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MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。
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IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（3）
在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中，我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2（見上一節(jié)插圖）， 因為PIN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（2）
上一章我們對IGBT穩(wěn)態(tài)的分析中，在IGBT的大注入條件下，電子和空穴的運動相互影響，這個影響關(guān)系需要用雙極性擴散系數(shù)來描述。
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型（2）
上一章講到了IGBT的飽和電流，與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數(shù)關(guān)系，這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型（1）
在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中，特別強調(diào)了這個模型所存在的一個短板，即所有電流都通過MOS溝道，實際上只有電子電流通過MOS溝道，而空穴電流...
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（3）
這里需要注意的是，載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零，反之亦然。對于PIN1結(jié)構(gòu)，因為陽極和陰極的多子濃度遠大于少子濃度，所以可以忽略少子電流；
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（2）
上一節(jié)的分析中，僅考慮了PIN1，而未考慮PIN2。PIN1與MOS結(jié)構(gòu)相連接，而PIN2則與基區(qū)相連接。
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（1）
分析IGBT，一般可以采用兩種模型，一種是簡化的“PIN+MOS”模型，一種是更切合實際的“PNP+MOS”模型，前者邏輯分析簡單
按施敏教授的觀點，半導體器件有四個最基本的結(jié)構(gòu)單元：金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合，比如BJT由...
MOS結(jié)構(gòu)加上一對背靠背的PN結(jié)，就構(gòu)成一個MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時半導體表面不是反型的，此時由于PN結(jié)的反向截止效果，源漏之間不會導通。...
金屬-絕緣體（氧化層）-半導體構(gòu)成MOS結(jié)構(gòu)，金屬作為柵極，當柵極零偏時，理想情況下半導體能帶是平的，意味著半導體內(nèi)沒有凈電荷存在。
BOOST 調(diào)整器帶載上電時，前級電源正常開啟，使用熱插拔上電，可以正常啟動，但控制電源 ON/OFF 來上電，卻無法正常工作。
上一章我們講到圖片的變化趨勢，可以按照相同的方式進行分析，即 柵極與漏極極之間的電容。
MOS是金屬氧化物半導體結(jié)構(gòu)，氧化物是絕緣層，有絕緣層即意味著存在電容。
其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大，導致Vbi隨溫度升高而減小，呈現(xiàn)負的溫度系數(shù)。
IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個pn結(jié)，在正向?qū)〞r，背面pn結(jié)構(gòu)向N-區(qū)注入空穴，使得N-區(qū)的電阻率急劇減?。措妼д{(diào)制效應）。
淺析IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—Rds(on)
在推導MOS的IV特性時，我們通過建立了電阻R和電壓V之間的關(guān)系，從而消除歐姆定律中的電阻R，得到電流與電壓之間的關(guān)系，但這里所討論的電阻僅僅是溝道電阻。
MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開關(guān)的作用，正是由于上述反型層的機制
在“IGBT中的若干PN結(jié)”一章中我們提到，IGBT是由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）所構(gòu)成
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