完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
文章:7870個 瀏覽:235313次 帖子:1157個
三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統(tǒng)的核心部件,正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件,但是Si...
介紹一款專為三相無刷直流電機而設(shè)計的高性能柵極驅(qū)動器SCT55610
近年來的,無刷直流電機(Brushless DC Motor, BLDC)在工業(yè)、汽車、家電、醫(yī)療器械等各個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
常用的MOSFET驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)設(shè)計
常用的MOSFET驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動信號經(jīng)過圖騰柱放大后,經(jīng)過一個驅(qū)動電阻Rg給MOSFET驅(qū)動。
針對常見的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來講,非隔離電源包括Buck、Boost、Buck-Boost等。
2023-09-15 標(biāo)簽:MOSFET振蕩器線性穩(wěn)壓器 2.4k 0
本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外,還應(yīng)注意測試波形的準(zhǔn)確性。
思瑞浦CMTI±150kV/μs隔離柵極驅(qū)動TPM2351x系列產(chǎn)品簡介
聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器的半導(dǎo)體設(shè)計公司——思瑞浦3PEAK(股票代碼:688536)推出CMTI ±150kV/μs隔離柵極驅(qū)動——TPM23...
【導(dǎo)讀】在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料,但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一...
MOSFET等開關(guān)器件可能會受各種因素影響而失效。因此,不僅要準(zhǔn)確了解產(chǎn)品的額定值和工作條件,還要全面考慮電路工作中的各種導(dǎo)致失效的因素。本系列文章將介...
SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
IGBT是由MOSFET和GTR技術(shù)結(jié)合而成的復(fù)合型開關(guān)器件,是通過在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構(gòu)成的,性能上也是結(jié)合了MOSFET和雙極型功...
RF MEMS 開關(guān)的設(shè)計與優(yōu)化
射頻微機電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)的一大重要應(yīng)用領(lǐng)域,也是20世紀(jì)90年代至今研究MEMS技術(shù)各領(lǐng)域中飛速發(fā)展的熱點。射頻微機械開關(guān)體積小,...
- 您已經(jīng)介紹過BM2Pxxx系列對高效率、低功耗、低待機功耗、小型這4個課題的貢獻(xiàn),多次提到“因為內(nèi)置超級結(jié)MOSFET,......”。接下來請您介...
2023-02-17 標(biāo)簽:電阻轉(zhuǎn)換器MOSFET 2.4k 0
性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應(yīng)用電子產(chǎn)品的主要關(guān)注點。根據(jù)任務(wù)壽命和配置文件,設(shè)計人員在某些情況下可能會考慮使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但是 ...
如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路
為了實現(xiàn)在圖騰柱PFC使用常見的開關(guān)器件,本文介紹預(yù)充電電路的解決方案。 相較采用寬禁帶半導(dǎo)體,此方案的功率半導(dǎo)體器件較普遍且容易取得,提供給使用者做為...
內(nèi)置功率MOSFET的高性能BM2Pxxx系列AC/DC轉(zhuǎn)換器用IC
ROHM正在擴充AC/DC轉(zhuǎn)換器用IC的產(chǎn)品陣容。主要面向25W以下的應(yīng)用,比以往相同目的的IC設(shè)計更簡單,并滿足近年來對AC/DC轉(zhuǎn)換器的需求事項的涵...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 2.4k 0
在28nm以下,最大器件長度限制意味著模擬設(shè)計者通常需要串聯(lián)多個短長度MOSFET來創(chuàng)建長溝道器件。
2024-01-15 標(biāo)簽:MOSFET 2.4k 0
onsemi NVBG050N170M1 碳化矽 MOSFET 技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) NVBG050N170M1碳化矽(SiCSiC)MOSFET是1700V M1平面SiC MOSFET系列的一部分,該系列專為...
基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關(guān)器件綜述
拿到一個ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過渡到全SiC的中間方案,也找了文章了解了一下原理。資料有限,標(biāo)題的問題沒找到答案。有...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
| 伺服電機 | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |