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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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華為禁令恐讓整體NAND Flash市場供應(yīng)過剩；鴻海威州高性能計(jì)算數(shù)據(jù)中心成型…

全球第2大NAND Flash廠商鎧俠在其最新公布的IPO文件中指出，美國對華為的禁令恐讓整體NAND Flash市場供應(yīng)過剩，價(jià)格下跌。鎧俠稱，現(xiàn)階段...

2020-09-19 標(biāo)簽：NAND 華為 3.3k 0

存儲(chǔ)芯片廠商的DRAM和NAND閃存庫存明顯增加，Q4將忙于調(diào)整庫存

據(jù)國外媒體報(bào)道，本月初，產(chǎn)業(yè)鏈消息人士曾透露，受需求下滑影響，存儲(chǔ)芯片制造商的庫存明顯增加，平均庫存已接近4個(gè)月。

2020-09-17 標(biāo)簽：芯片 DRAM NAND 942 0

今年存儲(chǔ)半導(dǎo)體的NAND閃存市場將同比增長27％

隨著今年Corona 19的傳播，由于遠(yuǎn)程辦公，視頻會(huì)議和Internet使用的增加，對服務(wù)器的需求激增，進(jìn)入服務(wù)器的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器（SSD和輔助存儲(chǔ)設(shè)備）...

2020-09-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM NAND 2k 0

國內(nèi)SSD價(jià)格已下跌到最低水位，NAND閃存價(jià)格后續(xù)有較大上漲空間

內(nèi)存、SSD固態(tài)盤這兩年的價(jià)格可謂跌宕起伏，誰也無法準(zhǔn)確預(yù)料就接下來到底會(huì)怎么走，但總歸有些蛛絲馬跡的。

2020-08-27 標(biāo)簽：nand 電路板 ssd 2.3k 0

你知道未來的存儲(chǔ)技術(shù)會(huì)是什么樣子嘛？

多年來，供應(yīng)商一直在開發(fā)一種可以將非易失性內(nèi)存插入傳統(tǒng)DIMM插槽（易失性DRAM使用的插槽）的技術(shù)。存儲(chǔ)類內(nèi)存(Storage Class Memor...

2020-08-22 標(biāo)簽：NAND cpu 存儲(chǔ)技術(shù) 2.7k 0

海力士發(fā)布全球首款基于128層NAND閃存的消費(fèi)級SSD

SK海力士發(fā)布了全球首款基于128層NAND閃存的消費(fèi)級SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB兩種存儲(chǔ)容量，產(chǎn)品已上架亞馬遜。

2020-08-19 標(biāo)簽：NAND SK海力士 4.3k 0

存儲(chǔ)芯片價(jià)格下滑的趨勢將持續(xù)到明年上半年？

如果存儲(chǔ)芯片價(jià)格下滑，DRAM與NAND閃存的銷售額，還能否達(dá)到預(yù)期就存在變數(shù)。研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)今年全球DRAM的銷售額，將達(dá)到645.55億美元，同比增長...

2020-08-17 標(biāo)簽：芯片 DRAM NAND 3.9k 0

存儲(chǔ)芯片商普冉股份沖刺科創(chuàng)板 NOR Flash爆發(fā)式增長

科創(chuàng)板芯版圖或再添一位新軍。近日，上交所受理了普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（以下稱普冉股份）的科創(chuàng)板申請。普冉股份主營業(yè)務(wù)為非易失性存儲(chǔ)器芯片的設(shè)計(jì)...

2020-08-13 標(biāo)簽：閃存 NAND EEPROM 1.8k 0

西安二期一階段NAND Flash項(xiàng)目預(yù)計(jì)9月滿產(chǎn)，產(chǎn)量將占三星總規(guī)模35%

據(jù)西安發(fā)布報(bào)道，西安于8月5日下午舉行企業(yè)家座談會(huì)，三星（中國）半導(dǎo)體有限公司副總裁池賢基在會(huì)上談到，三星西安存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目最新進(jìn)展。三星（中國）半導(dǎo)體...

2020-08-07 標(biāo)簽：Nand 三星電子 5.5k 0

DRAM和NAND預(yù)計(jì)2020年占所有IC銷售額三分之一，NAND閃存同比大增27%

IC Insights的最近發(fā)布最新報(bào)告，預(yù)測33個(gè)大IC產(chǎn)品類別銷售額和單位出貨量。33種IC產(chǎn)品類別是世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)（WSTS）組織定義的類別。...

2020-08-05 標(biāo)簽：DRAM NAND 6.3k 0

回顧聯(lián)蕓科技的NAND DSP研究成果

聯(lián)蕓科技 Self-Adaptive NAND DSP 的自適配技術(shù)，能快速提升 LDPC 硬解碼和軟解碼的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤恢復(fù)能力，收集讀取數(shù)據(jù)塊的更多信息，...

2020-08-04 標(biāo)簽：閃存 NAND SSD 1.8k 0

淺談3D NAND Flash技術(shù)未來的走向及發(fā)展趨勢

2020年5月17日-20日舉行了在線IMW（International Memory Workshop），筆者自2018年起已經(jīng)連續(xù)三年參加IMW會(huì)議...

2020-07-30 標(biāo)簽：NAND 3D FlaSh 7.7k 0

解析NAND閃存和NOR閃存

無論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?；趬K尋址...

2020-07-30 標(biāo)簽：閃存 NAND NOR 1.7萬 0

探討未來的存儲(chǔ)技術(shù)將會(huì)如何發(fā)展

未來的存儲(chǔ)技術(shù)會(huì)是什么樣子呢？對于基于NVMe的傳統(tǒng)Flash技術(shù)，我們應(yīng)該繼續(xù)期望更高的容量。例如，在QLC NAND技術(shù)之后會(huì)出現(xiàn)什么？只有時(shí)間才能...

2020-07-29 標(biāo)簽：DRAM NAND SSD 1.3k 0

閃迪宣布投產(chǎn)新工藝的NAND閃存芯片

SanDisk（閃迪）宣布，已于去年底開始投產(chǎn)19nm新工藝的NAND閃存芯片，并對此工藝所能帶來的更好性能、更低成本寄予厚望。

2020-07-24 標(biāo)簽：NAND 閃存芯片閃迪 2.5k 0

解析西部數(shù)據(jù)開發(fā)的第五代3D NAND技術(shù)

西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ： WDC）日前宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進(jìn)的閃存技術(shù)來鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。Bi...

2020-07-24 標(biāo)簽：NAND 3D 西部數(shù)據(jù) 2.3k 0

長江存儲(chǔ)推出致鈦3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案

8月28日，長江存儲(chǔ)宣布推出SSD品牌致鈦ZHITAI，目前官方微博、官方微信公眾號均已上線。長江存儲(chǔ)表示，致，是格物致知，是精誠所致，更是寧靜致遠(yuǎn)。鈦...

2020-08-28 標(biāo)簽：閃存 NAND SSD 4.3k 0

DRAM和NAND技術(shù)的發(fā)展和面臨的挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，其中DRAM和SRAM是兩種常見形態(tài)的存儲(chǔ)器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新，才可以保存數(shù)據(jù)，SRAM只要存入數(shù)據(jù)了，不...

2020-07-22 標(biāo)簽：DRAM NAND 2.5k 0

什么是pSLC Nand Flash

NAND閃存結(jié)構(gòu)NAND Flash的內(nèi)部組織是由塊和頁構(gòu)成。每個(gè)塊包含多個(gè)頁

2020-07-22 標(biāo)簽：NAND FlaSh 6.4k 0

FORESEE SPI NAND Flash，加速電子產(chǎn)品小型化進(jìn)程

目前市面上NAND Flash的常規(guī)制程為2X~3Xnm，而江波龍采用的是16nm，更加先進(jìn)。同時(shí)內(nèi)置ECC（4bit/512Bytes）單元，省去了M...

2020-07-20 標(biāo)簽：NAND SPI Nand flash 1.9k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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