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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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在 BUCK 電源設(shè)計(jì)中，MOS 管的 “快開快關(guān)” 是減少損耗的關(guān)鍵，而實(shí)現(xiàn)這一需求的核心，離不開前級(jí)驅(qū)動(dòng)與滯回比較器的精妙配合。今天我們就從電路搭建...
所謂分立器件，顧名思義就是由單個(gè)電子器件組成的電路元器件，它包括二極管、橋堆。三極管以及MOS管、IGBT、電源IC等產(chǎn)品，作用包括整流、開關(guān)、小信號(hào)放...
公牛車充拆解|拓爾微A+C雙口快充方案IM2403+TMI3451
在快節(jié)奏的生活中，手機(jī)已成為人們不可或缺的工具。對(duì)于經(jīng)常開車出門的人來說，在車上給手機(jī)充電已經(jīng)成為剛需，因此車載充電器是很多車主的不二之選，它能便捷地解...
電流前饋P+PI控制器設(shè)計(jì)如何實(shí)現(xiàn)？
逆變器的控制方法有：PID控制、滯環(huán)控制、無差拍控制、重復(fù)控制、比例諧振控制、智能控制。各種控制方式都有自身的優(yōu)缺點(diǎn)。
芯片設(shè)計(jì)進(jìn)階之路—從CMOS到建立時(shí)間和保持時(shí)間
建立時(shí)間(setup time)和保持時(shí)間(hold time)是時(shí)序分析中最重要的概念之一，深入理解建立時(shí)間和保持時(shí)間是進(jìn)行時(shí)序分析的基礎(chǔ)。
穩(wěn)壓二極管，學(xué)名齊納二極管;網(wǎng)傳有降血壓的用處(假的)，既然不能降血壓，那么穩(wěn)壓二極管會(huì)在什么電路里用到呢?
2023-09-15 標(biāo)簽：二極管穩(wěn)壓二極管過壓保護(hù) 3.1k 0
我們確定了Buck拓?fù)渲衅骷牡膮?shù)，如圖一示，接下來分析一下Nmos管NO和OFF時(shí)電路的狀態(tài)，當(dāng)N管導(dǎo)通時(shí)，S端的電壓為30V，而Vgs閾值電壓是3...
嵌入式系統(tǒng)中，當(dāng)兩個(gè)不同供電電壓的單片機(jī)之間需要通訊，或者單片機(jī)與不同電壓的外圍芯片進(jìn)行通訊時(shí)，不可避免地要進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，否則會(huì)出現(xiàn)通訊不成功，甚至電壓...
2022-11-14 標(biāo)簽：二極管MOS管電平轉(zhuǎn)換 3k 0
使用MOS管的雙向電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)
在一些IO電平不匹配的情況，需要用到電平轉(zhuǎn)換電路。特別如I2C總線上，主芯片和多個(gè)外設(shè)直接，較常遇到電源域電壓不一致的情況。
2023-06-25 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管總線 3k 1
介紹一種國產(chǎn)車規(guī)級(jí)霍爾電流傳感器應(yīng)用案例
國產(chǎn)車規(guī)級(jí)霍爾電流傳感器CH704是為50A以上大電流檢測應(yīng)用開發(fā)的隔離集成式電流傳感芯片，具有高精度、增強(qiáng)絕緣耐壓、高可靠性、低功耗等優(yōu)點(diǎn)。
負(fù)載串聯(lián)型開關(guān)相比于上節(jié)講到的接地型和跟隨型開關(guān)，使用更加廣泛，無論是輕負(fù)載還是重負(fù)載，電路幾乎沒有額外電流損耗。
對(duì)于DC-DC變換器的效率提升，需要有低電壓、大電流的MOS管來優(yōu)化代換。畢竟同步整流技術(shù)是采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來取代整流二極管，從而大大...
2023-12-11 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管變換器 3k 0
MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路案例分析
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...
我們?cè)谘邪l(fā)產(chǎn)品時(shí)，我們?yōu)榱吮ＷC產(chǎn)品的可靠性，我們會(huì)設(shè)計(jì)電源防反電路；這是為了防止電源錯(cuò)插，插反導(dǎo)致主板燒毀；為了防止這種情況的發(fā)生，我們?cè)谠搭^增加了這一道程序。
MOS晶體管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，或金屬-絕緣體-半導(dǎo)體。MOS管的源漏是可互換的，它們是在P型背柵中形成的N形區(qū)域。在大多數(shù)情況下，這兩...
雖然MOS管名義上是壓控器件，只要柵極的電壓超過其閾值就會(huì)控制MOS管導(dǎo)通。
MOSFET是金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
2023-05-26 標(biāo)簽：MOSFETMOS管驅(qū)動(dòng)電流 3k 0
本文詳細(xì)介紹了Buck電路的原理以及相關(guān)器件的選型，希望可以幫到有需要的朋友。
場效應(yīng)管的分類 基本共源放大電路的組成及工作原理
場效應(yīng)管的分類 基本共源放大電路的組成及工作原理
2023-02-20 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管MOS 3k 0
自舉電路在高電壓柵極驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用
根據(jù)電容公式，i=C*du/dt，得知du/dt=i/C，故電容兩端電壓從0升到VDD時(shí)，取決于電流和電容的比值。容值一定時(shí)，電流越大，電壓上升越快；電...
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