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全球最大的先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商之一——美國(guó)美光科技公司在中國(guó)投資2.5億美元建立的第一個(gè)制造工廠，2007年3月21日在西安高新區(qū)落成，該廠是外商獨(dú)資企業(yè)，是目前陜西省最大的外商投資企業(yè)之一。該廠將主要進(jìn)行美光科技半導(dǎo)體產(chǎn)品的測(cè)試和封裝。

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美光資訊

全球DRAM廠商排名新美光直追三星

全球DRAM廠商新排名根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下研究部門(mén)DRAMeXchange表示，受惠于第二季標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格止跌回升，各DRAM...

2012-08-08 標(biāo)簽：DRAM 三星電子爾必達(dá) 9.9k 0

2012年第二季全球NAND Flash廠營(yíng)收排行榜：三星一家獨(dú)大

2012年第二季在歐債風(fēng)暴延燒未熄及全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇緩慢的影響下，NAND Flash市場(chǎng)的淡季效應(yīng)加劇，需求不如廠商塬先預(yù)期，除了某些平板電腦及智慧型手機(jī)...

2012-08-01 標(biāo)簽：英特爾三星電子海力士 1.5k 0

美光成首家發(fā)布相變儲(chǔ)存芯片的公司

由于2011年DRAM價(jià)格的暴跌和蘋(píng)果前CEO喬布斯的去世導(dǎo)致美光技術(shù)有限公司經(jīng)歷非常艱難的一年。不過(guò)今年，該公司似乎有反彈的跡象。在今年五月，美光公司...

2012-07-19 標(biāo)簽：爾必達(dá)美光 nand閃存 1.2k 0

美光收購(gòu)爾必達(dá)成業(yè)界利好：緩解供過(guò)于求

美國(guó)半導(dǎo)體廠商美光科技周一宣布，將以25億美元收購(gòu)日本芯片制造商爾必達(dá)。

2012-07-05 標(biāo)簽：爾必達(dá)美光 DRAM芯片 1.1k 0

美光25億美元收購(gòu)爾必達(dá) 成第二大DRAM芯片商

美光科技公司 (NASDAQ: MU)周二宣布，已同意以大約600億日元(約合7.50億美元)現(xiàn)金收購(gòu)日本芯片制造商爾必達(dá)存儲(chǔ)公司(Elpida Mem...

2012-07-03 標(biāo)簽：爾必達(dá)美光 DRAM芯片 1.5k 0

美光將以25億美元收購(gòu)爾必達(dá)

據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》（Nikkei）報(bào)道，美國(guó)內(nèi)存片制造商美光科技（Micron Technology Inc.）將以預(yù)估2000億日元（約合25億美元）...

2012-06-30 標(biāo)簽：DRAM 爾必達(dá)美光 929 0

美光：爾必達(dá)債權(quán)人放棄逾3千億債權(quán)

日本媒體時(shí)事通信社6月1日?qǐng)?bào)導(dǎo)，已獲東京地方法院認(rèn)可成為DRAM大廠爾必達(dá)（Elpida）重整援助企業(yè)的美國(guó)美光（MicronTechnology）有意...

2012-06-05 標(biāo)簽：DRAM 爾必達(dá)美光 786 0

日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)擬賦予美光優(yōu)先談判權(quán)

　　據(jù)日本共同社5月7日消息，處于破產(chǎn)程序之中的日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)在參與第二輪競(jìng)標(biāo)的2個(gè)外資陣營(yíng)中，決定賦予美國(guó)半導(dǎo)體巨頭美光（MicronTechn...

2012-05-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體爾必達(dá)美光 731 0

日本媒體稱(chēng)美光或成功競(jìng)購(gòu)爾必達(dá)

　　日本NHK周五報(bào)道稱(chēng)，美光很可能在競(jìng)購(gòu)爾必達(dá)的爭(zhēng)奪中最終勝出。

2012-05-07 標(biāo)簽：爾必達(dá)美光 685 0

DRAM市場(chǎng)：2011第四季度需求不振，美光與海力士表現(xiàn)出色

　　據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場(chǎng)報(bào)告，2011年第四季度DRAM市場(chǎng)需求不振，但美國(guó)美光與韓國(guó)海力士半導(dǎo)體表現(xiàn)突出。

2012-03-15 標(biāo)簽：DRAM 海力士美光 924 0

第四季度DRAM市場(chǎng)動(dòng)態(tài)：美光破魔咒，海力士創(chuàng)最高紀(jì)錄

據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場(chǎng)報(bào)告，2011年第四季度DRAM市場(chǎng)需求不振，但美國(guó)美光與韓國(guó)海力士半導(dǎo)體表現(xiàn)突出。

2012-03-13 標(biāo)簽：DRAM 海力士美光 977 0

英特爾將向美光出售合資NAND閃存廠股份

北京時(shí)間2月29日凌晨消息，英特爾同意與美光科技擴(kuò)大就閃存芯片領(lǐng)域的合資企業(yè)合作，提高雙方關(guān)系的效率和靈活性。根據(jù)雙方達(dá)成的協(xié)議，美光將為英特爾供貨NA...

2012-02-29 標(biāo)簽：英特爾 NAND 美光 449 0

DRAM產(chǎn)業(yè)的劇變：美光合并爾必達(dá)？

據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場(chǎng)研究簡(jiǎn)報(bào)，美國(guó)美光與日本爾必達(dá)如果合并，可能導(dǎo)致DRAM產(chǎn)業(yè)格局發(fā)生劇烈變化。

2012-02-22 標(biāo)簽：DRAM 爾必達(dá)美光 951 0

產(chǎn)業(yè)大事件：美光-爾必達(dá)并購(gòu)案重塑DRAM市場(chǎng)格局

2012-02-16 標(biāo)簽：DRAM 爾必達(dá)美光 1.2k 0

電子發(fā)燒友每日聚焦：醉翁之意，美光為何緊盯爾必達(dá)？

據(jù)觀察分析，著名存儲(chǔ)器廠商美光半導(dǎo)體在上周五（2月10日）的分析師會(huì)議上，依舊沒(méi)為投資或并購(gòu)日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器公司澄清傳言。但是，至少有一位華爾街分析師透...

2012-02-14 標(biāo)簽：爾必達(dá)美光電子發(fā)燒友 1.3k 1

固態(tài)存儲(chǔ)回升美光重金收購(gòu)Virtensys

固態(tài)硬盤(pán)，閃存和隨機(jī)存儲(chǔ)供應(yīng)商美光科技打算收購(gòu)PCIe接口設(shè)備銷(xiāo)售商Virtensys。

2012-02-06 標(biāo)簽：美光固態(tài)存儲(chǔ) 1.3k 0

美光傳斥資150億入股爾必達(dá)

美光(Micron)傳將斥資至少5億美元(約新臺(tái)幣150億元)入股爾必達(dá)(Elpida)，最快2月定案，成為此波DRAM市況不振下，首樁業(yè)界整合案例。美...

2012-02-01 標(biāo)簽：爾必達(dá)美光 710 0

美光提出3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS”或成DDR4基石

美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。

2011-12-18 標(biāo)簽：美光 DDR4 3D內(nèi)存 1.8k 0

美光JEDEC合作制定3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)或成DDR4技術(shù)

2011-12-17 標(biāo)簽：內(nèi)存美光 DDR4 1.3k 0

美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內(nèi)存芯片

近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(Hybrid Memory Cube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。

2011-12-01 標(biāo)簽：美光 3D制程 1k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱(chēng)非易失性?xún)?nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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