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標(biāo)簽 > 靜電保護(hù)
為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電的泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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LED是光電半導(dǎo)體器件,在裝配過(guò)程中容易被靜電擊傷。這就需要在裝配過(guò)程中進(jìn)行靜電防護(hù)。
本文介紹了手機(jī)靜電放電測(cè)試的要求和方法, 總結(jié)分析了手機(jī)靜電放電抗擾度試驗(yàn)的主要失效現(xiàn)象和模式, 可供手機(jī)靜電放電抗擾度試驗(yàn)及提高手機(jī)抗靜電能力設(shè)計(jì)時(shí)參考。
電阻率是靜電能否積聚的條件。物質(zhì)的介電常數(shù)是決定靜電電容的主要因素,它與物質(zhì)的電阻率同樣密切影響著靜電產(chǎn)生的結(jié)果,通常采用相對(duì)介電常{TodayHot}...
敦南科技開(kāi)發(fā)出ESD靜電保護(hù)組件L06ESDU5V0CE2
敦南科技(LiteOn Semiconductor Corp) 研發(fā)團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出0.3pF ESD靜電保護(hù)組件——L06ESDU5V0CE2
我們?cè)S多工程師非常喜歡使用BAV99做靜電保護(hù)應(yīng)用,認(rèn)為BAV99能完全靜電問(wèn)題,其實(shí)這種想法是錯(cuò)誤的,正如我們所知,BAV99是一個(gè)二極管,它不具備T...
硅ESD(SESD)保護(hù)器件可以防止電路因靜電放電(ESD)事件而受損。0201規(guī)格SESD器件的尺寸極小(0.6mm x 0.3mm x 0.3mm)...
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