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閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。

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閾值電壓技術

聊一聊關于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串擾問題

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2023-08-27 標簽：二極管 IGBT SiC 6.4k 0

探究BSIM4模型

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2023-05-24 標簽：射頻電路輸出電容閾值電壓 6.3k 0

滯回比較器的閾值電壓如何確定?

滯回比較器（Hysteresis Comparator），也稱為施密特觸發(fā)器（Schmitt Trigger）或遲滯比較器，是一種具有特殊功能的比較器電...

2024-07-30 標簽：施密特觸發(fā)器輸入信號閾值電壓 6.2k 0

IGBT中的MOS器件電壓、電流與閾值電壓之間的關系

分析完閾值電壓的機制后，下面我們重點分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關系。

2023-11-29 標簽：IGBT MOS 閾值電壓 5.6k 0

講講MOS管的選型參數

選取9個重要的參數，包括閾值電壓、工作電壓、工作電流、開啟關閉速度等。

2023-10-08 標簽：MOS管漏電流 PWM波 5.3k 0

合科泰推出一款采用SOT-23封裝的P溝道MOS管IRLML6402

PMOS是指N型襯底、P溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管，因為PMOS是N型硅襯底，多數載流子是電子，少數載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以...

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IGBT中的MOS結構—閾值電壓（下）

上一節(jié)我們討論了柵極與半導體材料之間的功函數差，本節(jié)我們討論絕緣層電荷的影響。

2023-11-29 標簽：多晶硅半導體 IGBT 4.9k 0

晶體三極管的伏安特性曲線

我們就以共射極電路為例來為大家分享，因為三極管有三個極，一個特性曲線是描述不全的，所以小編從“輸入特性”和“輸出特性”來和大家講解。

2023-09-15 標簽：三極管控制器晶體三極管 4.8k 0

時序分析基本概念介紹<Operating Condition>

今天我們要介紹的時序分析概念是 **Operating Condition** 。也就是我們經常說的PVT環(huán)境，分別代表fabrication proc...

2023-07-04 標簽：時序分析閾值電壓時序分析器 4.8k 0

通過電路符號認知N溝道和P溝道MOSFET的工作原理

硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET

2023-11-21 標簽：MOSFET 閾值電壓 4.8k 0

滯回比較器的閾值電壓是什么

滯回比較器（Hysteresis Comparator）是一種具有特殊滯回特性的比較器，其輸出在輸入電壓變化時展現出一種滯后現象。這種特性使得滯回比較器...

2024-07-30 標簽：輸入電壓閾值電壓滯回比較器 4.7k 0

碳化硅的閾值電壓穩(wěn)定性

碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩(wěn)定性相對Si材料來講，是比較差的，對應用端的影響也很大。

2023-05-30 標簽：MOSFET 逆變器 SiC 4.5k 0

IGBT中的MOS結構—輸入電容（上）

MOS是金屬氧化物半導體結構，氧化物是絕緣層，有絕緣層即意味著存在電容。

2023-11-29 標簽：半導體 IGBT MOS 4.1k 0

電源防反接電路設計方案分享！

在實際應用中，G極一般串聯一個電阻，防止MOS管被擊穿，也可以加上穩(wěn)壓二極管，并聯在分壓電阻上的電容，有一個軟啟動的作用。

2024-04-22 標簽：MOSFET 穩(wěn)壓二極管 MOS管 4.1k 0

IGBT中的MOS結構—抗輻照特性介紹

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2023-11-30 標簽：IGBT MOS器件閾值電壓 4k 0

分享一種單片機IO口測量外部電阻的方法

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滯回比較器（Hysteresis Comparator）是一種具有滯回特性的比較器，其輸出在輸入電壓變化時具有滯后現象。滯回比較器廣泛應用于模擬電路、數...

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同向滯回比較器是一種常用的模擬電路，其主要功能是將輸入信號與參考電壓進行比較，并根據比較結果輸出高電平或低電平。同向滯回比較器具有滯回特性，即在輸入信號...

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2023-11-08 標簽：led燈外部中斷歐姆電阻 3.2k 0

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