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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt資訊

IGBT模塊清洗技術(shù)演進(jìn)與方案對(duì)比:邁向2026年的高效可靠之路

IGBT模塊清洗技術(shù)演進(jìn)與方案對(duì)比:邁向2026年的高效可靠之路

隨著新能源汽車、軌道交通及可再生能源發(fā)電的迅猛發(fā)展,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊作為核心功率開關(guān)器件,其可靠性直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的性能與壽命。在模...

2026-04-30 標(biāo)簽:IGBT 2.9k 0

斯達(dá)半導(dǎo)2025年研發(fā)費(fèi)用激增35.94%,聚焦下一代IGBT

2026年3月31日,斯達(dá)半導(dǎo)(603290)發(fā)布2025年度業(yè)績快報(bào),全年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入40.12億元,同比增長18.34%;然而,歸母凈利潤卻同比下降...

2026-04-23 標(biāo)簽:IGBT財(cái)報(bào)分析 1.6k 0

斯達(dá)半導(dǎo)2025年度業(yè)績解讀:營業(yè)總收入401239.61萬元,同比增長18.34%

2026年3月31日,國產(chǎn)IGBT龍頭企業(yè)斯達(dá)半導(dǎo)(603290)發(fā)布2025年度業(yè)績快報(bào),全年實(shí)現(xiàn)營業(yè)總收入40.12億元,同比增長18.34%,創(chuàng)歷...

2026-04-23 標(biāo)簽:IGBT廠商財(cái)報(bào)分析 1.9k 0

宏微科技榮獲西門子數(shù)控2025年度創(chuàng)新突破獎(jiǎng)

4月15日,西門子數(shù)控(南京)有限公司(以下簡稱SNC)30周年供應(yīng)商答謝盛典在南京隆重舉行。江蘇宏微科技股份有限公司(股票代碼:688711)榮獲“創(chuàng)...

2026-04-21 標(biāo)簽:西門子IGBT宏微科技 1.7k 0

國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的深度性能評(píng)估與系統(tǒng)級(jí)損耗對(duì)標(biāo)研究

國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的深度性能評(píng)估與系統(tǒng)級(jí)損耗對(duì)標(biāo)研究

國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的深度性能評(píng)估與系統(tǒng)級(jí)損耗對(duì)標(biāo)研究 產(chǎn)業(yè)宏觀背景與碳化硅技術(shù)的市場演進(jìn) 在全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化、電氣化轉(zhuǎn)...

2026-04-18 標(biāo)簽:IGBT功率模塊碳化硅 1.9k 0

NTC熱敏電阻于新能源汽車用IGBT模塊中的作用

NTC熱敏電阻于新能源汽車用IGBT模塊中的作用

IGBT模塊憑借其低傳導(dǎo)損耗與低導(dǎo)通電阻,成為新能源汽車電控模塊中不可或缺的核心部件。而IGBT在開關(guān)狀態(tài)以及過載狀態(tài)下的工作結(jié)溫均很高,為避免溫度過高...

2026-04-17 標(biāo)簽:新能源汽車熱敏電阻IGBT 1.8k 0

影響變頻器IGBT模塊安全的因素

影響變頻器IGBT模塊安全的因素

影響變頻器IGBT模塊安全的因素主要可以歸結(jié)為 電氣應(yīng)力 (過壓、過流)、 環(huán)境與熱應(yīng)力 (過熱)以及 機(jī)械與操作 三大類。其中,過熱往往是多數(shù)物理損壞...

2026-04-17 標(biāo)簽:變頻器IGBT 1.9k 0

專門用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)開關(guān)器件(如MOSFET或IGBT)的LED照明驅(qū)動(dòng)IC-WD10-3111

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LED照明中使用的?浮電流驅(qū)動(dòng)IC?(Floating Current Driver IC)是一種專門用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)開關(guān)器件(如MOSFET或IGBT)...

2026-04-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBT開關(guān)器件 2k 0

國產(chǎn)SiC MOSFET功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)邏輯匹配與系統(tǒng)優(yōu)化

國產(chǎn)SiC MOSFET功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)邏輯匹配與系統(tǒng)優(yōu)化

國產(chǎn)SiC MOSFET功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)邏輯匹配與系統(tǒng)優(yōu)化研究報(bào)告 引言與產(chǎn)業(yè)演進(jìn)背景 在全球能源結(jié)構(gòu)向深度電氣化轉(zhuǎn)型的宏觀背景下,高...

2026-04-13 標(biāo)簽:IGBT功率模塊SiC MOSFET 2.1k 0

智創(chuàng)無界,芯向未來:深圳爭妍微參與2026 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)大會(huì)

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2026 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)大會(huì)暨 2025 年度華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商-電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌頒獎(jiǎng)盛典圓滿舉行,深圳爭妍微電子有限公司亮相展會(huì)并斬獲...

2026-04-11 標(biāo)簽:MOSFET可控硅IGBT 4k 0

NPC三電平拓?fù)渲卸O管鉗位原理及其物理機(jī)制研究報(bào)告

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2026-04-12 標(biāo)簽:IGBTNPC二極管鉗位 3.7k 0

新品 | EasyPACK? 2B TRENCHSTOP? IGBT5 650V H5模塊,專為暖通空調(diào)與熱泵設(shè)計(jì)

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新品EasyPACK2BTRENCHSTOPIGBT5650VH5模塊,專為暖通空調(diào)與熱泵設(shè)計(jì)EasyPACK2B650V,35A模塊采用TRENCHS...

2026-04-07 標(biāo)簽:英飛凌IGBT 1.8k 0

龍騰半導(dǎo)體入選陜西省2026年省級(jí)重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目

近日,陜西省發(fā)展和改革委員會(huì)正式發(fā)布2026年省級(jí)重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目清單,計(jì)劃實(shí)施省級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目640個(gè),年度投資3500億元以上。龍騰半導(dǎo)體股份有限公司兩個(gè)在...

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從BMS到IGBT驅(qū)動(dòng):推挽式變壓器的5大隔離電源場景

推挽式變壓器是隔離電源方案中兼具高效率、低EMI和小體積的優(yōu)勢(shì)元件。無論是電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS),還是工業(yè)現(xiàn)場的RS485通信,亦或是高壓IG...

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2026-03-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT充電模塊 2.4k 0

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2026-03-25 標(biāo)簽:IGBT 1.2k 0

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  • 四軸飛行器
    四軸飛行器
    +關(guān)注
    四軸飛行器,又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī),簡稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器(Quadrotor)是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡單機(jī)構(gòu),十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力,從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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