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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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瞻芯電子比鄰驅(qū)動?SiC專用驅(qū)動支持多領(lǐng)域高效應(yīng)用(下)
比鄰驅(qū)動?(Nextdrive?)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動芯片,具有緊湊、高速和智能的特點。
碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點
碳化硅MOS優(yōu)點:高頻高效,高耐壓,高可靠性??梢詫崿F(xiàn)節(jié)能降耗,小體積,低重量,高功率密度。
場效應(yīng)管的特點 場效應(yīng)管的使用優(yōu)勢
場效應(yīng)管是一種電子元件,它可以控制電流或電壓,通過改變極化層的電場來控制電流或電壓。根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點分為MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)、JF...
2023-02-17 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管JFET 7.1k 0
三菱電機開發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊
6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓撲,一般的大功率應(yīng)用可以采用并聯(lián)連接來提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運行,需要考慮模塊自...
SiC MOSFET的實時結(jié)溫監(jiān)控電路測量方案
本文介紹了一種新穎的測量電路,以測量用于測量SiC MOSFET的實時或?qū)嶋H結(jié)溫??梢钥闯?,出于訂購和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的,不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。
2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET監(jiān)控電路SiC 7k 0
通過將柵極放置在絕緣氧化層上來控制 MOSFET 溝道區(qū)的導(dǎo)電性。作為跨絕緣介電層電容感應(yīng)的電場的結(jié)果,溝道的電導(dǎo)率由施加到柵極的電壓控制。
2021-06-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 7k 0
首先我們先了解什么是MOSFET?全稱是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Tra...
2023-04-25 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 7k 0
在CCM圖騰柱PFC設(shè)計中實現(xiàn)最高效率
采用 Si 超結(jié) (SJ) CoolMOS? MOSFET 的創(chuàng)新解決方案 介紹 在服務(wù)器和電信 SMPS應(yīng)用中,最高效率和功率密度不僅是流行語,而且是...
MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET,它有N溝道管和P溝道管兩種類型。
2022-11-07 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 7k 0
IGBT的概念和發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理 IGBT市場規(guī)模分析
功率半導(dǎo)體器件(Power Electronic Device)又稱為電力電子器件和功率電子器件,是指可直接用于處理電能的主電路中,實現(xiàn)電能的變換或控制...
產(chǎn)生超結(jié)MOSFET的高電壓器件開發(fā)技術(shù)——電荷平衡技術(shù)
作者:Sanjay Havanur,Vishay Siliconix公司 自從30多年前首次推出以來,MOSFET已經(jīng)成為高頻開關(guān)電源轉(zhuǎn)換的主流。該技術(shù)...
2021-01-26 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電荷平衡 7k 0
同步Buck和異步Buck的結(jié)構(gòu)對比 同步Buck的PCB布局要點
異步Buck變換器采用肖特基二極管作為續(xù)流管,而同步Buck變換器用MOSFET替代肖特基二極管進行續(xù)流,由于MOSFET的導(dǎo)通電阻很低,所以導(dǎo)通損耗較...
意法半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET技術(shù),不但每單位面積的導(dǎo)通電阻非常之低,切換效能絕佳,而且跟傳統(tǒng)的硅基續(xù)流二極體(FWD)相比,內(nèi)接二極體關(guān)閉時的反向恢復(fù)...
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