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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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單片式驅(qū)動器和MOSFET技術(shù)如何改進電源系統(tǒng)設(shè)計
隨著發(fā)展挑戰(zhàn)的不斷發(fā)展,電力行業(yè)將找到滿足相應(yīng)要求的方法。一種解決方案在單個單片芯片中集成了先進的開關(guān)MOSFET(穩(wěn)壓器的主要構(gòu)建模塊)及其相應(yīng)的驅(qū)動...
?TPL5110 低功耗定時器技術(shù)文檔總結(jié)
TPL5110 Nano 定時器是一款低功耗定時器,集成了 MOSFET 驅(qū)動器,設(shè)計用于占空比或電池供電應(yīng)用中的功率門控。該TPL5110僅消耗 35...
U7712同步整流芯片典型輸出5v3A,是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān),內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。
SiC-MOSFET和功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較
近年來超級結(jié)(Super Junction)結(jié)構(gòu)的MOSFET(以下簡稱“SJ-MOSFET”)應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET,ROHM已經(jīng)開...
上一篇文章中,介紹了在探討輸出電流較大的應(yīng)用時應(yīng)該注意的兩個注意事項中的第一項。關(guān)鍵要點是要想提高輸出電流,需要使用導(dǎo)通電阻低的MOSFET,提高開關(guān)速...
單片式驅(qū)動器和MOSFET技術(shù)如何改進電源系統(tǒng)設(shè)計
本文介紹最新的驅(qū)動器加MOSFET(DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)在功率密度、效率和熱性能方面得到...
mos管驅(qū)動拓撲的類別有哪些 常見驅(qū)動電路拓撲設(shè)計分析
MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在,這不是我們需要的,而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。MOS管導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在,這樣電流就會在這個電阻上消耗能量,這...
隨著無人機和多電飛機的發(fā)展,更高的功率和效率成了機載電機驅(qū)動器的主要研究方向之一。
飛兆開發(fā)出二極管的器件FDZ3N513ZT,專為智能電話的顯示屏提供照明
飛兆半導(dǎo)體 (NYSE: FCS) 開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT,占位面積僅為1mm x 1mm。 FDZ3N5...
TPS57140-EP 具有 Eco 模式?控制的 TPS57140-EP 1.5A 42V 降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS57140-EP 器件是一款具有集成高側(cè) MOSFET 的 42V、1.5A 降壓穩(wěn)壓器。電流模式控制提供簡單的外部補償和靈活的元件選擇。低紋波脈...
2025-06-20 標簽:MOSFET元件降壓穩(wěn)壓器 1.4k 0
使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同,因而電氣特征也不同。補充說明一下,DMOS是平面型的MOSFET,是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET,因其高耐壓且可降低...
超結(jié)功率MOSFET在高電壓開關(guān)應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位,適用于需要高效能和緊湊設(shè)計的場合。超結(jié)結(jié)構(gòu)能夠在保持高電壓的同時實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,突破了傳統(tǒng)硅極限?,...
2025-01-03 標簽:MOSFET開關(guān)電源電源芯片 1.4k 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代,電源管理芯片作為電子產(chǎn)品的心臟,扮演著至關(guān)重要的角色。而在這片浩瀚的技術(shù)海洋中,有一顆璀璨的明珠——電源管理芯片U6203...
兩個比較器輸入采用一個外部阻性分壓器提供了過壓 (OV) 和欠壓 (UV) 設(shè)定點的配置。
MOSFET 的選擇關(guān)乎效率,設(shè)計人員需要在其傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間進行權(quán)衡。傳導(dǎo)損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間,由于電流流過導(dǎo)通電阻而造成;開關(guān)...
UCC23511 5.7kVrms 1.5A/2A單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC23511 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動器,具有 1.5A 拉電流和 2A 灌電流...
實現(xiàn)牽引逆變器中碳化硅的電動汽車續(xù)航里程擴展承諾
幸運的是,同時發(fā)生的半導(dǎo)體革命產(chǎn)生了新的 寬帶隙器件,例如碳化硅 (SiC) MOSFET 功率開關(guān) 有助于縮小消費者對電動汽車續(xù)航里程的期望與原始設(shè)備...
硅(Si)基電力電子器件長期以來一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè),因為它們的技術(shù)成熟度和相對容易獲得。
越來越多的游戲愛好者喜歡玩一些格斗游戲,既能享受到游戲帶來的樂趣還能緩解身體疲勞。這自然少不了一款好的游戲手柄來搭配游戲體驗。國內(nèi)躋身游戲外設(shè)電子產(chǎn)品賽...
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