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FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲(chǔ)器。

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目前具有突破性的存儲(chǔ)技術(shù)有鐵電RAM（FRAM）、磁性RAM（MRAM）、相變RAM（PRAM）或其他相變技術(shù)。本文將分別介紹這些技術(shù)的特點(diǎn)、比較和研發(fā)進(jìn)展。

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