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2026-04-28 標簽：安森美 SiC模塊功率解決方案 118 0

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2025-01-02 標簽：封裝 SiC模塊 2.1k 0

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在因為功率器件相關原因所引起電子系統(tǒng)失效的原因中，有超過50%是因為溫度過高導致的熱失效。結溫過高會導致電子系統(tǒng)性能降低、可靠性降低、壽命降低、引發(fā)器件...

2024-07-05 標簽：半導體封裝功率模塊 1.1萬 0

一文詳解雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

2024-03-08 標簽：IGBT 功率模塊碳化硅 3.7k 0

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碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-2000V-3300V，電流1A-200A（碳化硅MOS、模塊、晶圓裸die）

標簽：OBC SiC模塊碳化硅MOSFET 17421 33

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2026年SiC模塊清洗方案選購攻略：技術演進與市場洗牌下的理性抉擇

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2026-05-07 標簽：SiC模塊 721 0

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2026-04-24 標簽：負載管理 SST SiC模塊 262 0

中央空調變頻器中SiC模塊應用及其靜音級（20kHz+）控制與高頻EMI治理

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2026-04-19 標簽：變頻器 SiC模塊 94 0

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