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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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2026-03-29 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源FCPF220N80 364 0
MOSFET開(kāi)關(guān)速度不夠?qū)е鹿β蕮p失及解決方案
MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子電路,特別是在高效電力電子和開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中。其高速開(kāi)關(guān)特性使其在很多高頻應(yīng)用中成為理想的選擇。然而,在某些...
2026-01-04 標(biāo)簽:MOSFET晶體管開(kāi)關(guān)速度 363 0
探索onsemi FCB125N65S3:高性能N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn)
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2026-03-30 標(biāo)簽:MOSFETSUPERFET III技術(shù)FCB125N65S3 363 0
高性能MOSFET:NTP082N65S3HF的技術(shù)剖析與應(yīng)用前景
高性能MOSFET:NTP082N65S3HF的技術(shù)剖析與應(yīng)用前景 在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,MOSFET扮演著至關(guān)重要的角色。一款性能卓越的MOSFET...
2026-03-31 標(biāo)簽:MOSFET電源系統(tǒng)NTP082N65S3HF 360 0
Onsemi NVMFS3D6N10MCL MOSFET:高效功率解決方案
Onsemi NVMFS3D6N10MCL MOSFET:高效功率解決方案 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為重要的功率開(kāi)關(guān)元件,其性能直接影響著整個(gè)電路...
2026-04-09 標(biāo)簽:MOSFETonsemiNVMFS3D6N10MCL 360 0
onsemi FDMC007N08LCDC:高性能N溝道MOSFET的優(yōu)勢(shì)解析
onsemi FDMC007N08LCDC:高性能N溝道MOSFET的優(yōu)勢(shì)解析 電子設(shè)備的性能和效率在很大程度上依賴于其關(guān)鍵組件的質(zhì)量和性能。在功率管理...
CSD16342Q5A 25V N-Channel NexFET? Power MOSFET:高效電源轉(zhuǎn)換的理想之選
CSD16342Q5A 25V N-Channel NexFET? Power MOSFET:高效電源轉(zhuǎn)換的理想之選 在電子工程師的日常工作中,為電路選...
2026-03-06 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換技術(shù)參數(shù) 356 0
FDS5672 N-Channel PowerTrench? MOSFET 詳細(xì)解析
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Onsemi NVMJST0D9N04C MOSFET:高效功率解決方案
Onsemi NVMJST0D9N04C MOSFET:高效功率解決方案 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是至關(guān)...
探索 onsemi NTP190N65S3HF MOSFET:高效電源設(shè)計(jì)新選擇
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2026-03-31 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)NTP190N65S3HF 351 0
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2026-03-31 標(biāo)簽:MOSFET電源系統(tǒng)NTP082N65S3F 351 0
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安森美NVMTS0D6N04C單通道N溝道MOSFET深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,其性能直接影響著整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。...
2026-04-03 標(biāo)簽:MOSFET安森美NVMTS0D6N04C 350 0
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2026-04-20 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)FDS6890A 350 0
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2026-04-19 標(biāo)簽:MOSFETonsemi小信號(hào)解決方案 350 0
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2026-03-29 標(biāo)簽:MOSFETFDB28N30TM開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器 349 0
onsemi NVBYST001N08X MOSFET:性能卓越的功率器件
onsemi NVBYST001N08X MOSFET:性能卓越的功率器件 在電子工程師的設(shè)計(jì)工作中,MOSFET 作為至關(guān)重要的功率器件,其性能直接影...
2026-04-08 標(biāo)簽:MOSFET功率器件NVBYST001N08X 348 0
onsemi NTP150N65S3HF MOSFET:高效電源解決方案的理想之選
onsemi NTP150N65S3HF MOSFET:高效電源解決方案的理想之選 在電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵元件,其性能直接影響著整個(gè)電源...
2026-03-31 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)SUPERFET III技術(shù) 347 0
聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案
第二項(xiàng)關(guān)鍵測(cè)試是短路耐受時(shí)間 (SCWT),或者說(shuō)軌到軌短路條件下設(shè)備發(fā)生故障前的最長(zhǎng)耐受時(shí)間。測(cè)試結(jié)果應(yīng)接近功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的IGBT,其中大多數(shù)擁...
2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器碳化硅 346 0
FDMS7680 N - 通道 PowerTrench? MOSFET:高效與高性能的完美結(jié)合
FDMS7680 N - 通道 PowerTrench? MOSFET:高效與高性能的完美結(jié)合 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)...
2026-04-16 標(biāo)簽:MOSFET電子設(shè)計(jì)FDMS7680 346 0
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