DRAM與NAND閃存等未來五年最看俏

內(nèi)存市場(chǎng)日益擴(kuò)大，研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報(bào)告預(yù)測(cè)，DRAM 與 NAND 閃存等，未來 5 年年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）可達(dá) 7.3%，...

2017-01-10 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 896 0

閃存什么時(shí)候打敗磁盤 看三星SSD經(jīng)理怎么說

存儲(chǔ)介質(zhì)革命是當(dāng)今“雙輪驅(qū)動(dòng)”存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新源泉之一，未來是閃存的時(shí)代，3D NAND被寄予厚望，投資240億美元的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目日前也在武漢動(dòng)工，無...

2017-01-09 標(biāo)簽：閃存三星電子硬盤 841 0

從臺(tái)灣出發(fā)到躋身 IBM、Dell、HPE 之列，Synology 如何以軟件定義公司價(jià)值？

美國(guó)權(quán)威 IT 媒體《TechTarget》每年發(fā)布的 IT 產(chǎn)品排名，是企業(yè)相當(dāng)關(guān)注的焦點(diǎn)，今年有個(gè)足以讓臺(tái)灣人驕傲的成績(jī)是，Synology 這間從...

2016-12-29 標(biāo)簽：閃存路由器 1.4k 0

瑞薩電子成功開發(fā)出全球首款鰭狀MONOS閃存單元 用于16/14納米及以上片上閃存的微控制器

2016年12月7日，日本東京訊——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723)今日宣布成功開發(fā)出全球首款(注1)分離閘金屬氧化氮...

2016-12-19 標(biāo)簽：閃存晶體管瑞薩電子 1.1k 0

Microchip 32位PIC32MZ EF單片機(jī)系列喜添新成員 部分器件可支持?jǐn)U展級(jí)溫度范圍

PIC32MZ EF系列是Microchip首個(gè)符合汽車電子委員會(huì)制定的AEC-Q100一級(jí)（-40至125°C）規(guī)范的PIC32 MCU產(chǎn)品系列

2016-11-24 標(biāo)簽：單片機(jī)閃存Microchip 1.4k 0

東芝15nm高速eMMC閃存速度飆升140%！快到報(bào)警！

新的“Supreme +”e-MMC（JEDEC版本5.1）與原來的NAND閃存解決方案相比，e-MMC和UFS將NAND閃存和控制器芯片集成在單個(gè)封裝...

2016-10-27 標(biāo)簽：東芝閃存emmc 2k 0

NAND Flash綜合價(jià)格指數(shù)將再次上漲6%

市場(chǎng)主流的eMMC/eMCP和SSD產(chǎn)品，本周（6月7日）eMMC/eMCP價(jià)格維持平穩(wěn)走勢(shì)，240GB/480GB TLC SSD價(jià)格有所下滑。

2016-06-11 標(biāo)簽：閃存NAND半導(dǎo)體芯片 1k 0

存儲(chǔ)器行業(yè)2016年發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)

對(duì)未來的存儲(chǔ)市場(chǎng)做精準(zhǔn)的預(yù)測(cè)是很難的，但現(xiàn)在我依然要做這件事情。首先，我將先回顧我過去的預(yù)測(cè)，你看過我過去的預(yù)測(cè)之后你才會(huì)相信我。

2016-06-11 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)器服務(wù)器 1.8k 0

東芝計(jì)劃投資3600億日元建設(shè)3D閃存新廠房

東芝近日公布聚焦能源、社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施、半導(dǎo)體存儲(chǔ)業(yè)務(wù)領(lǐng)域，擴(kuò)大在存儲(chǔ)業(yè)務(wù)上的投資。為擴(kuò)大3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產(chǎn)，東芝在毗鄰日本四日市...

2016-04-06 標(biāo)簽：智能手機(jī)東芝閃存 597 0

東芝確定半導(dǎo)體重組計(jì)劃:保留閃存其他全賣

12月底，日本媒體即報(bào)道，東芝將會(huì)對(duì)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)進(jìn)行分拆等重組計(jì)劃。詳細(xì)計(jì)劃近日終于出臺(tái)。

2016-01-24 標(biāo)簽：東芝半導(dǎo)體閃存 1.1k 0

東芝將投資超5000億日元新建半導(dǎo)體工廠 并與閃迪合作

　據(jù)《朝日新聞》報(bào)道，東芝近日宣布將在位于三重縣四日市市的半導(dǎo)體工廠新建廠房，并與美國(guó)半導(dǎo)體著名品牌閃迪（SanDisk）開展合作，投資金額超過5000億日元。

2016-01-15 標(biāo)簽：東芝閃存Sandisk 1.7k 0

閃存革命：打開新世界的大門

你可能已經(jīng)聽說了三星16 TB硬盤的新聞了，它是迄今為止世界上最大的硬盤。16 TB這個(gè)數(shù)字令人瞠目結(jié)舌，讓人一下子難以回過神來，它是一個(gè)非常大的飛躍。

2015-08-24 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)SSD 1.1k 0

東芝發(fā)布新一代BiCS FLASH全球首款256Gb、48層堆疊閃存

　東芝推出全球首款注148層3D堆疊式結(jié)構(gòu)閃存注2，該閃存容量達(dá)到256Gb（32GB），同時(shí)采用了行業(yè)領(lǐng)先的三階存儲(chǔ)單元（TLC）技術(shù)。這款全新閃存適...

2015-08-19 標(biāo)簽：東芝閃存固態(tài)硬盤 1.8k 0

iPhone 7閃存技術(shù)升級(jí)？提升速度與容量

盡管蘋果下一代iPhone 6s和iPhone 6s Plus還未正式發(fā)布，但是關(guān)于這兩款新機(jī)的傳聞卻不斷的傳出。iPhone 7閃存技術(shù)升級(jí)?提升速度與容量。

2015-08-08 標(biāo)簽：閃存 1.5k 1

新型內(nèi)存技術(shù)3D XPoint 改寫服務(wù)器存儲(chǔ)格局

英特爾與美光科日前發(fā)表新型非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)──3D XPoint，該種內(nèi)存號(hào)稱是自1988年NAND閃存芯片推出以來的首個(gè)新內(nèi)存類別，能徹底改造任何設(shè)備...

2015-07-31 標(biāo)簽：閃存固態(tài)硬盤3D XPoint 2.1k 0

全方位詳解——玩轉(zhuǎn)德州儀器（TI）全新MSP432 MCU

德州儀器（TI）的MSP430產(chǎn)品系列可謂是低功耗MCU的經(jīng)典之作，然而TI近期推出的MSP432 MCU更是引起了業(yè)界的諸多關(guān)注。這款全新的產(chǎn)品將TI...

2015-06-11 標(biāo)簽：MCU閃存TI 6.2k 0

美光科技推出專為消費(fèi)類應(yīng)用設(shè)計(jì)的新型閃存

新型高容量TLC NAND提供高效、高性能存儲(chǔ)

2015-06-04 標(biāo)簽：閃存TLC 1.1k 0

旺宏與Spansion的全球?qū)＠V訟與爭(zhēng)議已達(dá)成和解

全球非揮發(fā)性閃存領(lǐng)導(dǎo)廠商旺宏電子（TSE： 2337） 與Spansion公司 （NYSE：CODE） 近日宣布，雙方就全球的專利訴訟及爭(zhēng)議已達(dá)成和解。

2015-01-28 標(biāo)簽：閃存Spansion旺宏 1.5k 0

Silicon Motion SSD控制器促進(jìn)TLC閃存芯片增長(zhǎng)

隨著三級(jí)單元（簡(jiǎn)稱TLC）NAND普及程度的穩(wěn)步提高，Silicon Motion公司正積極圖謀利用其于本周閃存存儲(chǔ)峰會(huì)上發(fā)布的最新SSD控制器進(jìn)一步加...

2014-08-13 標(biāo)簽：閃存TLCSSD控制器 1.7k 0

閃迪與艾睿電子在全球聯(lián)合推廣商用閃存存儲(chǔ)解決方案

閃迪與艾睿電子簽署擴(kuò)展分銷協(xié)議，增加業(yè)務(wù)覆蓋地區(qū)并將更廣泛的，同時(shí)也將閃迪存儲(chǔ)解決方案產(chǎn)品組合推向移動(dòng)和工業(yè)領(lǐng)域。雙方通過拓展合作關(guān)系滿足全球不斷增長(zhǎng)的...

2014-05-09 標(biāo)簽：閃存SanDisk艾睿電子 1.6k 0