IGBT內部結構過熱和過流的區(qū)別

IGBT在結構上類似于MOSFET，其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個 P+基板（IGBT 的集電極），形成P...

2024-02-19 標簽：MOSFETIGBTNPN晶體管 7.5萬 0

IGBT典型過流保護電路設計分享

所謂集中過電流保護，就是檢測逆變橋輸入直流母線上的電流，當該電流值超過設定的閾值時，封鎖所有橋臂IGBT的驅動信號。

2024-02-23 標簽：IGBT光電耦合器過流保護電路 6.3萬 0

橋式可逆pwm變換器電路分析

它們之間的關系是: Ug1≠Ug4=_Ug2=-Ug3。 在個開關周期內，當0≤tston時， Uab= Us，電樞電流id沿回路1流通:當ton≤t...

2018-08-20 標簽：脈沖驅動電壓可逆PWM變換器 1.7萬 0

一個神奇的振蕩升壓電路—焦耳小偷電路概述

焦耳小偷（Joule Thief）可以榨干一顆電池的能量，即使是平常所謂“用光了”的舊電池，通過它也能繼續(xù)發(fā)揮“余熱”。所以將其形象地比喻為電能量“焦耳...

2023-09-07 標簽：三極管升壓電路振蕩器 1.6萬 3

LED 常見的規(guī)格全方面介紹分析

LED 常見的規(guī)格有哪些 ？ 彩色 LED光色波長 Wave Length 波峰長（Peak Wavelength） ： 頻譜中輻射能量最強的波長， λ...

2020-12-18 標簽：led光強度驅動電流 1.4萬 0

關于MOS管功率選型分析

在電源電路應用中，往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標稱漏...

2019-06-18 標簽：MOS管電源電路驅動電壓 1.3萬 0

Buck電路中的自舉電容如何取值？計算依據是什么？

在電子電路中，具有動態(tài)特性的器件往往是我們難以理解和掌握的，典型的動態(tài)特性器件如電感和電容

2023-11-21 標簽：MOSFET隔離電源buck電路 1.2萬 0

SiC MOSFET驅動電壓尖峰的抑制方法簡析（下）

高頻、高速開關是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一，這能讓系統(tǒng)效率顯著提升，但也會在寄生電感和電容上產生更大的振蕩，從而在驅動電壓上產生更大的尖峰。

2023-12-20 標簽：MOSFET電磁干擾SiC 1.0萬 2

SiC MOSFET驅動電壓尖峰與抑制方法分析（上）

高頻、高速開關是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一，這能顯著提升系統(tǒng)效率，但也會在寄生電感和電容上產生更大的振蕩，從而讓驅動電壓產生更大的尖峰。

2023-12-18 標簽：MOSFETemc電磁干擾 8.1k 1

MOS管的基本結構 MOS管的二級效應

本章首先介紹了MOS管的基本結構并推導了其I/V特性，并闡述MOS管的二級效應，如體效應、溝道長度調制效應和亞閾值傳導等，之后介紹了MOS管的寄生電容，...

2023-10-02 標簽：MOS管寄生電容CMOS集成電路 8.1k 0

IGBT模塊的門極驅動介紹

額定門極驅動電壓：門極驅動電壓在±20V范圍內施加超過此范圍的電壓時，門極-發(fā)射極間的氧化膜（SiO2）有可能發(fā)生絕緣破壞或導致可靠性下降。

2024-01-05 標簽：電源電壓IGBT模塊驅動電流 6k 0

步進電機振動的測量方法

振動的測量不同于噪音測量所示的規(guī)格，振動測量方法及振動計有很多種。振動傳感器包括位移計、速度針、加速度計等，其中與速度成比例的電動型以及與加速度成比例的...

2019-12-11 標簽：脈沖步進電機驅動電壓 5.8k 0

步進電機失步的原因和解決辦法

轉子的加速度慢于步進電動機的旋轉磁場 解釋： 轉子的加速度慢于步進電動機的旋轉磁場，即低于換相速度時，步進電動機會產生失步。這是因為輸入電動機的電能...

2023-10-20 標簽：電動機步進電機步進電動機 5.6k 0

什么是負載開關IC？使用負載開關IC的優(yōu)點 負載開關IC的便捷功能

負載開關IC是以串聯方式插入電源與負載電路或IC之間的一個半導體開關。

2024-02-17 標簽：電源管理電池充電器負載開關 5.2k 1

差分線是如何去定義的呢

差分線本身沒有什么特別，決定它們特性的是這兩條傳輸線上的信號傳輸方式。差分線除了傳輸差分信號，還有共模信號，前一種是大小相等方向相反的驅動電壓，后一種是...

2022-08-16 標簽：lvds差分阻抗共模信號 5.1k 0