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標(biāo)簽 > mos管

mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

CMOS器件內(nèi)部不可忽視的閃爍噪聲

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當(dāng)器件內(nèi)部,載流子在不連續(xù)的材料上移動(dòng)時(shí),會(huì)隨機(jī)的遭遇到捕獲和釋放,進(jìn)而產(chǎn)生閃爍噪聲。

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介紹一種國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)霍爾電流傳感器應(yīng)用案例

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2023-05-08 標(biāo)簽:MOS管補(bǔ)償電路bms 3k 0

MOS管燒壞常見的可能性故障分析

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描述:采用二極管進(jìn)行保護(hù),電路簡(jiǎn)單,成本低,占用空間少,但是二極管PN結(jié)在導(dǎo)通時(shí),會(huì)存在一定的壓降,一般在0.5V左右(主要根據(jù)選型的二極管參數(shù)決定)

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MOS管G極與S極之間的電阻作用

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MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容:Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)(規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替)。MO...

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分享一款實(shí)用的太陽(yáng)能充電電路(室內(nèi)光照可用)

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?基礎(chǔ)回顧:電阻、電容、電感、二極管、三極管、MOS管

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功率MOS管燒毀原因總結(jié)

MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障,例如過(guò)電壓(半導(dǎo)體的雪崩擊穿)、過(guò)電流(鍵合線或者襯底熔化)、過(guò)熱(半導(dǎo)體材料由于高溫而分解)。

2023-05-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管功率器件 1.8k 0

詳解MOS管的基本原理和工作特性

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都說(shuō)酒是穿腸藥,色是刮骨刀,那么在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,咱門的MOS管大哥,便是傳統(tǒng)真空管電子以及分離式固態(tài)射頻電路的 意大利炮 ,正逐步用他那無(wú)與倫比的性能...

2023-05-04 標(biāo)簽:MOSFETMOS管NMOS 6.4k 0

開關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管驅(qū)動(dòng)電路

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MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。

2023-05-04 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源設(shè)計(jì) 4k 0

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2023-05-04 標(biāo)簽:MOSFETMOS管等效電路 1.9k 0

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二極管常見的封裝類型,DO-15、DO-27、SOD-323、SOD-723等,相信大家都很熟悉。

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首先說(shuō)一下電源IC直接驅(qū)動(dòng),下圖是我們最常用的直接驅(qū)動(dòng)方式,在這類方式中,我們由于驅(qū)動(dòng)電路未做過(guò)多處理,因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化...

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2023-04-27 標(biāo)簽:三極管振蕩器MOS管 2k 0

如何改善MOS管被ESD擊穿的問(wèn)題

大家可能并不陌生MOS管,由于MOS管不具備防靜電、防浪涌,ESD靜電和浪涌無(wú)處不在,存在于任何的電子產(chǎn)品中,令人防不勝防。

2023-04-27 標(biāo)簽:二極管ESD靜電 1.5k 0

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常見的晶體管有二極管、三極管和MOS管,主要的邏輯門電路:與門、或門、非門、與非門、或非門、異或門等,這篇文章介紹用晶體管搭建常見的邏輯門電路。

2023-04-26 標(biāo)簽:二極管MOS管晶體管 1.5萬(wàn) 0

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在使用ROS機(jī)器人構(gòu)建地圖的過(guò)程中,需要在房間內(nèi)自主運(yùn)行,采集地圖信息。這個(gè)過(guò)程中需要控制電機(jī)的正反轉(zhuǎn),電機(jī)的轉(zhuǎn)速,以適應(yīng)機(jī)器人直行,轉(zhuǎn)彎等動(dòng)作。

2023-05-02 標(biāo)簽:機(jī)器人MOS管IGBT 2.7k 0

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