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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Texas Instruments TPSM64406EVM評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TPSM64406EVM評估模塊(EVM)用于展示TPSM64406的功能和性能。TPSM64406是一款雙降壓DC...
德州儀器LM2104半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析
Texas Instruments LM2104半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET,具有同步降壓或半橋配置。 此柵極驅(qū)動(dòng)器在GVD...
生成任意幅度的偏置電流網(wǎng)絡(luò) - 第一部分
最終,MOSFET、VS 和 RSET 電阻的源電壓決定了每個(gè)磁路的灌電流;通過移除外水槽支腿的反饋(即,對于所有 N > 1),VSN ...
2023-04-10 標(biāo)簽:MOSFET電阻器運(yùn)算放大器 1.5k 0
作者: Bill Schweber “簡單易行”是眾所周知的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則和良好的工程實(shí)踐。畢竟,添加的組件越多,出錯(cuò)或出現(xiàn)意外的可能性就越大。此外,還會對材...
2024-10-02 標(biāo)簽:MOSFET電源開關(guān)電源器件 1.5k 0
內(nèi)置SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ的主要規(guī)格和功能
重點(diǎn)必看內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ-規(guī)格篇-使采用了SiC MOSFET的...
2023-02-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 1.5k 0
負(fù)載主要有三大類,分別是阻性、感性和容性負(fù)載,針對不同的負(fù)載,在設(shè)計(jì)相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電路時(shí)需要考慮的因素也不同
2023-04-13 標(biāo)簽:MOSFET保護(hù)電路功率開關(guān) 1.5k 0
在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢
碳化硅CoolSiC? 器件的體二極管正向電壓(VF)是硅CoolMOS?器件的四倍。如果不對電路進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整,很有機(jī)會在諧振LLC轉(zhuǎn)換器上在輕負(fù)載時(shí)效...
2020-12-14 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源轉(zhuǎn)換器 1.5k 0
UCC21710-Q1 汽車級 5.7kVrms 10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
UCC21710-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專為高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)功能、一流...
采用全陶瓷電容器的1.8V/600mA降壓型穩(wěn)壓器
LTC3406、LTC3406-1.5、LTC3406-1.8、LTC3406B、LTC3406B1.5 和 LTC3406B-1.8 是業(yè)界首款單片式...
?DRV8833雙H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)文檔總結(jié)?
DRV8833器件提供雙橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 用于玩具、打印機(jī)和其他機(jī)電一體化應(yīng)用的解決方案。 該器件具有兩個(gè) H 橋驅(qū)動(dòng)器,可驅(qū)動(dòng)兩個(gè)直流有刷電機(jī)、一個(gè)...
2025-10-20 標(biāo)簽:MOSFET打印機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 1.5k 0
功率器件封裝和適當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)的重要性
高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求?;诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成...
合科泰NMOS管HKTQ50N03與HKTQ80N03應(yīng)用案例
MOS管也叫場效應(yīng)管,它可以分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)管,屬于絕緣柵場效應(yīng)管。NMOS也叫N型金屬氧化物半導(dǎo)體,而由NMOS組成的...
2023-02-20 標(biāo)簽:集成電路MOSFET場效應(yīng)管 1.5k 0
安森美VE-Trac SiC用于主驅(qū)逆變器的優(yōu)勢
雙碳目標(biāo)正加速推進(jìn)汽車向電動(dòng)化發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動(dòng)車,新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨(dú)特優(yōu)勢將改變電動(dòng)車的未來,如在關(guān)鍵...
在下一個(gè)AC周期中,極性反轉(zhuǎn),電流如藍(lán)色箭頭所示經(jīng)過體二極管D4,電池D2并流回FINISH或變壓器繞組的負(fù)極。這會不斷重復(fù),將兩個(gè)AC周期都轉(zhuǎn)換為DC...
LM73605QRNPRQ1降壓轉(zhuǎn)換器的產(chǎn)品介紹
LM73605QRNPRQ1型號器件是一款易于使用的同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器,采用 3.5V 至 36V 的電源電壓工作,能夠驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5A(LM736...
2022-11-16 標(biāo)簽:MOSFET直流轉(zhuǎn)換器降壓轉(zhuǎn)換器 1.5k 0
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行解說。
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路 1.5k 0
UCC21551/UCC21551-Q1隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments UCC21551/UCC21551-Q1雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器采用4A峰值拉電流和6A峰值灌電流設(shè)計(jì),用于驅(qū)動(dòng)功率M...
800V系統(tǒng)將重構(gòu)電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)鏈,這些技術(shù)和產(chǎn)品最受益
汽車電動(dòng)化趨勢正在不斷加快。過去兩年,受疫情和芯片短缺影響,全球汽車市場整體表現(xiàn)不佳,但新能源車卻一枝獨(dú)秀,延續(xù)這幾年的強(qiáng)勁增長勢頭,2021年實(shí)現(xiàn)銷量...
2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFETIGBT 1.5k 0
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