統(tǒng)材料實(shí)現(xiàn)兩者的兼容難度較大。但是通過(guò)單一型傳統(tǒng)材料實(shí)現(xiàn)紅外和雷達(dá)兼容...

2023-12-02 標(biāo)簽：雷達(dá)紅外探測(cè)器電磁波 2.1k 0

激光導(dǎo)熱儀設(shè)備原理

本文介紹激光導(dǎo)熱儀 微納電子器件和光電器件向著模塊化、集成化、高頻化及小型化的方向不斷邁進(jìn)，使其單位面積上的熱通量急劇增加，溫度的劇增嚴(yán)重影響了器件的可...

2024-12-04 標(biāo)簽：激光紅外探測(cè)器測(cè)量 2k 0

紅外熱成像是什么？它是怎么讓我們“看見(jiàn)熱”的？

在我們的日常生活中，眼睛作為我們感知世界的重要器官，幫助我們觀察世界。但是在可見(jiàn)光之外，還有眼睛無(wú)法觀測(cè)到的不可見(jiàn)光世界。紅外熱成像技術(shù)正是打破這一局限...

2026-01-05 標(biāo)簽：紅外探測(cè)器紅外鏡頭紅外熱成像 2k 0

使用PID20的紅外探測(cè)器電路圖解說(shuō)明

該紅外探測(cè)器電路使用無(wú)源紅外探測(cè)器組件PID20。它將熱輻射轉(zhuǎn)換為電脈沖。當(dāng)物體靠近PID20時(shí)，PID2的輸出電壓會(huì)增加，該物體必須比周?chē)h(huán)境更溫暖。

2023-07-25 標(biāo)簽：電路分析紅外探測(cè)器紅外探測(cè)電路 1.9k 0

基于PIN結(jié)構(gòu)的碲鎘汞線性雪崩焦平面器件技術(shù)

本文通過(guò)單項(xiàng)實(shí)驗(yàn)對(duì)比與分析，選取原生HgCdTe材料，對(duì)其進(jìn)行PIN結(jié)構(gòu)雪崩器件的全過(guò)程工藝模擬，形成大面積的雪崩Ⅰ區(qū)。采用微分霍爾、微分少子壽命等測(cè)試...

2024-03-15 標(biāo)簽：電流紅外探測(cè)器PIN 1.9k 0

紅外焦平面探測(cè)器復(fù)合條件工作點(diǎn)閃元標(biāo)定方法研究

近年來(lái)隨著無(wú)人機(jī)等遠(yuǎn)距目標(biāo)檢測(cè)需求的興起，基于紅外波段的弱小目標(biāo)檢測(cè)技術(shù)因其全天時(shí)、探測(cè)距離遠(yuǎn)、不主動(dòng)發(fā)射電磁波等特點(diǎn)成為了研究熱點(diǎn)。

2024-02-25 標(biāo)簽：紅外探測(cè)器電磁波信號(hào)傳輸 1.9k 0

北京理工大學(xué)實(shí)現(xiàn)了光導(dǎo)型向平面光伏型量子點(diǎn)紅外成像芯片的變革

紅外成像技術(shù)有廣泛應(yīng)用，現(xiàn)有的紅外成像芯片主要采用外延生長(zhǎng)方法制備的塊體半導(dǎo)體材料，通過(guò)倒裝鍵合工藝實(shí)現(xiàn)與硅基讀出電路互聯(lián)，其價(jià)格高昂、工藝復(fù)雜，嚴(yán)重制...

2023-08-11 標(biāo)簽：FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管紅外探測(cè)器 1.9k 0

華盛昌DT-9897H-EX高端工業(yè)智能防爆型紅外熱成像儀產(chǎn)品概述

隨著現(xiàn)代工業(yè)科技的發(fā)展，越來(lái)越多的工業(yè)場(chǎng)地需要用到高效的檢測(cè)工具來(lái)保障現(xiàn)場(chǎng)的安全，防爆紅外熱成像儀正是其中之一。它不僅可以對(duì)物體精準(zhǔn)地進(jìn)行成像，而且能夠...

2024-09-04 標(biāo)簽：紅外探測(cè)器紅外熱像儀華盛昌 1.9k 0

7.5 μm像元間距紅外探測(cè)器三維電極的制備與應(yīng)用案例

隨著各類(lèi)小型化自動(dòng)武器裝備在戰(zhàn)場(chǎng)上被高頻使用，并獲得了大量戰(zhàn)果，此類(lèi)裝備的國(guó)防需求不斷增長(zhǎng)。

2024-02-28 標(biāo)簽：紅外探測(cè)器光刻膠 1.8k 0

非制冷紅外探測(cè)器的敏感材料

紅外熱成像技術(shù)，這個(gè)我們?cè)诳萍夹侣勚薪?jīng)常可以看到的詞匯，它的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，在紅外熱成像技術(shù)的研究和應(yīng)用中，我們不能忽視其中的一個(gè)核心元器件——紅外探...

2024-06-27 標(biāo)簽：元器件材料紅外探測(cè)器 1.8k 0

基于CVD生長(zhǎng)的HfS?/MoS?異質(zhì)結(jié)高性能光電探測(cè)器

這項(xiàng)研究首次提出了一種由層間激子驅(qū)動(dòng)的高性能紅外光電探測(cè)器，該紅外探測(cè)器由化學(xué)氣相沉積（CVD）生長(zhǎng)的范德華異質(zhì)結(jié)所制備。這項(xiàng)研究標(biāo)志著光電器件領(lǐng)域進(jìn)步...

2023-11-13 標(biāo)簽：探測(cè)器光電器件紅外探測(cè)器 1.8k 0