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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率器件，其耐壓性能是其重要參數(shù)之一。 MOSFET耐壓測試的重要性 MOSFE...
2024-08-01 標(biāo)簽：MOS管場效應(yīng)晶體管功率器件 5.7k 0
傳統(tǒng)Boost PFC和無橋PFC的工作原理及狀態(tài)
由于無橋PFC拓?fù)渲饕獮樘岣咝剩ㄊ〉袅苏鳂蚣捌鋼p耗），但相對傳統(tǒng)Boost PFC，在成本（所用MOS管和快速二極管多一倍）、控制（相對復(fù)雜）和EM...
FET 的全名是“場效電晶體（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）”，先從大家較耳熟能詳?shù)摹癕OS”來說明。
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFE...
2023-02-25 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管晶體管 5.6k 0
當(dāng)LV連接器的TXI-1為3V3高電平信號(LV排針接3V3，HV排針接5V)時，Q1 mos管的柵極和源極之間的壓降為0V(TXI-1與LV排針之間的...
2023-03-16 標(biāo)簽：連接器MOS管轉(zhuǎn)換電路 5.6k 0
耗盡型MOS管（也稱為增強型MOS管）是一種常用的場效應(yīng)管。它是由金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）結(jié)構(gòu)組成的。在這種器件中，半導(dǎo)體基片分為N型和P型區(qū)域，...
MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）管是一種由金屬-氧化物-半導(dǎo)體構(gòu)成的場效應(yīng)晶體管，它常用于集成電路中作為開關(guān)或放大器。MOS...
推挽輸出（Push-Pull Output），故名思意能輸出兩種電平，一種是推（拉電流，輸出高電平），一種是挽（灌電流，輸出低電平）。推挽輸出可以使用一...
2024-04-06 標(biāo)簽：模擬電路上拉電阻場效應(yīng)管 5.6k 0
Mos開關(guān)原理（簡要）：Mos是電壓驅(qū)動型器件，只要柵極和源級間給一個適當(dāng)電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻...
Pspice電路仿真入門：基于MOS管的電平轉(zhuǎn)換電路
你有用過Cadence的PSpice仿真軟件嗎?PSpice是一個非常好用的仿真軟件，他可以做一些關(guān)于靜態(tài)工作點，瞬態(tài)分析，和一些穩(wěn)定性分析。那么我...
boost升壓電路，它通過開關(guān)管通關(guān)來控制電感儲存和釋放能量，從而使輸出電壓比輸入電壓高。它多用于輸出高壓低電流的應(yīng)用場合。
MOS管的源極和漏極是否可以互換使用，場效應(yīng)管的D極和S極呢？
按照MOSFET的內(nèi)部導(dǎo)通原理來說，所有管子id電流是可以雙向流過的，讓人感覺似乎使用時D－S可以互換，也有很多資料在做功能或者產(chǎn)品對比時，也表明D-S...
2022-10-25 標(biāo)簽：二極管場效應(yīng)管MOS管 5.5k 0
描述：采用二極管進(jìn)行保護(hù)，電路簡單，成本低，占用空間少，但是二極管PN結(jié)在導(dǎo)通時，會存在一定的壓降，一般在0.5V左右（主要根據(jù)選型的二極管參數(shù)決定）
通過AC電壓的極性檢測，得到AC極性信號Sign(Vac)，即Polarity crossing Vac，送到DSP的GPIO口，軟件在依據(jù)正負(fù)半波來切...
HT7179 12V升24V內(nèi)置MOS大電流升壓IC解決方案
HT7179是一款高功率非同步升壓轉(zhuǎn)換器，集成 20mΩ功率開關(guān)管，為便攜式系統(tǒng)提供高效的小尺寸解決方案。HT7179具有2.7V至25V寬輸入電壓范圍...
2021-07-17 標(biāo)簽：MOS管升壓轉(zhuǎn)換器DC-DC 5.5k 0
現(xiàn)代設(shè)備對電源的性能要求越來越高，未來電源將向著高功率密度、高效率、低EMI、小體積等方向發(fā)展。為了實現(xiàn)以上需求，現(xiàn)代的電源的頻率越做越高、諧振技術(shù)也逐...
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