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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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采用PowerPAK SC-75封裝的額定電壓8~30V的P
采用PowerPAK SC-75封裝的額定電壓8~30V的P通道功率MOSFET 這些p 通道功率 MOSFET 系列包括額定電壓介于 8V~...
2008-08-23 標(biāo)簽:MOSFET 1.7k 0
LM3D50P02 MOSFET:專為電子煙優(yōu)化的高性能選擇
? 、一、 為電子煙設(shè)備而生MOSFET——LM3D50P02 上海雷卯EMC小哥通過對RELX悅刻、Smoore International (思摩爾...
傾佳電子基于SiC碳化硅MOSFET的15-125kW三相T型混合逆變器設(shè)計深度研究報告
傾佳電子基于基本半導(dǎo)體B3M010C075Z與B3M013C120Z的15-125kW三相T型混合逆變器設(shè)計深度研究報告:顛覆性影響與技術(shù)路徑分析 傾佳...
Nexperia碳化硅MOSFET優(yōu)化電源開關(guān)性能
面對大功率和高電壓應(yīng)用不斷增長的需求,Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出了碳化硅(SiC)MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、...
2025-06-14 標(biāo)簽:MOSFET電源開關(guān)碳化硅 1.7k 0
國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證
繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后
POWI推出業(yè)界首款內(nèi)部集成的汽車級高壓開關(guān)IC
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號POWI)今日發(fā)布兩款新器件,為InnoSwitch...
意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布1200V碳化硅太陽能解決方案
意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)佈碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新成果,協(xié)助系統(tǒng)廠商研發(fā)能夠?qū)⑻柲苻D(zhuǎn)化成電網(wǎng)電能的高能效電子設(shè)備。
2012-09-19 標(biāo)簽:電動汽車MOSFET意法半導(dǎo)體 1.7k 0
新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊
新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSF...
近日,納芯微正式推出了CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12023A系列產(chǎn)品。這款新品以其優(yōu)異的短路過流能力與雪崩過壓能力,以及更強的...
飛虹MOS管FHP20N40W在高頻開關(guān)電源中的應(yīng)用
11月初在深圳召開的電源行業(yè)頂級學(xué)術(shù)會議,里面把“高效高功率密度開關(guān)電源”列為八大核心議題之一,說明產(chǎn)品需要不斷迭代升級。而產(chǎn)品的持續(xù)迭代升級肯定是離不...
2025-12-15 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 1.7k 0
ROHM發(fā)布創(chuàng)新TRCDRIVE pack模塊,助力xEV逆變器升級
全球半導(dǎo)體制造巨頭ROHM(總部位于日本京都市)近日宣布,面向300kW以下的xEV(電動汽車)用牽引逆變器,成功開發(fā)出了一款革命性的二合一SiC封裝型...
12月12日晚,第三代半導(dǎo)體“2024行家極光獎”在深圳揭曉,數(shù)百家SiC&GaN企業(yè)代表聯(lián)袂赴宴,經(jīng)過數(shù)月時間的緊密籌劃,專家組委會和眾多行業(yè)...
羅姆半導(dǎo)體將推出SCH2090ke型漏源極電壓可達1200V的MOSFET
SCH2090ke是?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。耐高壓、低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)、實現(xiàn)整機的小型化和節(jié)能化。
圣邦微電子發(fā)布SGM61280高效微型8A同步降壓轉(zhuǎn)換器
圣邦微電子近期隆重推出了SGM61280,一款集高效能與微型化設(shè)計于一身的8A同步降壓轉(zhuǎn)換器,專為滿足工業(yè)低功耗系統(tǒng)、筆記本電腦、液晶顯示器、電視及高性...
2024-08-14 標(biāo)簽:MOSFET圣邦微電子同步降壓轉(zhuǎn)換器 1.7k 0
揚杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品
揚杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品,產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導(dǎo)通...
Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之最佳產(chǎn)品獎
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率...
NP2302D使用先進的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費 超低密度細(xì)胞設(shè)計導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC,將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中
中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5A和8 A之間的...
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