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標(biāo)簽 > 閃存
閃存(Flash Memory)是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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前幾天,原來(lái)的東芝存儲(chǔ)更名后的鎧俠存儲(chǔ)發(fā)布了13款新品,借著這次機(jī)會(huì),鎧俠也在不經(jīng)意間徹底淘汰了OCZ品牌。
長(zhǎng)江儲(chǔ)存宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品已研發(fā)成功
長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號(hào)為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上...
2020-04-19 標(biāo)簽:閃存長(zhǎng)江儲(chǔ)存 3.7k 0
聯(lián)蕓科技發(fā)布新Agile ECC技術(shù),提升QLC閃充性能和使用壽命
QLC閃存在SSD領(lǐng)域顯得雞肋,不說(shuō)寫入次數(shù)短,讀寫速度也比機(jī)械硬盤高不了多少。雖然價(jià)格便宜,但是QLC閃存的地位卻一直非常尷尬。不過(guò)最近新的Agile...
2020-04-16 標(biāo)簽:閃存ssd聯(lián)蕓科技 4.2k 0
國(guó)產(chǎn)SSD主控廠商成功研發(fā)4K LDPC算法
國(guó)內(nèi)的主控廠商聯(lián)蕓科技日前宣布研發(fā)成功4K LDPC算法,這是國(guó)內(nèi)SSD主控芯片廠商第一次實(shí)現(xiàn)該技術(shù)的連續(xù)突破,將極大地提高QLC閃存的可靠性及使用壽命。
中國(guó)打破閃存芯片技術(shù)瓶頸,成功攻克最先進(jìn)的128層閃存
芯片分為存儲(chǔ)芯片和非存儲(chǔ)芯片,其中存儲(chǔ)芯片的種類很多,按用途可分為主存儲(chǔ)芯片和輔助存儲(chǔ)芯片。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)首推128層QLC閃存,單顆容量可達(dá)1.33Tb
4月13日,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。
2020-04-13 標(biāo)簽:閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.8k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存,滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求
4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC3DNAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)...
2020-04-13 標(biāo)簽:閃存nand長(zhǎng)江存儲(chǔ) 4.4k 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布成功研制128層QLC 3D閃存 將是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND
今日(4月13日),長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布,其128層QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控商場(chǎng)SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 標(biāo)簽:閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.4k 0
NAND閃存從SLC到MLC再到TLC,可以說(shuō)一步步降低了成本,提升了容量,這是它們得以普及的關(guān)鍵?,F(xiàn)在QLC閃存在這一年中發(fā)展迅猛,大有搶TLC風(fēng)頭的...
長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層閃存今年投入技術(shù)研發(fā)和實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
在今年,全球閃存廠商都在集體奔向100+層,例如SK海力士的128層已經(jīng)穩(wěn)定出貨,并計(jì)劃在年底推出196層內(nèi)存,三星、鎂光、西數(shù)、Intel也都已經(jīng)突破...
2020-04-11 標(biāo)簽:閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 4.2k 0
英睿達(dá)新款P2固態(tài)硬盤,250GB讀取速度可達(dá)2100M/s
在第一款QCL M.2 SSD發(fā)布兩年之后,近期Crucial(英睿達(dá))又在歐洲上架了新款P2固態(tài)硬盤。P2固態(tài)硬盤同樣采用了鎂光自家的QCL閃存顆粒打...
都是存儲(chǔ)器,RAM、ROM、閃存、硬盤如何區(qū)分
如果光看"存儲(chǔ)器"這個(gè)名字的話,可能很多人會(huì)把它們都當(dāng)作U盤、存儲(chǔ)卡、硬盤等永久存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的器件,其實(shí)這是片面的。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布將跳過(guò)96層堆疊閃存技術(shù)直接投入128層閃存研發(fā)和量產(chǎn)
今年初,長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔曾公開表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)如今業(yè)界常見的96層堆疊閃存技術(shù),直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 標(biāo)簽:閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.4k 0
SK海力士發(fā)布首款PCIe 4.0 SSD,容量和性能超一流
PE8010、PE8030都配備了SK海力士自產(chǎn)的96層堆疊4D TLC NAND閃存顆粒,搭配自研主控,最大容量8TB,兼容U.2、U.3接口,其中P...
瑞薩電子推出全新32位RX72N和RX66N MCU,可提供高達(dá)4MB片上閃存
全新RX72N和RX66N提供高達(dá)4MB片上閃存,可達(dá)到業(yè)界最高的120MHz讀取頻率,同時(shí)具備1MB的片上SRAM。
NAND Flash實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新,即將跨入128層時(shí)代
日前,美光發(fā)布第二季度財(cái)報(bào),其在電話會(huì)議中美光透露,即將開始批量生產(chǎn)其基于公司新的RG(replacement gate)架構(gòu)的第四代3D NAND存儲(chǔ)設(shè)備。
這家韓國(guó)科技巨頭是全球最大的內(nèi)存芯片制造商,另外其Galaxy智能手機(jī)是蘋果公司產(chǎn)品的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。同時(shí)還生產(chǎn)家用電器和顯示器的三星公司將會(huì)在本周二發(fā)布...
QLC閃存至少發(fā)展四代產(chǎn)品?售價(jià)無(wú)法完全理想化
閃存顆粒主要有SLC、MLC和TLC、QLC四種閃存顆粒,至于更新一代的PLC閃存目前尚無(wú)定論。日本PCWatch網(wǎng)站分析NADN閃存的發(fā)展趨勢(shì),指出Q...
兆易創(chuàng)新推進(jìn)24nm閃存研發(fā) NOR閃存出貨超100億顆
在NAND閃存市場(chǎng),三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠商的空間并不多。國(guó)內(nèi)公司中,兆易創(chuàng)新表示能...
兆易創(chuàng)新NOR閃存累計(jì)出貨量超過(guò)100億顆 將推動(dòng)研發(fā)24nm工藝NAND技術(shù)
在NAND閃存市場(chǎng),三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠商的空間并不多。國(guó)內(nèi)公司中,兆易創(chuàng)新表示能...
2020-04-02 標(biāo)簽:閃存NAND兆易創(chuàng)新 3.5k 0
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