IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異（2）

下面對電場積分，我們看看隨著增長，即耗盡區(qū)深度的增長，柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTPN結(jié)擊穿電壓 2k 0

講講氣敏電阻的型號命名方法

氣敏電阻是一種根據(jù)氣體濃度變化而改變電阻值的敏感元件。它廣泛應(yīng)用于各種氣體檢測和控制電路中，如煙霧報警器、煤氣泄漏報警器等。

2023-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體控制電路氣敏電阻 2k 0

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—IV關(guān)系（1）

我們曾在文中反復(fù)提及，電壓是電場的積分，而電場是電荷的積分，所以要得到電壓的關(guān)斷瞬態(tài)，就必須弄清楚電荷的分布以及積分的邊界。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTPN結(jié)電流電壓 1.9k 0

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—IV關(guān)系（2）

上一節(jié)我們建立了基區(qū)寬度與外加電壓隨時間的變化關(guān)系

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTPIN管載流子 1.9k 0

紅外焦平面探測器復(fù)合條件工作點閃元標(biāo)定方法研究

近年來隨著無人機等遠距目標(biāo)檢測需求的興起，基于紅外波段的弱小目標(biāo)檢測技術(shù)因其全天時、探測距離遠、不主動發(fā)射電磁波等特點成為了研究熱點。

2024-02-25 標(biāo)簽：紅外探測器電磁波信號傳輸 1.9k 0

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（3）

在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中，我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2（見上一節(jié)插圖）， 因為PIN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSPN結(jié) 1.8k 0

如何使用雙條結(jié)構(gòu)改進窄脊高功率激光二極管遠場角呢？

在激光器芯片的設(shè)計和應(yīng)用中，遠場角度是一個重要的參數(shù)。它描述了激光器發(fā)出的光束在遠離芯片后，其發(fā)散程度。

2024-05-01 標(biāo)簽：CCD濾波器激光器 1.8k 0

關(guān)于二極管，你了解多少？

二極管是很常見的電子元器件，有兩個極，即陰極和陽極，二極管具有單向?qū)щ娦?，電流只能從陽極流向陰極，電壓反向時二極管截止。

2023-09-11 標(biāo)簽：二極管電源輸出漏電流 1.8k 0

IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)（2）

IGBT中存在如圖所示的兩個寄生BJT，BJT_1為NPN型，BJT_2為PNP型，我們來看看這兩個寄生BJT的電流增益有多大。

2023-11-28 標(biāo)簽：IGBTBJT漏電流 1.8k 0

一個電路感受一下MOS管和三極管在功能上有什么區(qū)別？

MOS管和三極管在功能上有什么區(qū)別？這兩種元件本身就可以看作一個基本單元，一個獨立的器件，就算拆開外殼，用肉眼也找不出什么差別，從工作原理上理解又謷牙詰...

2023-11-13 標(biāo)簽：三極管led燈MOS管 1.8k 0

有機陽離子和金屬摻雜效應(yīng)對二維無鉛基鈣鈦礦光伏性能影響

二維 Ruddlesden-Popper（2D-RP）鈣鈦礦由于其更強的熱穩(wěn)定性和光穩(wěn)定性、高的光致發(fā)光量子產(chǎn)率和長的載流子壽命，在鈣鈦礦太陽能電池（P...

2023-10-22 標(biāo)簽：太陽能電池光電轉(zhuǎn)換載流子 1.7k 0

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲變化趨勢(1)

現(xiàn)在我們把時間變量圖片加入，進行電荷總量圖片的瞬態(tài)分析。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓，IGBT內(nèi)部存儲的電荷開始衰減，衰減過程是因為載流子壽命有限而自然復(fù)合

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT電流突變載流子 1.7k 0

半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性（六）

鍺和硅是兩種基本的半導(dǎo)體。世界上第一個晶體管是由鍺材料制成的，作為固態(tài)電路時代的最初的一個標(biāo)志。

2023-11-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體發(fā)光二極管晶體管 1.7k 0

IGBT中的PIN結(jié)構(gòu)分析（2）

上一章我們講到了載流子濃度與電流的關(guān)系，并且知道了載流子在I區(qū)的濃度分布是非對稱的。

2023-11-28 標(biāo)簽：IGBTPIN載流子 1.7k 0

質(zhì)子調(diào)控醌烯醇轉(zhuǎn)化助力高性能水系鋅電池

羰基氧化還原化學(xué)中C=O與C-O-之間的非均相烯醇化反應(yīng)是廣泛存在于自然界的重要生理過程。該研究揭示了基于有機羰基的水系有機電極材料的廣泛應(yīng)用，其中通過...

2024-05-23 標(biāo)簽：鋅電池電解液載流子 1.6k 0

IGBT的穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布關(guān)系修正

如前所述，修正圖片、 圖片與圖片的關(guān)系關(guān)鍵在于要重新基于BJT結(jié)構(gòu)模型來建立圖片與圖片的關(guān)系。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTPN結(jié)BJT 1.6k 0

二極管及其應(yīng)用

本征半導(dǎo)體中具有兩種載流子，一個是空穴（原子由于失去一個電子形成的空穴，此時原子帶正電荷），另一個是自由電子，自由電子和空軍均參與導(dǎo)電，這是半導(dǎo)體導(dǎo)電的...

2023-03-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體導(dǎo)電載流子 1.6k 0

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（1）

IGBT作為大功率雙極型開關(guān)器件，持續(xù)工作在大注入、低增益的狀態(tài)下，關(guān)斷過程中因為電子電流、空穴電流關(guān)斷不同步

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT電流電壓載流子 1.6k 0

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲初始值

在穩(wěn)態(tài)部分的分析中，我們詳細(xì)地推演了電子電流、空穴電流、總電流以及各電壓構(gòu)成部分與多余載流子濃度分布之間的關(guān)系，即一維空間的物理關(guān)系。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSBJT 1.5k 0

半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性（四）

本征態(tài)的半導(dǎo)體材料在制作固態(tài)器件時是無用的，因為它沒有自由移動的電子或者空穴，所以不能導(dǎo)電。

2023-11-13 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體載流子 1.5k 0