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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

MOSFET的尺寸及伏安特性

MOSFET的尺寸及伏安特性

Fig. 2標(biāo)出了我們所關(guān)注的MOSFET器件的幾何尺寸,包括溝道的有效長(zhǎng)度L_eff(導(dǎo)體的長(zhǎng)度L_drawn略大于L_eff),溝道的寬度W,絕緣層...

2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體伏安特性 4.3k 0

有無(wú)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異和效果

在上一篇文章中,我們通過(guò)工作原理和公式了解了有無(wú)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來(lái)的影響,從而可降低開...

2022-06-15 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器引腳 4.3k 0

同步降壓DC/ DC穩(wěn)壓器ADP2325的主要特性及應(yīng)用

同步降壓DC/ DC穩(wěn)壓器ADP2325的主要特性及應(yīng)用

ADP2325是一款全功能,雙輸出,降壓DC-DC調(diào)節(jié)器,基于電流模式架構(gòu)。ADP2325集成了兩個(gè)高端功率MOSFET和兩個(gè)低端驅(qū)動(dòng)器,用于外部N溝道...

2021-03-12 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器 4.3k 0

MOSFET的噪聲模型解析

MOSFET的噪聲模型解析

在無(wú)線通信中,接收器接收到的信號(hào)非常小,以至于系統(tǒng)中只能容忍有限的噪聲。因此,對(duì)于電路設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō),能夠以合理的精度預(yù)測(cè)MOS器件的噪聲以及了解噪聲對(duì)器...

2025-08-01 標(biāo)簽:MOSFET晶體管噪聲模型 4.3k 0

華太電子BMS AFE芯片應(yīng)用中的常見問(wèn)題解答

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????? BMS AFE芯片作為電池管理系統(tǒng)的核心器件,在電池管理系統(tǒng)中承擔(dān)著重要角色。

2024-12-09 標(biāo)簽:芯片MOSFETbms 4.3k 0

如何選擇用于熱插拔的MOSFET(金氧半場(chǎng)效晶體管)

如何選擇用于熱插拔的MOSFET(金氧半場(chǎng)效晶體管)

當(dāng)電源與其負(fù)載突然斷開時(shí),電路寄生電感元件上的大電流擺動(dòng)會(huì)產(chǎn)生巨大的尖峰電壓,對(duì)電路上的電子元件造成十分不利的影響。

2018-07-05 標(biāo)簽:MOSFETFET熱插拔電路 4.3k 0

新潔能車規(guī)級(jí)PDFN 5x6雙面散熱功率器件介紹

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在汽車電子行業(yè)飛速發(fā)展的今天,提升可靠性、效率和散熱性能成為了功率器件設(shè)計(jì)的重要方向。車規(guī)級(jí) PDFN5*6 雙面散熱產(chǎn)品,以其優(yōu)異的散熱性能和緊湊的封...

2025-02-12 標(biāo)簽:MOSFET封裝功率器件 4.3k 0

GPIO推挽輸出和開漏輸出電路圖分析

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輸出端相當(dāng)于三極管的集電極。 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行。適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi))。

2023-10-16 標(biāo)簽:電流MOSFETMOS 4.3k 0

鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)和發(fā)展趨勢(shì)分析

兩種最常見的商業(yè)存儲(chǔ)器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快,但需要持續(xù)供電來(lái)維持其信息。閃存是非易失性的,對(duì)于長(zhǎng)期大容量存儲(chǔ)來(lái)說(shuō)足夠穩(wěn)定,但速度不是特別快...

2023-01-30 標(biāo)簽:MOSFETDRAM存儲(chǔ)器 4.3k 0

如何才能為您的電源選擇正確的工作頻率

如何才能為您的電源選擇正確的工作頻率

隨著現(xiàn)在對(duì)更高效、更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào),我們創(chuàng)建了該專欄,就各種電源管理課題提出一些對(duì)您有幫助的小技巧。該專欄面向各級(jí)設(shè)計(jì)工程師。無(wú)論您是從事...

2020-05-05 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)濾波器 4.3k 0

碳化硅MOSFET概述、特性及應(yīng)用

  在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...

2023-02-12 標(biāo)簽:二極管MOSFET濾波器 4.3k 0

提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)能效的工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)方案

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電機(jī)在現(xiàn)代生活中無(wú)處不在,從氣候控制、電器和商業(yè)制冷到汽車、工廠和基礎(chǔ)設(shè)施。根據(jù)國(guó)際能源署(International Energy Agency)的數(shù)...

2020-12-17 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 4.3k 0

如何將其4個(gè)MOSFET的內(nèi)置二極管為電池充電

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負(fù)載通常表現(xiàn)為變壓器形式,其低壓初級(jí)線圈與MOSFET橋連接以實(shí)現(xiàn)預(yù)期的DC到AC反相。

2021-01-21 標(biāo)簽:二極管MOSFET電池充電 4.3k 0

什么是可編程直流電源?有什么作用?

可編程直流電源是一種通過(guò)軟件接口控制輸出電壓和電流的電子設(shè)備。它采用先進(jìn)的數(shù)字控制技術(shù)和軟開關(guān)器件技術(shù),能夠接收來(lái)自外部的、以數(shù)字形式提供的指令,并按照...

2024-10-15 標(biāo)簽:電流MOSFET可編程直流電源 4.3k 0

Trench工藝和平面工藝MOSFET的區(qū)別在哪呢?

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上海雷卯電子有Trench工藝和平面工藝MOSFET,為什么有時(shí)候推薦平面工藝MOSFET呢,有時(shí)候推薦用Trench工藝MOSFET, 上海雷卯EMC...

2023-09-27 標(biāo)簽:處理器放大器MOSFET 4.2k 0

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器在實(shí)際使用時(shí)的輸出電流

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在上一篇文章中,談到了與電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC輸出電流有關(guān)的絕對(duì)最大額定值和推薦工作條件。在本文中,一起來(lái)了解要想確保電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的壽命并安全地使用,不僅僅需...

2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)器輸出電流 4.2k 0

降壓轉(zhuǎn)換器仿真的電源設(shè)計(jì)方案分析

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降壓轉(zhuǎn)換器 降壓或降壓轉(zhuǎn)換器是一種廣泛使用的DC / DC開關(guān)穩(wěn)壓器。制造商通過(guò)其控制器提供降壓集成電路。降壓DC / DC轉(zhuǎn)換器是一種能夠?qū)⑤斎腚妷恨D(zhuǎn)...

2021-04-02 標(biāo)簽:MOSFET控制器開關(guān)穩(wěn)壓器 4.2k 0

什么是MOS管

MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor F...

2024-02-26 標(biāo)簽:MOSFETMOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4.2k 0

FluxLink 耦合技術(shù):高壓隔離的保障

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在汽車中一定要有應(yīng)急電源,為什么應(yīng)急電源如此重要?設(shè)想一下,如果你正在高速公路上駕車行駛上,不巧遇到緊急情況需要?jiǎng)x車,這時(shí)候電源電壓不足,事故在所難免,...

2021-05-20 標(biāo)簽:MOSFET控制器IGBT 4.2k 0

GaN晶體管與SiC MOSFET有何區(qū)別(上)

GaN晶體管與SiC MOSFET有何區(qū)別(上)

**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通...

2023-02-03 標(biāo)簽:電阻MOSFET晶體管 4.2k 0

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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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