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該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準備...

2023-08-22 標簽：芯片 DRAM 英偉達 1.9k 0

SK海力士推全球最高性能HBM3E內(nèi)存

HBM3E內(nèi)存（也可以說是顯存）主要面向AI應(yīng)用，是HBM3規(guī)范的擴展，它有著當前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。

2023-08-22 標簽：AI 超級芯片 SK海力士 1.9k 0

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點

? ? 據(jù)了解，HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個DRAM，能夠提升數(shù)據(jù)處理速度，HBM DRAM產(chǎn)品以 HBM(第一...

2023-10-10 標簽：DRAM ERP HBM 1.9k 0

三星正與英偉達開展GPU HBM3驗證及先進封裝服務(wù)

在此之前，英偉達將大部分gpu的高級成套產(chǎn)品委托給tsmc。半導體方面，將sk海力士的hbm3安裝在自主制造的單一gpu芯片上，生產(chǎn)英偉達h100。但是...

2023-08-02 標簽：gpu 人工智能英偉達 1.9k 0

英偉達將于Q1完成HBM3e驗證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗證過程復雜，預計需要2個季度左右的時間，因此業(yè)界預測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結(jié)果。但是，驗證工作可能會在2...

2023-11-29 標簽：芯片英偉達 HBM 1.9k 0

三星披露下一代HBM3E內(nèi)存性能

FinFET立體晶體管技術(shù)是Intel 22nm率先引用的，這些年一直是半導體制造工藝的根基，接下來在Intel 20A、臺積電2nm、三星3nm上，都...

2023-10-23 標簽：內(nèi)存晶體管 EUV 1.8k 0

SK海力士成功開發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E

與此同時，SK海力士技術(shù)團隊在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù)，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（B...

2023-08-23 標簽：DRAM 散熱性能 SK海力士 1.8k 0

Rambus推出9.6Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP

人工智能（AI）無疑是近幾年最火的技術(shù)。從開發(fā)到部署AI技術(shù)主要可分為兩大步驟，即AI訓練和AI推理。

2023-12-22 標簽：控制器人工智能 ai技術(shù) 1.7k 0

AMD發(fā)布HBM3e AI加速器升級版，2025年推新款I(lǐng)nstinct MI

目前，只有英偉達的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，單個平臺可以達到10TB/s的帶...

2024-02-25 標簽：傳輸速率英偉達 HBM3 1.7k 0

英偉達CEO贊譽三星HBM內(nèi)存，計劃采購

　提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會上直接認可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進...

2024-03-20 標簽：英偉達黃仁勛 HBM3 1.7k 0

三星計劃為英偉達AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù)；傳蘋果悄悄開發(fā)“Apple GPT” 或?qū)⑻魬?zhàn)OpenAI

熱點新聞 1、三星計劃為英偉達AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù) 據(jù)報道，英偉達正在努力實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心AI GPU中使用的HBM3和2.5D封裝的...

2023-07-20 標簽：電子產(chǎn)業(yè)電子發(fā)燒友 HBM3 1.7k 0

美光推出業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存

Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容...

2023-07-28 標簽：內(nèi)存 AI 美光 1.7k 0

三星的HBM3芯片生產(chǎn)良率約為10-20%！

3月13日消息，據(jù)外媒報道，三星電子將采用競爭對手 SK 海力士主導的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封裝工藝，而非此前堅持使用的非導電薄膜（...

2024-03-13 標簽：三星電子芯片封裝 AI芯片 1.6k 0

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和 IP 核供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布 Rambus HBM3 ...

2023-12-07 標簽：控制器內(nèi)存 AI 1.6k 0

今日看點丨SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E；蘋果正在開發(fā) A19 仿生處理器和 M5 系列芯片

1. 狠砸1 億英鎊！英國首相蘇納克計劃購入數(shù)千顆AI 芯片 ? 據(jù)報道，英國首相蘇納克（Rishi Sunak）將花費1億英鎊，用于購買數(shù)千顆高性能人...

2023-08-21 標簽：蘋果 SK海力士 HBM3 1.6k 0

美光科技Q2業(yè)績超預期營收同比增長58%

美光科技Q2業(yè)績超預期營收同比增長58% 美光科技Q2業(yè)績超預期，截至2月29日的第二財季，美光營收同比增長58%，高達58.2億美元，大幅超出分析師...

2024-03-21 標簽：美光科技 HBM HBM3 1.6k 0

HBM3內(nèi)存：向更高的帶寬突破

隨著數(shù)據(jù)中心對人工智能和機器學習（AI/ML）的利用率越來越高，大量數(shù)據(jù)不斷被產(chǎn)生和消耗，這給數(shù)據(jù)中心快速而高效地存儲、移動和分析數(shù)據(jù)提出了巨大挑戰(zhàn)。

2021-12-22 標簽：內(nèi)存數(shù)據(jù)中心人工智能 1.5k 0

三星HBM3已經(jīng)通過英偉達的適用性測試

去年，三星便積極向英偉達遞送了HBM3樣品，旨在融入其H100等多款計算卡的供應(yīng)鏈體系中，并預計于2024年爭取到英偉達HBM3訂單中高達30%的份額。...

2024-07-26 標簽：英偉達三星 HBM3 1.5k 0

三星重磅發(fā)布全新12層36GB HBM3e DRAM

12層HBM3e將每個堆?？捎玫目値捥岣叩襟@人的1,280GB/s，這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。

2024-03-29 標簽：amd DRAM 服務(wù)器 1.5k 0

三星電子將從明年1月開始向英偉達供應(yīng)HBM3內(nèi)存

據(jù)預測，進入今年以來一直萎靡不振的三星電子半導體業(yè)績明年將迅速恢復。部分人預測，三星電子明年下半年的hbm市場占有率將超過sk海力士。

2023-11-14 標簽：半導體三星電子 SK海力士 1.5k 0

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