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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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在嵌入式軟件開發(fā)中，經(jīng)常需要根據(jù)硬件原理圖去進(jìn)行GPIO口配置；如果你硬件知識(shí)一點(diǎn)都不懂，那么在開發(fā)中遇到問題，你就很難初步判定是硬件的問題，還是軟件配...
以tsmc180nm工藝的nmos2V為例，搭建gmId設(shè)計(jì)電路schematic如figure1：
MOS管導(dǎo)通時(shí)電流大,斷開時(shí)電流小.我們一般說MOS管要慢開快關(guān),這只是一個(gè)定性說法,要注意一度的問題,不是開通越慢越好,關(guān)斷越快越好.
異步整流的優(yōu)缺點(diǎn) 異步整流在輸出電流變化的情況下，二極管的電壓降相當(dāng)恒定，鍺管的壓降為0.3V，硅管的壓降為0.7V。 由于二極管的電壓降恒定，所以當(dāng)流...
MOS 管的開啟與關(guān)閉 要研究這個(gè)自舉的由來，我們還是先看一下 MOS 的開啟與關(guān)閉。從上文得知，我們首先要分別看一下 NMOS 和 PMOS電源拓?fù)渲?..
場效應(yīng)管FET（Field Effect Transistor），是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，分為結(jié)型（JFET）和絕緣...
2023-11-17 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 1.3萬 0
基于MOS管和三極管的電源開關(guān)電路設(shè)計(jì)
三極管與MOS管組成的電源開關(guān)電路一定是NPN與PMOS管組合么？
2023-11-17 標(biāo)簽：三極管開關(guān)電路電路設(shè)計(jì) 4.8k 0
詳解IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/特性/工作原理
IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，是一種三端半導(dǎo)體開關(guān)器件，可用于多種電子設(shè)備中的高效快速開關(guān)。 IGBT 主要用于放大器，用于通過脈沖寬度調(diào)制 (...
你要是想讀懂這篇文章，請先去了解MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)，本文是在基礎(chǔ)之上做出的一部分?jǐn)U展，可能有一點(diǎn)點(diǎn)深，請各位同學(xué)注意。
2023-11-15 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管源極 7.8k 0
一鍵開關(guān)機(jī)單片機(jī)電路設(shè)計(jì)
一般我們做單片機(jī)電路設(shè)計(jì)的時(shí)候，一般就是上電啟動(dòng)，直接用開關(guān)來做上電。那我們手機(jī)，MP3這些設(shè)備一般都是一鍵長按然后開機(jī)。這樣做可以改善體驗(yàn)，關(guān)鍵也不會(huì)誤觸發(fā)。
今天分析一下，工業(yè)現(xiàn)場0-10V輸出電路，這個(gè)電路是一個(gè)網(wǎng)上的開源的，今天主要分析一下0-10V輸出電路的實(shí)現(xiàn)。
我們在研發(fā)產(chǎn)品時(shí)，我們?yōu)榱吮ＷC產(chǎn)品的可靠性，我們會(huì)設(shè)計(jì)電源防反電路；這是為了防止電源錯(cuò)插，插反導(dǎo)致主板燒毀；為了防止這種情況的發(fā)生，我們在源頭增加了這一道程序。
BOOST電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和工作原理
在汽車電子各類控制器中，經(jīng)常會(huì)有BOOST升壓電路的設(shè)計(jì)，以保證電壓掉到一定值后仍然能使部分功能運(yùn)行。
在各類電路圖中，我們經(jīng)?？梢钥吹組OSFET在作開關(guān)時(shí)，其漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管，如圖1所示。那么這個(gè)二極管是用來做什么的？
MOS管和場效應(yīng)管有什么關(guān)系？對于初學(xué)者來說，這兩個(gè)名字常常讓人混淆，MOS管到底是不是場效應(yīng)管？
2023-11-13 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管 3.4k 0
老生常談我們先結(jié)合手冊認(rèn)識(shí)下這個(gè)器件：我們以無錫新潔能的NCE2302為例。
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