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載流子

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載流子技術

可靠性測試中,如何減少HCI和電遷移的測試時間？

許多可靠性“磨損”測試監(jiān)測的是一個性能參數(shù)，該參數(shù)隨著對數(shù)變化的時間長度而穩(wěn)步下降。

2024-03-13 標簽：DRAM NMOS 晶體管 4k 0

鈣鈦礦基近紅外光電探測器綜述

近年來，具有ABX?晶體結構的有機金屬鹵化物鈣鈦礦材料因其可調(diào)帶隙、高吸收系數(shù)、長載流子傳輸距離等光電學特性而在光電探測領域表現(xiàn)出良好應用前景

2024-03-11 標簽：晶體管光信號光電探測器 9.2k 0

肖特基二極管的優(yōu)勢肖特基二極管的應用

二極管在電子電路中的應用是非常廣泛的，作為一種導通電壓降較低、允許高速切換的二極管。

2024-03-08 標簽：電源管理變頻器肖特基二極管 3.2k 0

合科泰推出一款采用SOT-23封裝的P溝道MOS管IRLML6402

PMOS是指N型襯底、P溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管，因為PMOS是N型硅襯底，多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以...

2024-03-01 標簽：led照明穩(wěn)壓器 PMOS 5k 0

紫外發(fā)光二極管的發(fā)光原理紫外發(fā)光二極管的結構

紫外發(fā)光二極管是指可發(fā)出波長約400nm的近紫外光的發(fā)光二極管（led）。

2024-02-26 標簽：半導體發(fā)光二極管 PN結 3.6萬 0

一文詳解雪崩擊穿與齊納擊穿

材料摻雜濃度較低的PN結中，當PN結反向電壓增加時，空間電荷區(qū)中的電場隨著增強。

2024-02-25 標簽：PN結雪崩擊穿載流子 1.0萬 0

紅外焦平面探測器復合條件工作點閃元標定方法研究

近年來隨著無人機等遠距目標檢測需求的興起，基于紅外波段的弱小目標檢測技術因其全天時、探測距離遠、不主動發(fā)射電磁波等特點成為了研究熱點。

2024-02-25 標簽：紅外探測器電磁波信號傳輸 1.9k 0

三極管的工作原理三極管的放大作用

當我們?nèi)龢O管的基極沒有加電壓的時候，發(fā)射區(qū)的電子，因為基極正電場比較弱，而不能流向基極

2024-02-21 標簽：三極管正電壓載流子 2.7k 0

IGBT內(nèi)部結構過熱和過流的區(qū)別

IGBT在結構上類似于MOSFET，其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個 P+基板（IGBT 的集電極），形成P...

2024-02-19 標簽：MOSFET IGBT NPN晶體管 7.5萬 0

什么是雙極性晶體管？雙極型晶體管的放大模式解析

雙極型晶體管，電子工業(yè)的基石，引領著人類科技發(fā)展的重要引擎。

2023-12-28 標簽：二極管半導體晶體管 6.1k 0

MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些？如何區(qū)分是什么原因失效的？

MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件，其主要功能是控制電流的流動。

2023-12-15 標簽：MOSFET 場效應晶體管 EOS 1.3萬 0

講講氣敏電阻的型號命名方法

氣敏電阻是一種根據(jù)氣體濃度變化而改變電阻值的敏感元件。它廣泛應用于各種氣體檢測和控制電路中，如煙霧報警器、煤氣泄漏報警器等。

2023-12-14 標簽：半導體控制電路氣敏電阻 2k 0

熱敏電阻電路的工作過程

熱敏電阻是一種根據(jù)溫度變化而改變電阻值的敏感元件。它廣泛應用于各種溫度測量和控制電路中，如恒溫器、溫度計、電子爐等。

2023-12-14 標簽：半導體熱敏電阻控制電路 5.3k 0

n型半導體和p型半導體在導電機制上有何不同？

n型半導體和p型半導體之間的主要區(qū)別在于它們的載流子類型和濃度。

2023-12-13 標簽：半導體載流子 6.2k 0

n型p型半導體與本征半導體相比有什么特點？

本征半導體：本征半導體主要由價電子和空穴組成。在常溫下，自由電子和空穴的數(shù)量很少，因此它的導電能力比較微弱。另外，本征半導體的載流子濃度與溫度密切相關，...

2023-12-13 標簽：半導體載流子本征半導體 6.2k 0

基于原位摻雜和淺臺面型架構的短波紅外InGaAs光電二極管開發(fā)

隨著安防、汽車、工業(yè)、農(nóng)業(yè)等各個領域需求的不斷增長，短波紅外（SWIR）傳感器的發(fā)展也隨之興起。

2023-12-12 標簽：集成電路 CMOS 光電二極管 2.2k 0

什么是離子注入？離子注入相對于擴散的優(yōu)點？

想要使半導體導電，必須向純凈半導體中引入雜質，而離子注入是一種常用的方法，下面來具體介紹離子注入的概念。

2023-12-11 標簽：led 集成電路芯片制造 8.1k 0

MOS結電容（下）MOS的結電容應用特性分解

我們需要先將結電容與關斷波形聯(lián)系起來。三個結電容的容值是Vds電壓的函數(shù)，同時，電壓Vds的變化（dv/dt）又與結電容相關。

2023-12-05 標簽：二極管 MOS 續(xù)流二極管 8.5k 0

如何利用FIB和SEM中的有源和無源電位襯度進行失效定位呢？

無源電位襯度（Passive Voltage Contrast，PVC）定位基于導電結構的FIB或SEM圖像或多或少的亮度差異，可用于半導體電路的失效定位。

2023-12-01 標簽：電容器探測器 PVC 8.2k 0

IGBT的終端耐壓結構—平面結和柱面結的耐壓差異（2）

下面對電場積分，我們看看隨著增長，即耗盡區(qū)深度的增長，柱面結與平面結所承受電壓分布的差異。

2023-12-01 標簽：IGBT PN結擊穿電壓 2k 0

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征?！叭我狻钡暮瘮?shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對簡單的函數(shù)類，這一想法跟化學上的原子論想法何其相似！
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