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標(biāo)簽 > emi

emi

emi

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EMI是指電子產(chǎn)品工作會(huì)對(duì)周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾,與此關(guān)聯(lián)的還有EMC規(guī)范。是電子電器產(chǎn)品經(jīng)常遇上的問題。干擾種類有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。

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emi技術(shù)

TPS92692-Q1 高精度 LED 控制器,具有擴(kuò)頻調(diào)頻和內(nèi)部 PWM 發(fā)生器技術(shù)手冊(cè)

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TPS92692 和 TPS92692-Q1 是基于高精度峰值電流模式的控制器,旨在支持升壓/降壓 LED 驅(qū)動(dòng)器拓?fù)?。該器件集成了一個(gè)軌到軌電流放大器...

2025-08-26 標(biāo)簽:led控制器emi 1.1k 0

PCB技術(shù)指南之反射信號(hào)

信號(hào)延時(shí)和時(shí)序錯(cuò)誤表現(xiàn)為:信號(hào)在邏輯電平的高與低門限之間變化時(shí)保持一段時(shí)間信號(hào)不跳變。過多的信號(hào)延時(shí)可能導(dǎo)致時(shí)序錯(cuò)誤和器件功能的混亂。

2024-01-10 標(biāo)簽:emi信號(hào)邏輯電平 1.1k 0

FFC排線的降嗓、EMI技術(shù)特性與耳機(jī)適配性分析

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隨著消費(fèi)電子設(shè)備向小型化、高性能化發(fā)展,耳機(jī)作為高頻使用的便攜式設(shè)備,對(duì)內(nèi)部連接組件的靈活性、耐用性及信號(hào)傳輸質(zhì)量提出了更高要求。本文以雙品電子FFC(...

2025-05-19 標(biāo)簽:emi耳機(jī)FFC 1.1k 0

輕松完成EMI/RFI屏蔽的一個(gè)途徑

電子設(shè)備制造商通常會(huì)采用電磁干擾(EMI) 和射頻干擾(RFI)屏蔽措施保護(hù)敏感的數(shù)字電路免受外部幅射,同時(shí)也限制自身產(chǎn)品發(fā)出的潛在有害幅射。

2016-12-22 標(biāo)簽:EMI電磁干擾 1.1k 0

LP8865Y-Q1 汽車用 65V 2A 降壓-升壓 LED 驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

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LP8865-Q1 系列是一款非同步多拓?fù)浣鉀Q方案,具有 4.5V 至 65V 寬輸入范圍。通過集成低側(cè)NMOS開關(guān),該器件能夠驅(qū)動(dòng)高功率密度和高效率的...

2025-08-21 標(biāo)簽:ledemiNMOS 1.1k 0

LMR60440-Q1 36V、4A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,具有低 Iq 和高效率數(shù)據(jù)手冊(cè)

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LMR60440-Q1 是一款 3V 至 36V(42V 瞬態(tài))、4A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,專為汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。LMR60440-Q1 采用超緊湊的 2.5...

2025-05-28 標(biāo)簽:分壓器emi輸出電壓 1.1k 0

基于DSP的電動(dòng)機(jī)電磁兼容設(shè)計(jì)

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在詳細(xì)介紹了電磁干擾理論知識(shí)的基礎(chǔ)上,對(duì)無刷直流電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)的電磁兼容性軟硬件設(shè)計(jì)進(jìn)行了分析,電磁兼容性設(shè)計(jì)有利于提高無刷直流電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)的抗干擾能...

2017-02-09 標(biāo)簽:DSPEMI 1.1k 0

LMR36503E-Q1 汽車級(jí) 3V 至 65V 0.3A 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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LMR36503E-Q1 是一款 65V、0.3A 同步降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,采用 2mm × 2mm HotRod 封裝。這款易于使用的轉(zhuǎn)換器可以...

2025-05-30 標(biāo)簽:emi封裝DC-DC 1.1k 0

UCC25800-Q1超低EMI變壓器驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

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Texas Instruments UCC25800-Q1超低EMI變壓器驅(qū)動(dòng)器集成了開關(guān)功率級(jí)、控制和保護(hù)電路,可簡化隔離式偏置電源設(shè)計(jì)。它支持設(shè)計(jì)采...

2025-09-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器emi變壓器 1.1k 0

共振才是EMI問題的最大本質(zhì)

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共振可以說是一種宇宙間最普遍和最頻繁的自然現(xiàn)象之一,在某種程度上甚至可以說共振就沒有世界。

2023-06-25 標(biāo)簽:電容器濾波器電感器 1.1k 0

layout與PCB的29個(gè)基本關(guān)系你知道嘛

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盡量減小大 di/dt 回路面積,減小大 dv/dt 信號(hào)線長度(或面積,寬度也不宜太寬,走線面積增大使分布電容增大,一般的做法是:走線的寬度盡量大,但...

2024-01-17 標(biāo)簽:濾波器emi高速數(shù)字 1.1k 0

?LP8865-Q1系列汽車多拓?fù)銵ED驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

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2025-08-21 標(biāo)簽:emiNMOSled驅(qū)動(dòng)器 1.1k 0

?LP5891-Q1 汽車級(jí)LED矩陣驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

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LP5891-Q1 是一款高度集成的共陰極 LED 矩陣驅(qū)動(dòng)器,具有 48 個(gè)恒流源和 16 個(gè)掃描 FET。LP5891-Q1 實(shí)現(xiàn)高速上升沿傳輸接口...

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EMI實(shí)際應(yīng)用解決方案的學(xué)習(xí)

EMI在硬件測(cè)試中一直是一個(gè)頗為難解的問題,有時(shí)會(huì)因?yàn)樨?fù)載接線長度和布線等問題變得更為棘手。

2022-11-18 標(biāo)簽:emi電流源 1.1k 0

高頻晶振的信號(hào)完整性挑戰(zhàn):如何抑制EMI與串?dāng)_

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在高速數(shù)字電路和射頻系統(tǒng)中,高頻晶振作為關(guān)鍵的頻率源,其信號(hào)完整性直接影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,晶振的工作頻率不斷提高,電磁干擾(EM...

2025-05-22 標(biāo)簽:emi晶振信號(hào)完整性 1.1k 0

TPSM365R6 3V 至 65V 輸入、1V 至 13V 輸出、0.6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器電源模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)

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TPSM365R6 或 TPSM365R3 是一款 600mA 或 300mA、65V 輸入同步降壓直流/直流電源模塊,它將功率 MOSFET、集成電感...

2025-04-18 標(biāo)簽:電容器電感器emi 1.1k 0

MPS非隔離型變換器電磁干擾(EMI)的分析與建模方法

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對(duì)于工程師朋友們來說,EMI問題往往有很多的不確定性,有可能設(shè)計(jì)到了最后的階段,EMI反而難以滿足需求。

2023-04-20 標(biāo)簽:噪聲emi變換器 1.1k 0

頻率擴(kuò)頻設(shè)計(jì)的關(guān)鍵參數(shù)

在電源管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,頻率擴(kuò)頻技術(shù)(Frequency SpreadSpectrum, FSS)是優(yōu)化電磁兼容性(EMI)的關(guān)鍵手段。通過在開關(guān)頻率中...

2025-04-16 標(biāo)簽:emi變換器頻率 1.1k 0

如何控制使用長輸出線時(shí)的傳導(dǎo)EMI(中)

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本文為分析并改善長線負(fù)載下過高傳導(dǎo)EMI問題系列文章之中篇。上篇回顧了共模 (CM) EMI 模型,并考慮了電場耦合和磁場耦合的影響;中篇將利用一系列公...

2023-08-02 標(biāo)簽:電流emi傳輸線 1.1k 0

TPSF12C3獨(dú)立式三相交流電源系統(tǒng)共模噪聲抑制有源EMI濾波器技術(shù)解析

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Texas Instruments TPSF12C3/TPSF12C3-Q1 獨(dú)立的 有源濾波器 IC是為了減少三相交流 共模(CM)電磁干擾(EMI)...

2025-08-22 標(biāo)簽:emi電磁干擾有源濾波器 1.1k 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    ESP8266
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  • TMS320F28335
    TMS320F28335
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    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
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    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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