mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

基于LM3409芯片的LED恒流驅(qū)動電路設(shè)計(jì)

高品質(zhì)的LED照明采用的是恒流驅(qū)動，其中效率最高的是用開關(guān)電源芯片做的恒流驅(qū)動。效率通?？蛇_(dá)90%以上；電路比阻容降壓復(fù)雜很多，決定了其成本比較高。

2023-08-28 標(biāo)簽：led 變壓器開關(guān)電源 9k 1

MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷過程

最近一直在說MOS管的知識，就有朋友留言說能具體說一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷過程嗎，那我們今天來說一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷具體過程。

2023-03-26 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通寄生電感 8.9k 0

放大電路的基礎(chǔ)—單級放大器（1）

放大是模擬電路的基本功能之一，是運(yùn)算放大器、功率放大器、低噪聲放大器等模塊的主要功能。

2023-09-18 標(biāo)簽：功率放大器運(yùn)算放大器 MOS管 8.9k 0

射頻微波電路：MOS管的基礎(chǔ)概念（I/V特性，二級效應(yīng)）

MOS管的I/V特性如前面所說，我們研究I/V特性不是為了推導(dǎo)而推導(dǎo)，只是為了讓我們更加清楚地了解MOS管的工作狀態(tài)，在后續(xù)的表達(dá)中可以更加簡潔精煉。

2022-11-17 標(biāo)簽：MOS管射頻微波 8.9k 0

如何判斷NMOS管和PMOS管

　MOS管的管腳有三個(gè)：源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain)，但是實(shí)際工程應(yīng)用中，經(jīng)常無法區(qū)分PMOS管和NMOS管、各管腳的...

2023-02-28 標(biāo)簽：MOS管源極管腳 8.9k 1

7步法則教你正確選擇MOS管

寬電壓應(yīng)用：輸入電壓并不是一個(gè)固定值，它會隨著時(shí)間或者其他因素而變動。這個(gè)變動導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動電壓是不穩(wěn)定的。

2022-10-11 標(biāo)簽：保護(hù)電路 MOS管穩(wěn)壓管 8.9k 0

MOS管和IGBT管的辨別

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和IGBT（...

2024-07-26 標(biāo)簽：MOS管晶體管 IGBT管 8.9k 0

A/D轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換過程及電路分析

將模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號的電路，稱為模數(shù)轉(zhuǎn)換器(簡稱a/d轉(zhuǎn)換器或adc，analog to digital converter)，A/D轉(zhuǎn)換的作用是將...

2023-02-28 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器運(yùn)算放大器 MOS管 8.8k 0

Flash存儲器的工作原理和基本結(jié)構(gòu)

　　Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。

2023-09-09 標(biāo)簽：FlaSh 存儲器 MOS管 8.8k 0

MOS管體二極管是什么？MOS管體二極管的作用

體二極管是MOS管中的一個(gè)重要組成部分，它是襯底B與漏極D之間的PN結(jié)。由于把B極和S極短路了，因此出現(xiàn)了SD之間的體二極管。今天我們簡單來講下關(guān)于體二...

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管電源電壓 8.8k 0

MOS管柵極電阻阻值作用

1、如果沒有柵極電阻，或者電阻阻值太小 ? MOS導(dǎo)通速度過快，高壓情況下容易擊穿周圍的器件。 ? ? 2、柵極電阻阻值過大 ? MOS管導(dǎo)通時(shí)，Rds...

2022-11-04 標(biāo)簽：MOS管電壓柵極電阻 8.8k 0

高壓MOS管和低壓MOS管的區(qū)別

　　MOS管，全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體，是一種常見的半導(dǎo)體器件。根據(jù)其工作電壓的不同，MOS管主要可分為高壓...

2023-10-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝 MOS管 8.8k 0

思睿達(dá)CR6267SK與X1135N有區(qū)別？測試報(bào)告新鮮出爐

上一篇報(bào)告我們將思睿達(dá)主推的CR6248和XX33AP進(jìn)行了對比，得出的結(jié)論是思睿達(dá)主推的CR6248會比XX33AP的效率高，功耗小。本篇文章，我們將...

2021-04-23 標(biāo)簽：電源芯片 MOSFET 8.7k 0

功率MOS管損壞的主要原因

mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。

2019-07-27 標(biāo)簽：MOS管功率MOS管 8.7k 0

MOS管的閾值電壓是什么

MOS管的閾值電壓（Threshold Voltage）是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)，它決定了MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)，對MOS...

2024-10-29 標(biāo)簽：MOS管柵極閾值電壓 8.7k 0

開關(guān)電源的優(yōu)缺點(diǎn)、作用及基本結(jié)構(gòu)

　開關(guān)電源是一種利用電子元器件(如晶體管、二極管、場效應(yīng)管等)控制電流的開關(guān)狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)電源輸出電壓的調(diào)節(jié)和穩(wěn)定的一種電源。其基本工作原理是通過開關(guān)器件對...

2023-09-08 標(biāo)簽：二極管開關(guān)電源 MOS管 8.7k 0

mos管增強(qiáng)型與耗盡型的區(qū)別是什么

MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低驅(qū)動功率和良好的線性特性等優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)導(dǎo)電溝道的...

2024-07-14 標(biāo)簽：MOS管電子設(shè)備電壓 8.7k 0

PMOS管和NMOS管的區(qū)別

　　MOS管的管腳：源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain)。

2023-02-16 標(biāo)簽：MOS管 MOS 柵極 8.7k 0

壓控電流源電路設(shè)計(jì)及其工作原理

電流源是一種非常常用的電路，如工業(yè)中4-20mA輸出，LED恒流驅(qū)動，以及一些傳感器可能也需要恒流驅(qū)動等。

2022-10-20 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管壓控電流源 8.6k 0

電路保護(hù)中的欠壓/過壓閉鎖實(shí)用巧設(shè)計(jì)

在電子設(shè)備的實(shí)際應(yīng)用中，可能會遇到輸入電壓不穩(wěn)的情況。

2023-10-30 標(biāo)簽：MOS管比較器電源電壓 8.6k 0

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