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鎧俠電子（中國）有限公司是鎧俠株式會社在中國的銷售公司，負責其產品在中國市場的銷售和業(yè)務推廣，資材采購支援、客戶技術支持、外包生產技術支持，為廣大客戶提供優(yōu)質服務。

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西部數據與鎧俠是“強強聯手”還是“抱團取暖”

鎧俠公司總裁兼首席執(zhí)行官 Nobuo Hayasaka 表示：“Fab7 是日本最新、技術最先進的半導體制造工廠，對于鎧俠的未來不可或缺?！?/p>

2023-01-12 標簽：NAND 西部數據鎧俠 1.4k 0

西部數據與鎧俠重啟談判，或將實現兩家合并

Western Digital Corp.（西部數據）已重啟與日本Kioxia Holdings Corp.（鎧俠）的談判，該交易可能會使兩家技術存儲供...

2023-01-06 標簽：NAND 存儲器西部數據 702 0

立足優(yōu)勢持續(xù)領先：KIOXIA鎧俠新一代UFS嵌入式閃存器件已批量交貨

KIOXIA鎧俠中國近日宣布，今年其最新發(fā)布的業(yè)界首款支持MIPI M-PHY v5.0的通用閃存Universal Flash Storage (以下...

2022-12-09 標簽：UFS 嵌入式閃存鎧俠 3.7k 0

鎧俠在2022年歐洲計算機視覺會議上展示圖像分類系統(tǒng)，通過大容量存儲器部署Memory-Centric AI技術

存儲器解決方案的全球領導者鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)開發(fā)了一種基于Memory-Centric AI的圖像分類系統(tǒng)。Memor...

2022-11-07 標簽：神經網絡存儲鎧俠 2.7k 0

鎧俠發(fā)布用于超大規(guī)模數據中心的新一代EDSFF E1.S SSD

為了進一步滿足企業(yè)和數據中心應用的特殊要求，鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)今天宣布推出鎧俠XD7P系列數據中心NVMe SSD，鞏...

2022-10-21 標簽：SSD 數據中心鎧俠 2.5k 0

美光和鎧俠掀減產計劃至訊創(chuàng)新CEO看好未來5年存儲市場增長

2022年10月，消費電子市場行情低迷，廠商面臨高庫存壓力，兩家國際存儲大廠掀起了減產計劃，美國美光公司和韓國SK海力士都宣布了減產計劃，美光宣布在 2...

2022-10-17 標簽：存儲美光鎧俠 4.7k 0

鎧俠宣布10月起，兩家工廠閃存芯片的晶圓投入量削減30%

電子發(fā)燒友網報道 2022年9月30日，鎧俠發(fā)布通知表示將對閃存生產進行調整。公司從10月起將其兩家日本工廠（Yokkaichi與Kitakami）用于...

2022-10-08 標簽：閃存芯片鎧俠減產 3.6k 0

鎧俠開發(fā)出業(yè)界首個2TB microSDXC存儲卡工作原型

全球領先的內存解決方案供應商鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)今天發(fā)布了業(yè)界首個[1]?2TB microSDXC內存卡工作原型。憑借...

2022-09-29 標簽：存儲內存存儲卡 1.3k 0

鎧俠推出第二代高性能XL-FLASH?存儲級存儲器

存儲器解決方案的全球領導者鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)今天宣布推出第二代XL-FLASH?。這是一種基于其BiCS FLASH?...

2022-08-03 標簽：FlaSh 存儲器鎧俠 960 0

鎧俠推出PCIe?/NVMe?可移動存儲設備

全球存儲解決方案領導者鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)今天宣布，業(yè)界首款[1]?符合XFM DEVICE Ver.1.0標準的可移動...

2022-06-15 標簽：存儲移動存儲設備鎧俠 2.6k 0

鎧俠擴展PCIe?4.0固態(tài)硬盤產品XG8系列達PCIe Gen4 x4速度

作為進一步強化其全面的PCIe??4.0固態(tài)硬盤(SSD)產品組合的一項舉措，鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)推出鎧俠XG8系列客戶...

2022-04-26 標簽：固態(tài)硬盤鎧俠 6.7k 0

鎧俠閃存新廠開建預計2023年完工

鎧俠（Kioxia）動工興建新廠房、增產3D NAND Flash產品，而鎧俠預估今后NAND Flash需求將以每年30%左右的速度呈現增長，今后必須...

2022-04-08 標簽：閃存鎧俠 7.5k 0

受鎧俠、西數原料污染影響 NAND Flash以5%幅度逐步漲價

　從1月份開始，鎧俠因調查原材料污染及設計問題關閉3D NAND閃存生產線。

2022-04-01 標簽：Nand flash 鎧俠 3.2k 0

TIM攜手華為打造巴西首個5G City Lam推開創(chuàng)性選擇性蝕刻工具套件

在MWC22 巴塞羅那期間，巴西運營商TIM與華為簽署了5G City聯合創(chuàng)新合作備忘錄。通過5G city 樣板項目，推進巴西智慧城市建設。

2022-03-07 標簽：華為晶體管 Tim 1.9k 0

Atmosic推全新藍牙? 5.3 SoC 系列鎧俠推下一代UFS嵌入式閃存設備

物聯網（IoT）能量收集無線平臺的全球領導者Atmosic近日宣布獲得由 Sutter Hill Ventures 牽頭的 7200 萬美元新資金。...

2022-03-07 標簽：嵌入式藍牙 soc 1.4k 0

鎧俠推出首款采用PCIe? 5.0技術設計EDSFF固態(tài)硬盤

全新鎧俠CD7 E3.S系列EDSFF E3.S數據中心SSD針對存儲密度和電源效率進行了優(yōu)化鎧俠株式會社 (Kioxia Corporation)今...

2021-11-11 標簽：硬盤 SSD 固態(tài)硬盤 971 0

又一重磅并購案！西部數據擬200億美元收購鎧俠

頭部玩家收購動作頻繁，近日，產業(yè)鏈消息顯示，全球知名硬盤廠商西部數據正在就收購日本鎧俠控股公司進行深入談判，交易金額可能超過200億美元（約合1300億...

2021-08-30 標簽：西部數據半導體并購案鎧俠 914 0

西部數據看好鎧俠存儲芯片生產規(guī)模謀求長期合作構建競爭優(yōu)勢

據日經中文網報道，西部數據首席執(zhí)行官戴維·戈克勒（David Goeckeler）表示，由于閃存市場持續(xù)增長，這家美國芯片制造商認為日本的鎧俠公司是長期...

2021-05-06 標簽：西部數據 3D Nand 鎧俠 5.9萬 0

鎧俠、西數推162層3D閃存，性能提升66%

在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現在鎧俠、西數也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。

2021-02-20 標簽：閃存西數鎧俠 2.9k 0

鎧俠推出162層3D閃存：產能增加70%、性能提升66%

在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現在鎧俠、西數也加入這一陣營，推出了162層3D閃...

2021-02-19 標簽：產能性能 3D閃存 3.3k 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網絡存儲技術，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數據存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應用技術等內容。
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富士通憑借在ICT領域的豐富經驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關掉后，所存儲的數據不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內的數據是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設計、研發(fā)、生產和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產。DRAM 產品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現實和物聯網等領域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內存主機控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設備邏輯接口的總線傳輸協議規(guī)范（相當于通訊協議中的應用層）
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器里面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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